电光学装置制造方法及图纸

电光学装置在衬底上具有ＴＦＴ（３０）、数据线（６ａ）和象素电极（９ａ），构成ＴＦＴ的半导体层（１ａ）通过中继膜（８０ａ）与象素电极连接。通过将设在数据线和中继膜之间的遮光性导电膜（９０ａ）和由与设在中继膜和半导体层之间的扫描线相同的膜形成的电容电极（３ｂ）电连接起来并形成定电位，在层与层之间形成存储电容。可以提高象素孔径比，同时，可以增大存储电容。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有源矩阵驱动方式的电光学装置的
，特别涉及在象素电极和象素开关用薄膜晶体管(Thin Film Transistor以下称作TFT)之间形成电通道并在衬底上的层叠构造中具有存储电容和遮光膜的电光学装置。以往，在TFT驱动的有源矩阵驱动方式的液晶装置等电光学装置中，当经扫描线向TFT的栅极供给扫描信号时，TFT导通，经数据线向半导体层的源极区供给的图象信号经该TFT的源漏之间供给象素电极。这样的图象信号只在极短的时间经各TFT向每一个象素电极供给，所以，为了在比TFT的导通时间长得多的长时间内使经TFT供给的图象信号的电压保持恒定，一般在各象素电极上附加存储电容。此外，当光入射到构成TFT的半导体层的沟道区或沟道区和源漏极的结合区以及与此相邻的源漏极的至少一部分时，产生光激励，该TFT的晶体管特性发生变化，例如在截止状态下漏电流增加。因此，为了防止这样的因光的入射引起的TFT特性的变化，例如，在象投影仪用的电光学装置那样的有特别强的入射光入射的电光学装置的情况下，对投射投射光的入射侧，在与其相向的衬底上设置遮光膜，用以覆盖包含TFT的沟道区的象素电极间的间隙区，或形成很宽的由Al膜等形成的不透明的数据线来覆盖沟道区。进而，对射出侧，通过在TFT的下侧设置遮光膜，来遮盖背面的反射光或返回光，该返回光是在将多个电光学装置组合构成投影仪时从其它电光学装置入射到合成光学系统中的投射光等。在这种电光学装置中，一般，对显示图像的品质有很高的要求。为此，在各象素中，通过使透过显示光的开口区比不透过显示光的非象素开口区宽，使象素间隙微细化，提高象素孔径比，同时，增大附加在各象素电极上的存储电容，这一点极端重要。一般，存储电容利用非象素开口区形成，所以，基本上在象素开口区作成存储电容很困难。因此，存在这样的的问题，即，为提高象素孔径比，象素开口区越宽，能作成存储电容的非象素开口区越窄。或者，为增大存储电容，非象素开口区越宽，象素孔径比越降低。此外，如上所述对TFT的沟道区和与该沟道区相邻的区域(以下称沟道邻接区)、例如LDD构造的TFT的低浓度区中的入射光和反射光进行遮光是极端重要的。即，象素间隙越微细，TFT的很小特性变化都可以使图像质量大大降低。但是，越提高象素孔径比，整体上能配置遮光膜或具有遮光功能膜的平面区域越减小，所以，存在难以很好地对TFT进行遮光的问题。进而，存在象素间隙越微细入射光或反射光相对衬底面的一点点倾斜都会在斜入射后在层叠构造内引起多重反射而最终进入沟道区或与沟道相邻的区域中的问题。特别存在下述难以解决的问题，即，当用反射率极高Al膜形成的数据线覆盖入射光一侧时，虽然数据线愈宽对入射光的遮光越接近理想状态，但相反，数据线愈宽，反射光在数据线的面向TFT一侧进行反射或继续在TFT的下侧的遮光膜的面向TFT的一侧进行反射，最终很可能照射到沟道区或与沟道相邻的区域。进而，还存在下述难以解决的问题，即，虽然TFT的下侧的遮光膜愈宽对反射光的遮光越接近理想状态，但相反，TFT的下侧的遮光膜愈宽，斜的入射光在遮光膜的内面进行反射或继续在数据线的内面进行反射，最终很可能照射到沟道区或与沟道相邻的区域。特别，在单位面积的入射光或反射光的强度极高的投影仪用的电光学装置的情况下，这样的问题对提高图像质量的影响是极深刻的。本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种电光学装置，可以在提高象素孔径比的同时增大存储电容，能够进行高质量的图像显示。此外，本专利技术的目的在于提供一种电光学装置，可以在提高象素孔径比的同时降低因入射光或反射光引起的象素开关用TFT特性的变化。(1)本专利技术的第1电光学装置，其特征在于包括在衬底上形成扫描线；与上述扫描线交叉的数据线；与上述扫描线和上述数据线连接的薄膜晶体管；与上述薄膜晶体管的漏极区连接的象素电极；层叠在上述扫描线和上述数据线之间的第1存储电容。若按照本专利技术的构成，通过利用层叠构造在扫描线和数据线之间形成第1存储电容，可以提供使存储电容增大、可进行高质量图像显示的电光学装置。(2)本专利技术的第1电光学装置的另一形态的特征在于，上述第1存储电容的构成包括第1电容电极；面向上述第1电容电极的绝缘膜；经上述绝缘膜与上述第1电容电极相向配置并形成与上述薄膜晶体管的漏极区和上述象素电极电连接的中继膜的第2电容电极。若按照本专利技术的构成，因形成第1存储电容的第2电容电极作为将薄膜晶体管的漏极区和象素电极电连接的中继膜构成，故能够解决象素电极和半导体层之间的距离长电连接困难的问题。此外，可以防止第2电容电极在连接孔开口时被蚀刻穿透。(3)本专利技术的第1电光学装置的另一形态的特征在于，上述第1存储电容形成时，留下上述薄膜晶体管的源极区和上述数据线的连接区，使上述薄膜晶体管的半导体层和上述扫描线的各区域重合。若按照本专利技术的构成，因半导体层和扫描线的各区域重叠形成，故能够在提高孔径比的同时增大存储电容。(4)本专利技术的第1电光学装置的另一形态的特征在于，进而具有第2存储电容，上述第2存储电容的构成包括上述第2电容电极；面向上述第2电容电极的绝缘膜；经上述绝缘膜与上述第2电容电极相向配置并由和上述扫描线相同的膜形成的第3电容电极。若按照本专利技术，利用形成第1存储电容的第2电容电极和扫描线层形成第2电容电极，所以，因可以在衬底的厚度方向层叠存储电容，故即使象素间隙微细，也可以在非开口区内构筑比较大的存储电容。此外，第3电容电极因由和扫描线同一的膜形成故利用层数较少的层叠构造就能够构筑存储电容。(5)本专利技术的第1电光学装置的另一形态的特征在于，上述第3电容电极形成时，留下上述薄膜晶体管的漏极区和上述第2电容电极的连接区并与上述扫描线平行形成。若按照本专利技术的构成，因第3存储电容与扫描线平行形成故可以利用非开口区来增大存储电容。(6)本专利技术的第1电光学装置的另一形态的特征在于，上述第3电容电极与上述第1电容电极电连接。若按照本专利技术的构成，因第1电容电极和第3电容电极的电位不变，故能够防止影响薄膜晶体管特性的情况发生。(7)本专利技术的第1电光学装置的另一形态的特征在于，上述第3电容电极和上述第1电容电极的电连接部位于上述数据线的下方区域。若按照本专利技术的构成，因将不能用作为各象素的开口区的象素电极的间隙区中的数据线的下方用于第3电容电极和第1电容电极的连接，故对谋求象素的高孔径比很有利。(8)本专利技术的第1电光学装置的另一形态的特征在于，上述第3电容电极由沿上述扫描线延伸的第1电容线的一部分形成，上述第1电容电极由沿上述扫描线延伸的第2电容线的一部分形成，上述第1电容线和上述第2电容线延伸到配置了上述象素电极的象素显示区的周围再电连接。若按照本专利技术的构成，因包含沿扫描线排列的多个第3电容电极的第1电容线和包含沿扫描线排列的多个第1电容电极的第2电容线在图像显示区的外侧相互进行电连接，故可以经第1和第2电容线，使第3电容电极和第1电容电极相互之间以较简单的方式可靠地电连接起来。此外，因不必在图像显示区内设置用于使两者连接的连接孔，故可以增大存储电容。(9)本专利技术的第1电光学装置的另一形态的特征在于，进而具有第3存储电容，上述第3存储电容的构成包括上述第3电容电极；面向上述第3电容电极的绝缘膜；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光学装置，其特征在于，包括： 在衬底上形成的扫描线； 与上述扫描线交叉的数据线； 与上述扫描线和上述数据线连接的薄膜晶体管； 与上述薄膜晶体管的漏极区连接的象素电极； 层叠在上述扫描线和上述数据线之间的第１存储电容。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：村出正夫，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]