电光学装置制造方法及图纸

技术编号:3693228 阅读:141 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种电光学装置,该电光学装置包括:电光学元件层,其包括配置在两根电极之间的电光学元件;表面材料层,其位于所述电光学装置的最外面;第一层,其配置在所述电光学元件层与所述表面材料层之间;第二层,其配置在所述表面材料层与所述第一层之间;和第三层,其配置在所述表面材料层与所述第一层之间,所述第一层的折射率比所述表面材料层的折射率低。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种能有效取出电光学元件发出的光线和电光学元件调制的光线的电光学装置和电光学装置的制造方法,具有这种电光学装置的仪器以及电路板和电路板的制造方法。
技术介绍
过去,在液晶装置、有机EL(电致发光;electroluminesencence)装置等电光学装置的结构中具有处于基板上层的复数电路元件、电极、液晶或EL元件等。例如有机EL装置中备有夹在阳极和阴极的电极层间、包含发光物质的发光层构成的发光元件,利用从阳极侧注入的空穴与从阴极侧注入的电子在具有发光能力的发光层内再结合,产生从激发状态到失活状态时的发光现象。电光学装置一般包含电光学元件层由复数材料层构成,所以当将电光学元件层发出或调制的光线向外部取出时,光线通过材料层而衰减,往往不能获得足够的光线取出效率。
技术实现思路
鉴于这种情况,本专利技术目的在于提供一种能提高光线向外部取出的效率、实现高目视性的电路板及电子仪器。为了解决上述课题,本专利技术的电光学装置,其特征在于是一种层叠包含有电光学元件的电光学元件层的复数材料层的电光学装置,在取出所说的电光学元件光线的位置上设置复数材料层,在所说的复数材料中最表面位置上的表面材料层与所说的电光学元件层之间,设置折射率比所说的表面材料层折射率低的低折射率层。这里所说的“电光学元件的光线”,不仅指电光学元件发出的光线,而且还包括电光学元件调制的透过光线和反射光线。所谓“最表面位置上的表面材料层”,是指与外界接触的材料层。按照本专利技术,由于电光学元件发出的光线通过折射率比表面材料层低的低折射率层后入射在表面材料层上,所以以大于临界角入射在低折射率层上的入射光线,在表面材料层界面上以小于临界角的方向折射,在表面材料层内能以全反射条件向外,取出至外部。因此能够提高光线的取出效率,获得高目视性。而且折射率与介电常数间具有强的正比关系,以所定材料层为低折射率层可以形成低介电常数层。可以采用例如液晶元件、电泳元件、电子释放元件等作为所说的电光学元件,但是上述电光学装置的构成中电光学元件采用发光元件的场合下特别适用。作为发光元件可以举出例如采用LED(发光二极管)元件、LD(激光二极管)元件、EL(电致发光)元件、电子释放元件的发光元件等。上述的电光学装置中,用上述低折射率层作为层间绝缘层能提高通过层间绝缘层光线的取出效率。而且由于折射率与介电常数之间具有正比关系,所以用层间绝缘层将例如配线与电极等导电部件绝缘的场合下有减小布线电容的优点。因而是一种兼备高光线取出效率和高速动作性能的电光学装置。这种场合下,将上述低折射率层的折射率设定为1.5以下,优选1.2以下。作为低折射率材料,可以举出能透过光线的多孔体、气凝胶、多孔氧化硅、氟化镁或含氟化镁的材料、分散有氟化镁微粒的凝胶、含氟聚合物或包含含氟聚合物的材料、具有支链结构的多孔性聚合物以及在预定材料中至少含有无机微粒和有机微粒之一的材料等。可以采用有机电致发光元件作为上述电光学元件。有机电致发光元件具有例如能在低电压下驱动而且比液晶元件的视野依赖性小等各种优点。上述电光学装置中还可以设置有源元件,这样能形成一种主动驱动型。作为所说的有源元件可以举出例如以薄膜晶体管为首的晶体管和薄膜二极管等。本专利技术的电光学装置的制造方法,其特征在于其中包括在第一基材上设置薄膜晶体管的工序,在含有所说的薄膜晶体管和所说的第一基材的第二基材上形成低折射率层的工序。本专利技术的电路板,其特征在于是基板上层叠有复数材料层的电路板,其中设有比所说的基板折射率低的折射率材料组成的至少一层低折射率层。上述的电路板中,所说的复数材料层中至少一层是层间绝缘层,所说的层间绝缘层由所说的低折射率材料制成。所说的低折射率层的折射率处于1.5以下,优选处于1.2以下。作为所说的低折射率材料,可以举出能透过光线的多孔体、气凝胶、多孔氧化硅、氟化镁、含氟聚合物和多孔性聚合物,以及在预定材料中含有无机微粒和有机微粒中至少一种微粒的材料和分散了氟化镁微粒的凝胶等。这种场合下,电路板具有有源元件,而有源元件可以举出晶体管。本专利技术电路板的制造方法,其特征在于其中包括在第一基材上设置晶体管的工序,以及在含有所说的晶体管和所说的第一基材的第二基材上形成低折射率层的工序。本专利技术的电子仪器,其特征在于其中具有上述本专利技术的电光学装置或电路板。按照本专利技术能够实现显示品质优良、具有明快画面显示部件的电子仪器。附图说明图1是表示本专利技术的一种电光学装置实施方式的图,是表示采用电致发光显示装置的实例的结构示意图。图2是表示图1的显示装置中像素部分平面结构的放大图。图3是表示本专利技术的一种电光学装置实施方式的图,是沿图2中A-A箭头的剖面视图。图4是表示具有本专利技术电光学装置的一种电子仪器实例图。图5是表示具有本专利技术电光学装置的一种电子仪器实例图。图6是表示具有本专利技术电光学装置的一种电子仪器实例图。图中,2基板,3发光元件,23像素电极,60发光层(电光学元件层),S1有机EL显示装置(电光学装置,电路基板),222阴极,282栅绝缘层,283第一层间绝缘层(低折射率层),284第二层间绝缘层(低折射率层)。具体实施例方式以下参照图1、2和3说明本专利技术的电光学装置。图1和2是表示在采用有机电致发光元件的有源矩阵型显示装置中采用本专利技术的电光学装置的一个实例,图1是全部电路图,图2是图1中将作为对电极和发光元件除去状态下各像素的平面放大图。本实施例中虽然是就采用有机电致发光元件(以下称为适当“EL元件”)的显示装置为例说明的,但是也能用于采用液晶元件、电泳元件、电子释放元件等的显示装置,或者采用LED(发光二极管)、LD(激光二极管)等发光元件的显示装置。如图1所示,有机电致发光显示装置(以下称为适当“有机EL显示装置”)S1具有基板、配置在基板上的数条扫描线131、沿着与这些扫描线131相交方向延伸配置的数条数据线132、以及与这些数据线132并列延伸配置的数条公共供电线133,是与扫描线131和数据线132的各交点对应设置像素(像素区素)AR构成的。数据线132,被电连接在至少有移位寄存器、电位移位器、视频线路、D/A换流器、解调器、锁存电路和模拟开关中之一的数据线驱动电路90上。另一方面,扫描线131被电连接在至少有移位寄存器、电位移位器和解调器之一的扫描驱动电路80上。其中在本实施例中虽然将数据线驱动电路90和扫描线驱动电路80一起设置在基板上,但是也可以适当选择将线驱动电路90和扫描线驱动电路80分别设置在基板上或者设置在基板之外。而且如图1所示,在每个像素区AR设置有通过扫描线131将扫描信号供给栅极的第一薄膜晶体管22,保持通过此第一薄膜晶体管22自数据线132供给的图像信号用的保持电容cap,将保持电容cap保持的图像信号供给栅极的第二薄膜晶体管24,通过此第二薄膜晶体管24电连接在公共供电线133上时从公共供电线133流入驱动电流的像素电极23,以及夹在此像素电极(阳极)23和对电极(阴极)222之间的发光元件3。其中发光元件3除EL(电致发光)元件外,还可以举出LED(发光二极管)和LD(激光二极管)等发光元件。一旦因通过扫描线131供给的扫描信号使第一薄膜晶体管22处于开启状态下,此时与通过数据线132供给的数据信号对应的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光学装置,包括:电光学元件层,其包括配置在两根电极之间的电光学元件;表面材料层,其位于所述电光学装置的最外面;第一层,其配置在所述电光学元件层与所述表面材料层之间;第二层,其配置在所述表面材料层与所述第 一层之间;和第三层,其配置在所述表面材料层与所述第一层之间,所述第一层的折射率比所述表面材料层的折射率低。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:宫泽贵士
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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