电光学装置制造方法及图纸

提供一种不会产生电致发光元件的亮度降低而且含有占用面积少的优化周围电路的电光学装置，该电光学装置包括发光部、和通过像素电极控制对所述发光部供给的电流的电路；所述发光部的面积比所述像素电极的面积小；所述发光部的形状与所述像素电极的形状不同；在所述像素电极的没有形成所述发光部的部分并且在所述像素电极的角部，设置有接触区域。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电光学装置。
技术介绍
含有液晶元件、有机EL元件、电泳元件、电子发射元件等的电光学 装置的驱动方式之一是有源矩阵驱动方式。有源矩阵驱动方式的电光学装 置中，在其显示面板上将多个像素配置成矩阵状。多个像素的每一个，都含有由电光学元件和向该电光学元件供给驱动 电力的驱动晶体管构成的像素电路。另外，这些多个像素电路的每一个， 分别与数据线和扫描线的交叉部对应配置(例如参照国际公开第 WO98/36407号手册)。为了精密地控制电光学装置的亮度，就必须精密地控制向电光学元件 供给的电力量。尤其由于有机EL装置是电流驱动型的电光学元件，电流 量会直接反映到亮度上。因此，需要以良好的精度向有机EL元件供给所 希望的电流量，为此驱动电路或驱动方法自不必说，还需要对像素的布局 进行最优化。实际上，在像素布局上的问题在于例如像素电极与周围电 路的接触、保持电容的稳定性或者晶体管的截断电流等。
技术实现思路
于是，本专利技术正是鉴于有关情况的专利技术，其目的之一在于提供一种含 有用于稳定驱动电光学元件的最优像素布局的有源矩阵基板、电光学装 置、以及电子机器。 . 为解决以上课题，本专利技术的第l有源矩阵基板，含有与设置在每个像 素中的电光学元件相对应、向电光学元件供给电流的周围电路，各周围电路包括保持元件，其用以保持控制电压；第1有源元件，其与保持元件 相连接，用以向电光学元件供给根据控制电压的电流；以及第2有源元件， 其与保持元件相连接，用以控制保持元件的充放电；上述第2有源元件具 有截止时的漏泄电流防止结构。这里，"电光学元件"一般是指通过电的作用而发光或者改变来自外 部的光的状态的元件，包含自身发光的元件和对控制来自外部的光的通过 的两者。例如，电光学元件中包括液晶元件、电泳元件、EL元件、将通 过施加电场而产生的电子发射到发光板上使其发光的电子发射元件。"周围电路"是指在有源矩阵型等电光学装置上各像素的驱动电路元 件的集合体，例如由TFT等构成的集合体。"有源矩阵基板"一般是指搭载周围电路的基板，而无论其是否有电 光学元件形成。"有源元件"并无限定，可以列举为例如TFT等的晶体管或者二极管。 这里，所谓"保持元件"是指例如电容器或存储器等的保持电信号的 元件。有源元件所具有的"截止时的漏泄电流防止结构"是指，通常在该有 源元件处于非导通状态时，会有非常少量的理想上不应该有的电流流动， 而有源元件具有以防止产生这样的电流(漏泄电流)为目的而形成的结构。作为这样的元件，可以列举例如多栅极型的有源元件。所谓多栅极型 的有源元件，其虽然作为一个元件发挥功能，但是严密意义上是指与将多 个有源元件串联连接而将它们的控制端子之间相互连接的元件相同的功 能的有源元件。在构成多栅极型有源元件时，可以如后述本实施方式那样令半导体层 采用弯曲的形状，也可以将栅极的形状进行弯曲。另外，作为第2有源元件，也可以是具有从LDD结构、GDD结构以 及DDD结构组成的组中选择的一种结构的晶体管。这里，"LDD "是Lightly Qoped 2rain的简称，"GDD"是Qraded Qiffosed Qrain的简称，"DDD" 是2ouble2!ifftised2rain的简称。具有这些结构的晶体管，是为了限制由在微细化MOSFET时的热电子等引起的不良影响，而对漏极附近的最大 电场进行削弱的元件。例如，是指以下这种晶体管，为了缓和进行了杂质 扩散的区域与硅基板之间的电场，向晶体管的漏极区域进行轻微掺杂后， 形成例如自我匹配的n—区域。这种晶体管由于在截止时的源极一漏极之间的电阻值非常高、能够减 少漏泄电流，所以可以使蓄积在保持元件中的电荷不会散失，并使施加在 控制用端子上的电位保持稳定。本专利技术的第2有源矩阵基板，含有与多个数据线和多个扫描线的交叉 部对应配置的多个单位电路，上述多个单位电路的每一个包括第1晶体 管，其含有第l控制用端子、第1端子以及第2端子；保持元件，其与上述第1控制用端子相连接，具有第1电极及第2电极；以及第2晶体管，其含有第3端子、第4端子以及第2控制用端子，上述第3端子以及上述 第4端子分别与上述第1端子以及上述第1电极相连接；上述第2晶体管 具有多栅极结构。在上述有源矩阵基板上，上述第2晶体管也可以是具有从LDD结构、 GDD结构以及DDD结构组成的群中选择的一种结构的晶体管，以代替多 栅极结构。进而，由于通过采用多栅极结构、LDD结构、GDD结构以及DDD 结构，可以减少第2晶体管处于截止状态时的漏泄电流，所以能够长时间 地维持保持元件中所蓄积的电荷。在上述有源矩阵基板上，优选上述第1晶体管以及上述第2晶体管互 相具有不同的导电型。这种情况下，优选构成上述第1晶体管的半导体膜 与构成上述第2晶体管的半导体膜相分离。例如，优选上述第1晶体管为P型，上述第2晶体管为N型。在上述有源矩阵基板上，也可以如下构成即，含有第3晶体管，上 述第3晶体管含有第5端子、第6端子以及第3控制用端子；上述第3控 制用端子与上述多条扫描线中的一条扫描线相连接，上述第5端子与上述 多条数据线中的一条数据线相连接。另外，也可以将上述第6端子与上述第3端子以及上述第1端子相连接。 在上述有源矩阵基板上，也可以如下构成即，上述有源矩阵基板具 有含有多个层的层叠结构；上述多个层包含半导体层，其形成构成上述 第1晶体管以及第2晶体管的半导体膜，以及栅金属层，其形成上述第2 控制用端子；也可以在上述栅金属层上，形成上述多条扫描线中的至少1 条扫描线的至少一部分。这样，由于可以在同一工序中形成上述第2控制用元件以及扫描线的 至少一部分，所以能够缩短制造工序。在上述有源矩阵基板上，也可以如下构成即，上述有源矩阵基板具 有含有多个层的层叠结构；上述多个层包含半导体层，其形成构成上述 第1晶体管以及上述第2晶体管的半导体膜；以及栅金属层，其形成上述 第2控制用端子；在上述栅金属层上形成上述多条数据线中的至少1条数 据线的至少一部分。这样，由于可以在同一工序中形成上述第2控制用元件以及数据线的至少一部分，所以能够縮短制造工序。在上述有源矩阵基板上，也可以如下构成即，上述有源矩阵基板具 有含有多个层的层叠结构；上述多个层包含半导体层，其形成构成上述 第1晶体管以及上述第2晶体管的半导体膜；栅金属层，其形成上述第2 控制用端子；以及源金属层，其形成与上述第2晶体管的源极或漏极相连 接的源电极或漏电极;上述多条数据线中的至少l条数据线的至少一部分， 形成在上述源金属层以及上述栅金属层中的比较靠近上述半导体层的层 上。这样，在有源矩阵基板的上方配置电光学元件作为电光学装置时，由 于可以使数据线的至少一部分离开电光学元件的电极，所以能够减少由于 电极与数据线之间产生的寄生电容而导致的动作迟延。本专利技术的第3有源矩阵基板，是含有具有晶体管的单位电路、扫描线 和数据线，并具有由多个层构成的层叠结构的有源矩阵基板；上述多个层 含有半导体层，其形成构成晶体管的半导体膜；以及栅金属层，其形成上述晶体管的栅极端子；在上述栅金属层上形成上述扫描线以及上述数据 线中的至少一方的至少一部分。这样，由于可以在同一工序中在上述栅极金属层上形成晶体管的栅极端子以及扫描线或者数据线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电光学装置，其特征在于，　　　　包括发光部、和通过像素电极控制对所述发光部供给的电流的电路；　　　　所述发光部的面积比所述像素电极的面积小；　　　　所述发光部的形状与所述像素电极的形状不同；　　　　在所述像素电极的没有形成所述发光部的部分并且在所述像素电极的角部，设置有接触区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松枝洋二郎，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]