本发明公开一种磁传感器，具有两个通过用来消除偏置层之间交换耦合的退藕层隔开的偏置层。这两个偏置层可以具有不同的矫顽磁力，这样可以独立地调节由偏置层提供给自由层的磁偏置。通过退藕层使这两个偏置层的晶粒结构基本不相关。

本发明涉及一种自旋阀传感器。本发明一示例性实施例中，自旋阀传感器包括：自由层结构；包括至少第一反平行（ＡＰ）被钉扎层的ＡＰ被钉扎层结构；及形成在自由层结构和ＡＰ被钉扎层结构之间的非磁的导电间隔层。用于磁性钉扎第一ＡＰ被钉扎层的第一和第二...

本发明涉及一种异常磁电阻（ＥＭＲ）传感器，其在ＥＭＲ有源膜上具有反铁磁／铁磁交换耦合双层结构。双层结构中的铁磁层具有垂直磁各向异性并且被反铁磁层交换偏置。反铁磁／铁磁双层结构提供垂直于ＥＭＲ有源膜平面的磁场来偏置ＥＭＲ传感器的磁电阻对磁...

本发明涉及一种形成ＭＴＪ中隧道势垒的方法。作为磁隧道结的制造的一部分，在反应氧气（Ｏ↓［２］）中在“高电压”态下从Ｍｇ靶反应溅射沉积氧化镁隧道势垒，从而确保当Ｍｇ靶在其金属模式也就是没有或最小的氧化时发生该沉积。因为Ｍｇ靶的金属模式具有...

在形成窄的构图时，难以形成具有悬垂形状的剥离抗蚀构图。因此，导致ＧＭＲ层的末端处的角度被减少到４５°或以下的现象。有必要提供将ＧＭＲ膜的末端形成为４５°或以上的陡峭角度并确保剥离的剥离抗蚀构图。当有必要形成超过成像层的分辨率的限制的窄的...

本发明提供一种适合在磁头中使用的三端子磁传感器（ＴＴＭ），其具有基极区域、集电极区域和发射极区域。第一势垒层位于发射极区域与基极区域之间，第二势垒层位于集电极区域与基极区域之间。该ＴＴＭ的气垫面（ＡＢＳ）感测平面沿基极区域、集电极区域、...

本发明提供了具有高成品率的高输出磁头，其能够使传感电流泄漏或上屏蔽层的磁畴壁的转移所造成的噪声最小化。制造所述磁头，以便在沿着传感器高度方向的回填膜（６）接触磁阻层（３）的部分中，沿着传感器高度方向的回填膜（６）的上表面的高度与磁阻层（...

本发明公开一种ＥＭＲ元件及其制造方法。该ＥＭＲ结构包括形成有源区的一个或更多层，例如二维电子气（２ＤＥＧ）。该ＥＭＲ结构具有第一侧表面和相对的第二侧表面，该第一侧表面具有从该ＥＭＲ结构的主体向外延伸的多个引线凸起。所述引线凸起用于形成该...

本发明涉及一种电流垂直平面（ＣＰＰ）传感器及其制造方法，其防止了由于再沉积材料导致的在势垒／间隔层侧面的电流分流。进行第一离子研磨从而至少去除自由层。可以进行快速掠射离子研磨从而去除累积在自由层和势垒／间隔层侧面的少量再沉积物。然后沉积...

本发明涉及一种ＣＰＰ　　ＧＭＲ传感器结构，其具有自由和参考层，其中该自由和参考层的磁取向非直交。在一个实施例中，铁磁自由层膜具有标称上取向在其膜平面内、相对于定义为所述自由层的沉积平面与所述ＡＢＳ的平面的交叉线的纵轴以角θ↓［ｆｂ］在第...

本发明提供一种具有提高的钉扎场强度的磁阻传感器。该传感器包括被钉扎层结构。在具有以各向异性粗糙度处理的表面的衬层上构造ＡＦＭ层。通过有角度的离子蚀刻产生的各向异性粗糙度导致了提高的钉扎强度。衬层可以包括籽晶层和形成在籽晶层上的例如ＰｔＭ...

本发明涉及一种磁致电阻传感器，其具有用于偏置传感器的自由层的磁各向异性偏置层。该硬磁层形成在籽层结构上，该籽层结构已经被处理从而在该硬磁层中诱发磁各向异性。所述被处理的籽层还允许该硬偏置层例如在部分研磨设计中沉积在晶体材料上，而不需要例...

本发明提供一种制造磁写头的方法，其提供改善的极临界尺寸控制例如改善的道宽控制（改善的西格玛）和改善的展开点控制。该方法包括几种工艺改进的结合，例如使用零印偏置光刻构图Ｐ２极尖定义光致抗蚀剂框架以及还使用小闪光场。该方法还包括非反应离子蚀...

本发明的一个实施例包括一种低成本单极可重写可变电阻存储器，由存储器单元的交叉点阵列制成，垂直堆叠在彼此之上且与多晶硅二极管兼容。

本发明涉及一种用于控制磁致电阻传感器的自由层中的磁致伸缩的方法。沉积被钉扎层结构且然后沉积优选为Ｃｕ的间隔层。氧被引入到该间隔层中。氧可以在间隔层的沉积期间或者在已经沉积间隔层之后被引入。然后自由层结构沉积在间隔层之上。帽层例如Ｔａ可以...

本发明涉及一种避免了自旋转矩噪声且同时具有高的ｄｒ／Ｒ性能和小间隙的电流垂直平面（ＣＰＰ）磁致电阻传感器。该传感器是双磁致电阻传感器，具有第一和第二被钉扎层以及设置在所述两个被钉扎层之间的自由层。该被钉扎层之一通过与ＡＦＭ层交换耦合而被...

在清洗设备中，当湍流发生在清洗液体的流动中时，曾经与要清洗的物体分离的污染物再次沉积到该要清洗的物体上。在清洗箱２中在给定方向上利用泵４使清洗液体流动。两块矫直板２０布置在清洗箱２的上游侧，并且矫直板２２布置在待清洗物体的下游侧。多个孔...

本发明提供一种操作笛卡尔型电子束即ｅ束光刻（ＥＢＬ）设备的方法，其能够有效且精确地在工件的宽面积上写入闭合曲线图案例如圆。曲线图案覆盖ＥＢＬ设备的ｘ－ｙ定位台的多个邻接域，并且所述台沿着所述邻接域定义的路径移动。与第一和倒数第二域关联的...

电流垂直平面ＣＰＰ磁致电阻传感器具有反平行自由ＡＰＦ结构作为自由层和用于所施加的偏置或检测电流的特定方向。ＡＰＦ结构具有第一自由铁磁层ＦＬ１、第二自由铁磁层ＦＬ２和反平行ＡＰ耦合ＡＰＣ层，ＡＰＣ层使ＦＬ１和ＦＬ２反铁磁耦合在一起从而ＦＬ...

本发明提供一种层系统、形成该层系统的方法、以及利用该层系统的器件。在一实施例中，该方法包括提供一种包括第一层的双层系统，该第一层包括掺杂以选自４ｄ过渡金属、５ｄ过渡金属、以及４ｆ稀土金属中的一种的掺杂剂材料的第一铁磁材料。该掺杂剂材料预...