提供了使用短块编码器向数据流施加调制约束的技术。短块编码器对数据流中的比特的子集进行编码。然后，把数据流中的偶交织部和奇交织部分分成两个数据路径。第一调制编码器根据第一调制约束对偶交织部进行编码，第二调制编码器根据第二调制约束对奇交织部...

一种用于估计从数据存储介质获得的、输入到增益修改放大器的读回信号之振幅的装置和方法，包括响应加在放大器的读回信号，测出放大器的输出信号。生成表示放大器输出信号和参考信号之间的差值的差分信号。生成与放大器增益的温度系数有关的补偿信号，然后...

公开了一种数字滤波器指令和实现该滤波器指令的滤波器。该滤波器指令合成数字滤波器，并包括指令字段、抽头长度字段、系数地址字段、数据头地址字段、清零累加器位、以及更新位。该滤波器指令具有简明的指令格式，以便显著地降低存储器需求，允许没有转移...

提供了响应于指示负载电流的确定性改变的前馈信息而调节其输出控制信号的电压调节系统。前馈电路响应于从电压调节系统外部的源生成的输入信号而提供前馈信号。电压调节器系统可通过调节其输出而前摄性地响应于预测信息，由此改善对动态加载的调节容限。作...

一种硬盘驱动器（ＨＤＤ）中的电路，通常在加电时感测电源电压，并且按照ＨＤＤ的设计要求来施加适当的直流到直流转换（通过、降压或升压调节）。

包含在具有空气轴承的主轴电机中的旋转部件和静止部件在轴承旋转时电连接，并且在起动和停止阶段旋转部件和静止部件之间的磨损以及在运输和处理期间由作用在其上的外部振动引起的旋转部件和静止部件之间的损坏可以避免。套筒４５与电机底座４４一体形成。...

本发明涉及一种电流垂直平面自旋阀（ＣＰＰ－ＳＶ）磁致电阻传感器，具有带至少一孔的绝缘层，所述孔限制通过有源区的检测电流的流动。所述孔位于离传感器的检测边缘比后边缘更近。所述孔通过电子束光刻法构图，其可以精确控制所述孔的数目、尺寸和位置。...

本发明涉及一种部分研磨传感器设计的具有新颖的种子层的磁致电阻传感器，当该种子层沉积在晶体结构例如ＡＦＭ层上时，其允许形成在其上的偏置层具有优异的硬磁属性。该种子层结构包括交替的Ｒｕ层和Ｓｉ层以及形成在其上的ＣｒＭｏ层。该种子层阻断下面的...

本发明提供一种用于数据存储装置的具有足够强度的连接器及其使用这种连接器的数据存储装置。提供一种数据存储装置，其具有电路板（１５）和用于与外部接口进行连接的连接器（２０）。连接器（２０）包括在与垂直于电路板（１５）的主表面的方向和其中连接...

本发明提供一种用于构造磁致电阻传感器的方法，其避免了传感器限定期间掩模结构的遮蔽效应。该方法包括抗反射涂覆（ＡＲＣ）及沉积在其上的光致抗蚀剂掩模的使用。形成该光致抗蚀剂掩模以覆盖所需传感器区域，留下非传感器区域暴露着。实施反应离子蚀刻以...

本发明涉及一种基于自旋累积效应的盘驱动器磁致电阻（ＭＲ）读头，其在读间隙中没有电端子和相关的绝缘层。自旋累积型ＭＲ读头具有位于下磁屏蔽件上绝缘层上的导电条带，该条带具有在头的检测端的面向盘的第一端以及在头的后端从所述检测端凹进的第二端。...

本发明涉及具有磁各向异性被钉扎层结构的磁致电阻传感器。该被钉扎层结构形成在籽层之上，所述籽层具有一表面，该表面被处理从而使所述籽层的该表面具有各向异性粗糙度特征。所述各向异性粗糙度在被钉扎层中引起磁各向异性。所述被处理的籽层还允许被钉扎...

本发明提供一种磁致电阻传感器，其具有堆叠内偏置结构和带有形状增强各向异性的被钉扎层。该传感器可以是部分研磨设计，其中所述传感器的道宽由自由层的宽度定义且被钉扎层延伸超过传感器的道宽。该传感器具有自由层的条高定义的有源区。被钉扎层延伸超过...

本发明公开了一种具有极小引线宽度和引线间隔的洛伦兹磁致电阻传感器及制造方法。该传感器可以通过新型制造方法制造，该方法允许以如下方式淀积引线，使得引线宽度和引线间的间隔由引线层和引线间电绝缘间隔层的淀积厚度决定，而不是由光刻决定。因为引线...

底部自旋阀传感器使用用于氧化镍（ＮｉＯ）反铁磁钉扎层（２１２）的籽晶层（２０１），目的是提高传感器的磁致电阻（ｄＲ／Ｒ）。自旋阀传感器可以是简单自旋阀或反平行（ＡＰ）自旋阀传感器。籽晶层是钽氧化物（ＴａｙＯｘ）或铜（Ｃｕ）。

公开了磁隧道结（ＭＴＪ）和垂直于平面电荷（ＣＰＰ）磁性传感器，所述传感器具有钉扎钉扎层中的磁化方向的一第一反铁磁层，和提供自由层的偏置稳定性的一第二反铁磁层。这两个反铁磁层可由相同材料形成，并且通过利用自旋翻转效应，可同时被初始化。公开...

一种具有通过非磁性间隔层分隔的被钉扎铁磁层和自由铁磁层的磁电阻器件，该器件具有使用接近１００％自旋极化的半金属铁磁性哈斯勒合金作为被钉扎铁磁层的交换耦合反铁磁性／铁磁性结构。交换耦合结构包括ＡＦ层和被钉扎半金属铁磁性哈斯勒合金层之间的中...

一种降低在研磨指示体中的噪声的方法。掩蔽巨磁阻器件晶片的选定部分，从而限定晶片的掩蔽区和包括研磨指示体的未掩蔽区。用离子轰击晶片，从而降低未掩蔽区的巨磁阻效应。研磨ＧＭＲ器件，使用研磨指示体来测量研磨的程度。

一种由多个位线、多个层、多个树结构以及多个板线形成的铁电三维固态存储器。位线排列在第一平面中并且沿第一方向延伸。每一层具有一个铁电电容器存储器单元阵列。每个树结构对应于一个位线并且具有树干部分和多个树枝部分。每个树结构的树干部分从相应的...

一种电流垂直于平面的磁阻传感器具有用于靠传感电流产生的磁场稳定自由层的附加层。铁磁稳定层通过间隔层与自由层隔开并与第二反铁磁层交换耦合，第一反铁磁层是常规铁磁层，用于在ＣＰＰ传感器中钉扎被被钉扎层。稳定层为涡旋或其它非纵向磁化模式，该稳...