一种OLED封装层及其OLED器件和制备方法技术

本发明专利技术提供了一种OLED封装层及其OLED器件和制备方法，所述OLED封装层包括由Se和MgF2薄膜组成的Se/MgF2双层膜结构；本发明专利技术的Se/MgF2双层膜封装层中，硒（Se）具有较低的蒸镀温度，结构致密并且在水汽和氧气环境中稳定，具有良好的热稳定性；氟化镁（MgF2）具有良好的热稳定性，较低的折射率和较宽的透光范围；本发明专利技术实现了OLED器件在高真空条件下的原位封装，即器件在蒸镀完成之后接着蒸镀封装层。

【技术实现步骤摘要】
—种OLED封装层及其OLED器件和制备方法
本专利技术涉及OLED
，特别涉及一种OLED封装层及其OLED器件和制备方法。
技术介绍
现代通信技术中，显示技术起着非常重要的作用，随着手机、数码相机、掌上电脑等信息产品的普及，清晰、轻便的显示器成为人们关注的焦点问题之一。OLED相对于现有的显示技术来说，有着许多无法比拟的优势。有机发光器件(简称OLED，Organic LightEmitting Device)是一种在外加电场驱动下,通过载流子在有机发光层的注入和复合而导致有机材料发光的显示器件。OLED是继CRT、PDP、IXD之后的新一代平板显示技术，并且凭 借其优异的光特性和低功耗特性脱颖而出。OLED发光层的有机材料，大多数对大气中的污染物、氧气以及水汽都十分敏感，一方面氧气直接就是三线态的淬灭剂，明显降低了发光量子效率；另一方面，氧气与发光层发生氧化反应所生成的羰基化合物也是有效的淬灭剂；再加上有机层厚度一般很小，一旦发光材料变质就会形成黑点，随着工作时间的延长，会造成大量不发光区域。而水汽会使有机层化合物发生水解，严重影响其导电性能，大大降低了器件的稳定性。同时，为了有效的进行电子传输，OLED的阴极材料的功函数必须很低，因此OLED阴极材料几乎全是碱金属或碱土金属元素，这些活泼金属极易在空气中或其他含氧的气氛中受到侵蚀，尤其是在含有水汽的环境中，更容易发生电化学腐蚀。而且OLED阴极材料，多采用物理气相沉积法，微小的灰尘颗粒粘附在有机层上，都极易使阴极材料产生针孔，从而成为水汽、氧气与有机功能层接触的通道。还有OLED工作时产生的热量会进一步加剧OLED器件中的发光材料、辅助材料、电极等在空气中的老化，进而影响器件的使用寿命。因此OLED的封装技术也是提高OLED性能的关键制程，而研究与开发有效的封装技术，阻隔水汽和氧气也就极为紧迫和重要。传统的OLED器件的封装大都采用盒盖方式，材料主要为金属、玻璃等(见附图I)。这种封装方式一般是给器件加一个盖板，并在盖板内侧贴附干燥剂，再通过环氧树脂等密封胶将基板和盖板相结合。这种封装方法虽然大大提高了 OLED的寿命，但由于封装盖多为脆性材料，易产生裂纹，而且由于UV固化胶的水氧阻隔性不是很理想，再加上封装后器件厚重，不能满足现代对OLED的轻巧、可曲折性的要求，因此目前的研究热点是对OLED采用薄膜封装(Thin Film Encapsulation, TFE)。薄膜封装具体包括两大类一类是SixN类无机薄膜，另一类是树脂或塑料类有机薄膜(见附图2)。这两类都可以用于柔性显示器件的封装。Hiroshi Nakayama等(HiroshiNakayama, Michihiro Ito. Thin Solid Films, 519，(2011) :4483 - 4486.)通过有机催化CVD法(O-Cat-CVD)在PEN基板上(甲基硅烷MMS、NH3、H2)生长IOOnm厚的单层SiNG薄膜，有效的简化了封装材料的结构；Young Gu Lee 等(Young Gu Lee, Yun-Hyuk Choi, In SeoKee, et al. Organic Electronics. 2009, 7 (15) : 1352-1355.)通过磁控灘射沉积 Al2O3 层、蒸汽缩合合成聚脲层，组成5对聚脲(20nm)/Al2O3 (50nm)结构封装TEOLED。起始亮度为1000cd/m2时，其寿命为玻璃封装时的86%，约为2570h，而且WVTR为5Xl(T4g/m2/day。随着薄膜封装技术的发展，又出现了同时采用有机和无机两种薄膜封装材料的情况。这种封装工艺效果较好，但是由于采用有机/无机薄膜交替封装方式，导致了封装工艺的复杂和难以控制。总体来看传统的盒盖封装技术与薄膜封装技术都有一定的缺陷，封装技术已经成为OLED器件产业化的瓶颈之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED封装层及其OLED器件和制备方法，以提高器件的使用寿命。为实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是一种OLED封装层，包括氟化镁薄膜和设置于氟化镁薄膜上的硒薄膜；所述氟化镁 薄膜设置于OLED器件的阴极上。本专利技术进一步的改进在于氟化镁薄膜的厚度为150-250nm ;硒薄膜的厚度为5_15nm0本专利技术进一步的改进在于氟化镁薄膜的厚度为150-200nm ;砸薄膜的厚度为5_15nm0本专利技术进一步的改进在于氟化镁薄膜的厚度为200nm，硒薄膜的厚度为10nm。本专利技术进一步的改进在于氟化镁薄膜真空蒸镀在和OLED器件的阴极表面；硒薄膜真空蒸镀于氟化镁薄膜表面；真空蒸镀时的气压为3X10_3Pa。本专利技术进一步的改进在于蒸镀硒薄膜、氟化镁薄膜时，蒸镀温度分别为95、900。。。OLED器件，包括ITO导电玻璃基板和依次形成于玻璃基板上的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；阴极上真空蒸镀形成有OLED封装层。OLED器件的制备方法，包括以下步骤步骤一、ITO玻璃基板的处理先将ITO导电玻璃基板清洗干净、活化；步骤二、OLED器件制备将步骤一处理过的ITO导电玻璃基板，放置于有机腔体内，在气压为3X10_3Pa的条件下，依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；步骤三、封装层的蒸镀蒸镀完阴极后，在阴极表面蒸镀OLED封装层，OLED封装层中氟化镁薄膜的厚度为200nm，硒薄膜厚度为10nm，其中氟化镁薄膜直接蒸镀在阴极上，硒薄膜蒸镀在氟化镁薄膜上。本专利技术进一步的改进在于步骤一中，所述阴极为Al阴极。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点本专利技术的Se/MgF2双层膜封装层中，硒(Se)具有较低的蒸镀温度，结构致密并且在水汽和氧气环境中稳定，具有良好的热稳定性；氟化镁(MgF2)具有良好的热稳定性，较低的折射率和较宽的透光范围；本专利技术实现了 OLED器件在高真空条件下的原位封装，即器件在蒸镀完成之后接着蒸镀封装层。附图说明图I :为OLED传统的盒盖式封装示意图。图2 :为图OLED的薄膜封装示意图。图3 :为本专利技术中Se/MgF2双层膜作为封装层时结构示意图，其中Mg层和Cu电极是为了测试封装后薄膜的性能而另外蒸镀上去的。图4 :为本专利技术中采用Se/MgF2双层膜封装后器件的结构示意图。图5 :为本专利技术中不同厚度MgF2薄膜的Mg电阻变化率，进而可以确定最佳厚度的MgF2 层。图6 :为本专利技术中器件A (未封装)和器件B (封装Se/MgF2薄膜)的电流密度-电压特性曲线图。图7 :为本专利技术中器件A (未封装)和器件B (封装Se/MgF2薄膜)的电致发光光谱图。图8 :为本专利技术中器件A (未封装)和器件B (封装Se/MgF2薄膜)的亮度-时间曲线图。图I中，10为玻璃或金属盖板；20为OLED工作层；30为干燥机；40为环氧树脂；50为玻璃基板；图2中，60为OLED器件层；70为阻隔层；80为挠性聚合物、玻璃或金属基板。具体实施方式请参阅图3至图7所示，下面结合附图对本专利技术进行详细描述请参阅图4所示，本专利技术一种OLED器件，包括ITO导电玻璃基板(阳极)和依次形成于ITO导电玻璃基板的空穴注入层、空穴传输层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED封装层，其特征在于，包括氟化镁薄膜和设置于氟化镁薄膜上的硒薄膜；所述氟化镁薄膜设置于OLED器件的阴极上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高淑雅，吕磊，孔祥朝，陈维铅，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：