电性光学装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的是在电性光学装置的端子部中抑制界面电阻的增加。本发明专利技术在作为电性光学装置的液晶显示装置的下衬底的像素部（１４）中，形成有像素用连接配线（２４）、像素用钼膜（９６）、像素用透明导电膜（２８）的导电堆叠膜，在端子部（２０）中，形成有端子用连接配线（１２４）、端子用钼膜（１９６）、端子用透明导电膜（１２８）的导电堆叠膜。像素用连接配线（２４）与端子用连接配线（１２４）在同一步骤中形成，且具有含钛的最上层。此外，像素用钼膜（９６）与端子用钼膜（１９６）在同一步骤中形成，像素用透明导电膜（２８）与端子用透明导电膜（１２８）在同一步骤中形成。此外，也可使用其它可进行湿式蚀刻的导电材料来取代钼膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电性光学装置，特别是涉及具备配置于中央部的像素 部、及用以在周边部安装其它半导体电路或其它配线衬底的端子部的 电性光学装置。10
技术介绍
在如液晶显示装置的电性光学装置中，将进行显示的像素部配置 于中央部，并在其周边部配置用以驱动像素部的电路。在进行驱动的 电路为较大规模或是较为高速的情况等，而必须使用配置有其它半导 体电路或其它配线衬底的半导体电路时，在电性光学装置的周边部设 15 置端子部，并安装其它半导体电路或其它配线衬底。如此，当必须在中央部设置像素部、在周边部设置端子部时，较 佳为在同一步骤中形成像素部及端子部。例如在专利文件1中揭示有一种在显示装置等中，适用于COG(Chip On Glass:玻璃覆晶封装)技术的端子部的形成方法。在此， 20在像素部的形成钼栅极电极的同一步骤中，也在端子部形成钼配线， 在形成像素部的数据线的同一步骤中，也在端子部形成连接配线。之 后，在全面形成保护膜及平坦化层，然后，在像素部中去除数据线上 的平坦化层的同一步骤中，将端子部中比数据线的终端部更外侧的平 坦化层予以去除。之后，在像素部中在保护膜形成接触孔的同一步骤25 中，也在端子部将保护膜相对较宽地予以去除。然后在像素部，在平坦化层上形成与所述接触孔连接的透明导电膜而作为像素电极，在端子部，在连接配线上形成透明导电膜，在其上适用COG技术。在此， 数据线及连接配线使用钼/铝/钼的堆叠结构或钛/铝/钛的堆叠结构，保 护膜使用SixNy(氮化硅)，平坦化层使用丙烯酸树脂，透明导电膜使用 30氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。端子部也使用ITO或IZO，为了在从 端子部的形成至COG的安装为止的显示装置的制造步骤中，可抑制端子部腐蚀的产生和端子部表面的氧化覆膜的形成，可获得COG安装时 的良好的电性连接，以及确保COG安装后的产品的可靠性。专利文件1:日本特开2006-309028号公报5
技术实现思路
(专利技术所期望解决的课题)如上所述，在专利文件1中，像素部的形成中所使用的钼配线、 钼/铝/钼的堆叠结构或钛/铝/钛的堆叠结构、以及透明导电膜，也分别 用于端子部的形成。 10 在此叙述钼系与钛系作为连接配线层，两者各有优缺点。g卩，在钼系中，容易进行湿式蚀刻，并且由环境气体所形成的表面膜为氧化 膜或氢氧化膜，而容易以水等予以去除，但相反的，不易进行干式蚀 亥IJ，因此精细化的程度有所限制。另一方面，钛系可进行干式蚀刻而 有益于精细化，但却容易氧化，例如在其上形成氧化铟锡时，则会由15 于其形成环境气体产生氧化膜等，使界面电阻上升。此外，随着配线及端子部的精细化的进展，虽然如专利文件1所述的SixNy的保护膜，也可通过使用氟系气体的干式蚀刻而形成为期 望的形状，但此时的含氟的反应性成分，作为表面生成物而形成于连 接配线的表面。在连接配线为钼系时，可通过水等的洗净，使这些表 20 面生成物与氢氧化钼膜一同去除，但在钛系时，仅通过水洗净不易予 以去除。如此，为了配线和端子部的精细化，虽然较佳为仍使用钛系连接 配线，但如上述，端子部的连接配线与氧化铟锡之间的界面电阻的增 力口，以及难以去除表面生成物，仍是需要解决的课题。25 本专利技术的目的在于提供一种电性光学装置及电性光学装置制造方法，可抑制随着透明导电膜的形成所造成的界面电阻的增加。此外， 其它目的在于提供一种电性光学装置及电性光学装置制造方法，可容 易将使用氟系气体进行干式蚀刻时所产生的表面生成物予以去除，而 能够抑制界面电阻的增加。以下的手段对于这些目的中至少一项具有30 贡献。(用以解决课题的手段)本专利技术的电性光学装置，具备像素部，配置于中央部；及端子 咅P，用以在周边部安装其它半导体电路或其它配线衬底；而前述端子 部具有由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构端子用连接 配线，具有含钛的最上层；端子用中间膜，是由可进行湿式蚀刻的导 5电材料所构成；以及端子用透明导电膜。上述构成的电性光学装置，在端子部的堆叠结构中，在透明导电 膜与含钛的层之间配置中间膜。由此，相比于直接在含钛的层上形成 透明导电膜，更能够抑制氧化膜的形成并抑制界面电阻的增加。此外，例如在中间膜形成后形成SixNy的保护膜时，由于以氟系 10干式蚀刻所形成的表面生成物也形成于中间膜上，因此容易通过中间 膜表面的湿式蚀刻，或是因情况的不同而通过水等的洗净予以去除。此外，在本专利技术的电性光学装置中，较佳为前述像素部具有由下 层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构像素用连接配线，以与 形成前述端子用连接配线相同的步骤来形成；像素用中间膜，以与形 15成前述端子用中间膜相同的步骤来形成；以及像素用透明导电膜，以 与形成前述端子用透明导电膜相同的步骤来形成。如此，构成像素部的堆叠结构的各层，以与形成构成端子部的堆 叠结构的各层相同的步骤来形成，因此可使形成步骤达成共通化，不 需进行特别步骤而能够同时形成端子部的堆叠结构及像素部的堆叠结 20 构。此外，本专利技术的电性光学装置，具备像素部，配置于中央部； 及端子部，用以在周边部安装其它半导体电路或其它配线衬底；而端 子部具有由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构端子用连 接配线，具有含钛的最上层；端子用保护绝缘层；端子用中间膜，是25用以覆盖露出于形成在前述端子用保护绝缘层的端子用开口部的前述 端子用连接配线的膜，且由可进行湿式蚀刻的导电材料所构成；以及 端子用透明导电膜。根据上述构成，保护绝缘层形成于以含钛的层为最上层的连接配 线上。即，至目前为止的结构与
技术介绍
的结构相同。此时，在端子30 部的堆叠结构中，在透明导电膜与含钛的层之间也配置中间膜。由此， 相比于直接在含钛的层上形成透明导电膜，更能够抑制氧化膜的形成并抑制界面电阻的增加。例如，在形成保护绝缘层前，虽然也可在以含钛的层为最上层的 连接配线形成后继续形成中间膜，但此时可能需要使用连续成膜装置 等。如果根据上述构成，可形成为下列结构使用现有的装置构成以 5 含钛的层为最上层的连接配线及保护绝缘层，且在之后形成透明导电 膜前，在期望抑制界面电阻的端子部，追加性地加上中间膜。由此， 不需使用昂贵的连续成膜装置等，也可抑制端子部的界面电阻的增加。 此外，可形成为在构成端子部的多个端子的全部追加性地加上中间膜 的结构，或是仅在期望抑制界面电阻的既定的端子追加性地加上中间 10膜的结构。此外，在本专利技术的电性光学装置中较佳为，前述像素部具有以下 由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构像素用连接配线， 以与形成前述端子用连接配线相同的步骤来形成；像素用保护绝缘层， 以与形成前述端子用保护绝缘层相同的步骤来形成；以及像素用透明 15导电膜，为用以覆盖露出于形成在前述像素用保护绝缘层的像素用开 口部的前述像素用连接配线的膜，且以与形成前述端子用透明导电膜 相同的步骤来形成；并且前述端子用中间膜在像素部中被去除。根据上述构成，可在端子部形成为包含中间膜的结构，在像素部 形成为不含中间膜的结构。因此，可使像素部的结构形成与
技术介绍
20 相同，并同时可在端子部抑制界面电阻的增加。此外，在本专利技术的电性光学装置中，前述中间膜较期望为钼。钼 系在电性光学装置中被广泛使用，是可以进行湿式蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电性光学装置，其特征在于，具备：像素部；及端子部，用以在前述像素部的周边部安装其它半导体电路或其它配线衬底；而前述端子部具有由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构：端子用连接配线，具有含钛的最上层；端子用中间膜，是由可进行湿式蚀刻的导电材料所构成；以及端子用透明导电膜。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-27 2007-082769;JP 2007-3-27 2007-082768;1、一种电性光学装置，其特征在于，具备像素部；及端子部，用以在前述像素部的周边部安装其它半导体电路或其它配线衬底；而前述端子部具有由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构端子用连接配线，具有含钛的最上层；端子用中间膜，是由可进行湿式蚀刻的导电材料所构成；以及端子用透明导电膜。2、 根据权利要求l所述的电性光学装置，其特征在于，前述像素 部具有由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构像素用连接配线，以与形成前述端子用连接配线相同的步骤来形成；像素用中间膜，以与形成前述端子用中间膜相同的步骤来形成；以及像素用透明导电膜，以与形成前述端子用透明导电膜相同的步骤 20 来形成。3、 根据权利要求l所述的电性光学装置，其特征在于，前述端子 用中间膜是钼。4、根据权利要求l所述的电性光学装置，其特征在于，前述端子用中间膜是氧化铟锌或氧化铟锡。5、 根据权利要求2所述的电性光学装置，其特征在于，前述像素 用中间膜是钼。6、 根据权利要求2所述的电性光学装置，其特征在于，前述像素用中间膜是氧化铟锌或氧化铟锡。7、 一种电性光学装置，其特征在于，具备 像素部；及5 端子部，用以在前述像素部的周边部安装其它半导体电路或其它配线衬底；而端子部具有由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构 端子用连接配线，具有含钛的最上层； 端子用保护绝缘层； 10 端子用中间膜，是用以覆盖露出于形成在前述端子用保护绝缘层的端子用开口部的前述端子用连接配线的膜，且由可进行湿式蚀刻的导电材料所构成；以及 端子用透明导电膜。158、根据权利要求7所述的电性光学装置，其特征在于，前述像素部具有由下层侧向上层侧依序堆叠下列构件的堆叠结构像素用连接配线，以与形成前述端子用连接配...

【专利技术属性】
技术研发人员：小田信彦，石田聪，青田雅明，平田朋贤，坂井一善，高须康辅，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]