电介质电容器及其制造方法技术

一种电介质电容器，其特征在于，具备： 至少具有ＷＯ↓［Ｘ］层、ＴｉＯ↓［Ｘ］层、ＴａＯ↓［Ｘ］层、ＩｒＯ↓［２］层、ＰｔＯ↓［２］层、ＲｕＯ↓［Ｘ］层、ＲｅＯ↓［Ｘ］层、ＰｄＯ↓［Ｘ］层、ＯｓＯ↓［Ｘ］层中的任一氧化层的下部电极、 形成于下部电极上，由强电介质槿具有高介电常数的电介质构成的电介质层、 在该电介质层上形成的上部电极。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电介质电容器，特别涉及其强介电性等的提高。
技术介绍
附图说明图10表示已有的强电介质电容器。在硅基片2的上面形成二氧化硅层4。在其上面设置白金的下部电极6。在下部电极6上面设有强电介质PZT(PbZrxTi1-xO3)膜8，再在其上设置白金的上部电极10。就这样，由下部电极、PZT膜、上部电极10形成强电介质电容器。在这里，下部电极6使用白金有如下理由。PZT膜8必须形成在定向膜上面。如果形成于非晶态膜上，由于没有定向，强电介质的性质就会受到损害。另一方面，下部电极必须在与硅基片2绝缘的状态下形成。为此，在硅基片2上形成二氧化硅层4。该二氧化硅层4是非晶态的。通常，在非晶态材料上形成的膜为无定向膜，但是白金具有即使在非晶态材料上也形成定向膜的性质。由于有这样的理由，所以下部电极使用白金。但是，上述已有的强电介质电容器存在有如下问题。由于白金容易透过氧、铅，故存在强电介质(PZT)内的氧逃逸、经时变化及极化反向的反复进行引起的强介电性降低的问题。也就是，如图11所示，强电介质中的氧、铅等从白金的柱状结晶之间逃出的问题。而，这样的问题同样也存在于使用具有高介电常数的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电介质电容器，其特征在于，具备至少具有WOX层、TiOX层、TaOX层、IrO2层、PtO2层、RuOX层、ReOX层、PdOX层、OsOX层中的任一氧化层的下部电极、形成于下部电极上，由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、在该电介质层上形成的上部电极。2.根据权利要求1所述的电介质电容器，其特征在于，在所述氧化层上面，形成W层、Ti层、Ta层、Ir层、Pt层、Ru层、Re层、Pd层、Os层中的任一导体层、构成下部电极，在该导体层的上面形成强电介质层。3.根据权利要求1或2所述的电介质电容器，其特征在于，所述下部电极形成于基片上形成的二氧化硅层上面；所述下部电极具有与所述二氧化硅层相接的接合层。4.一种电介质电容器，其特征在于，具备下部电极、形成于下部电极上，由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、形成于电介质层上面，至少具有WOX层、TiOX层、TaOX层、IrO2层、PtO2层、RuOX层、ReOX层、PdOX层、OsOX层中的任一氧化层的上部电极。5.根据权利要求4所述的电介质电容器，其特征在于，上述下部电极形成于在基片上形成的二氧化硅层上，上述下部电极具有与所述二氧化硅层相接的接合层。6.一种电介质电容器，其特征在于，具备至少具有WOX层、TiOX层、TaOX层、IrO2层、PtO2层、RuOX层、ReOX层、PdOX层、OsOX层中的任一氧化层的下部电极、形成于下部电极上，由强电介质或具有高介电常数的电介质构成的电介质层、形成于电介质层上，至少具有WOX层、TiOX层、TaOX层、IrO2层、PtO2层、RuOX层、ReOX层、PdOX层、OsOX层中的任一氧化层的上部电极。7.根据权利要求6所述的电介质电容器，其特征在于，在所述氧化层上面，形成W层、Ti层、Ta层、Ir层、Pt层、Ru层、Re层、Pd层、Os层中的任一导体层、构成下部电极，在该导体层的上面形成强电介质层。8.根据权利要求6或7所述的电介质电容器，其特征在于，上述下部电极形成于在基片上形成的二氧化硅层上，上述下部电极具有与所述二氧化硅层相接的接合层。9.一种电介质电...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村孝，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：