有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，所述有机发光显示装置包括：TFT，包括有源层、包括下栅极和上栅极的栅极以及与栅极绝缘并接触有源层的源极和漏极；有机发光器件，电连接到TFT并包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的像素电极；焊盘电极，电结合到TFT或有机发光器件，并且包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的第一焊盘电极、形成在与形成有上栅极的层相同的层中的第二焊盘电极和包括透明导电氧化物的第三焊盘电极，第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极顺序地堆叠。

【技术实现步骤摘要】

下面的描述涉及一种有机发光显示装置以及ー种制造该有机发光显示装置的方法，更具体地说，涉及ー种制造简单并且包括耐腐蚀性提高且电阻降低的焊盘部分的有机发光显示装置以及ー种制造该有机发光显示装置的方法。
技术介绍
在基底上制造诸如有机发光显示装置和液晶显示器(LCD)的平板显示器，所述基底上形成有包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及将TFT连接到电容器的布线的图案。通常，为了形成包括TFT等的精细图案，通过使用绘制有精细图案的掩模来将精细图案转印到用 于制造平板显示器的基底上。然而，在使用掩模来转印图案的过程中，首先制备绘制有所需图案的掩模。因此，随着使用掩模的エ艺的数量増加，制备所用掩模的制造成本増加。此外，由于上述复杂的エ艺而使制造エ艺复杂，并且增加了制造时间，导致制造成本增加。
技术实现思路
本专利技术实施例的一方面提出了一种制造简单并包括提高了耐腐蚀性并降低了电阻的焊盘部分的有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。根据本专利技术的实施例，提供了一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括薄膜晶体管(TFT)，包括有源层和与有源层绝缘的栅极，所述栅极包括下栅极和上栅扱，TFT还包括均与栅极绝缘并接触有源层的源极和漏极；有机发光器件，电连接到TFT并包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的像素电极、包括发射层的中间层和对向电极，其中，像素电极、中间层和对向电极顺序地堆叠；焊盘电极，电结合到TFT或有机发光器件，并且包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的第一焊盘电极、形成在与形成有上栅极的层相同的层中的第二焊盘电极和包括透明导电氧化物的第三焊盘电极，其中，第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极顺序地堆叠。有机发光显示装置还可包括覆盖栅极和焊盘电极的至少ー个绝缘层，其中，绝缘层具有不暴露焊盘电极的边缘并且暴露焊盘电极的至少中心部分的孔。焊盘电极的经所述孔暴露的部分可电连接到供应电流的驱动器集成电路(IC)，以驱动有机发光显示装置。源极和漏极可布置在所述至少一个绝缘层的上表面上。第三焊盘电极可包括多晶氧化铟锡(p-ITO)。下栅极、像素电极和第一焊盘电极可包括透明导电氧化物。上栅极和第二焊盘电极可包括从银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钼(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钥(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、Moff 和铜(Cu)中选择的至少ー种。有机发光显示装置还可包括电容器，所述电容器包括形成在与形成有有源层的层相同的层中的下电容器电极和形成在与形成有栅极的层相同的层中的上电容器电极，电容器电结合到TFT。根据本专利技术的另ー实施例，提供了一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括下述步骤第一掩模エ艺，在基底上形成薄膜晶体管(TFT)的有源层；第二掩模エ艺，在有源层的上表面上顺序地堆叠第一绝缘层、第一导电层、第二导电层和第三导电层，然后将第一导电层、第二导电层和第三导电层图案化以形成栅极(包括用作下栅极的第一导电层和用作上栅极的第二导电层)、第一电极图案(包括第一导电层和第二导电层)和焊盘电极(包括用作第一焊盘电极的第一导电层、用作第二焊盘电极的第二导电层和用作第三焊盘电极的第三导电层)；第三掩模エ艺，在栅极、第一电极图案和焊盘电极的上表面上形成第二绝缘层，然后通过将第一绝缘层和第二绝缘层图案化来形成暴露有源层的一部分的第 一孔，并通过将第二绝缘层图案化来形成暴露第一电极图案和焊盘电极的至少一部分的第二孔；第四掩模エ艺，形成经所述第一孔接触有源层的源极和漏极，并由第一电极图案形成像素电极；第五掩模エ艺，形成暴露像素电极的至少一部分的像素限定层。第二掩模エ艺可包括在有源层的上表面上顺序地堆叠第一绝缘层、第一导电层、第二导电层和第三导电层；通过使用半色调掩模形成第一感光层图案，第一感光层图案在对应于栅极和第一电极图案的第一区域中具有第一厚度，并且在对应于焊盘电极的第二区域中具有大于第一厚度的第二厚度；通过使用第一感光层图案作为掩模来形成栅极、第一电极图案和焊盘电极，在栅极、第一电极图案和焊盘电极中顺序地堆叠第一导电层、第二导电层和第三导电层中的每个；通过将第一感光层图案去除第一厚度那么多来形成在第二区域中具有第三厚度的第二感光层图案；通过使用第二感光层图案作为掩模去除位于第一区域的上部中的第三导电层，以形成栅极、第一电极图案和焊盘电极，所述栅极包括用作下栅极的第一导电层和用作上栅极的第二导电层，第一电极图案包括第一导电层和第二导电层，焊盘电极包括用作第一焊盘电极的第一导电层、用作第二焊盘电极的第二导电层和用作第三焊盘电极的第三导电层。所述方法还可包括在第二掩模エ艺之后且在第三掩模エ艺之前，通过使第三焊盘电极退火来产生多晶氧化铟锡(P-ITO)。所述方法还可包括在第二掩模エ艺之后且在第三掩模エ艺之前，通过对有源层掺杂杂质来形成源区和漏区。在第三掩模エ艺中，第二孔可形成在第二绝缘层中，从而不暴露焊盘电极的边缘并且暴露焊盘电极的至少中心部分。焊盘电极的经第二孔暴露的部分可电连接到供应电流的驱动器1C，以驱动有机发光显示装置。第四掩模エ艺可包括在第二绝缘层上形成第四导电层；通过将第四导电层图案化来形成源极和漏扱；通过去除构成第一电极图案的第二导电层来形成包括第一导电层的像素电极。第一掩模エ艺还可包括在与形成有有源层的层相同的层中形成下电容器电极。第ニ掩模エ艺还可包括在下电容器电极的上表面上形成上电容器电极。所述方法还可包括在第五掩模エ艺之后，在像素电极的上表面上形成包括发射层的中间层和对向电极。附图说明通过參照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，本专利技术的上述和其它特征和优点将变得更加清楚，在附图中图I是根据本专利技术实施例的有机发光显示装置的平面图；图2是沿图I中的线11-11’截取的剖视图；图3至图14是描述制造图2中的有机发光显示装置的方法的剖视图。 具体实施例方式由于本专利技术允许各种变化和大量的实施例，所以将在附图中示出具体的实施例并在说明书中对这些具体的实施例进行详细描述。然而，这并不意图将本专利技术限制为实践的具体形式，而应当理解的是，未脱离本专利技术的精神和技术范围的全部改变、等同物和替代物均包括在本专利技术中。在以下对本专利技术的描述中，对于那些被认为会使本专利技术的特征不清楚的公开的技术，将不会提供详细的描述。虽然可使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这些组件不是必须受到上述术语的限制。上述术语仅用于将ー个组件与另ー组件区分开来。在本说明书中使用的术语仅用于描述特定的实施例，而不意图限制本专利技术。除非在上下文中具有清楚的区别，否则以单数使用的表述包括了复数的表述。在本说明书中，应当理解的是，诸如“包括”或“具有”等的术语意图表示存在说明书中公开的特征、数量、步骤、动作、组件、部分或它们的组合，并且不意图排除可以存在或可以添加一个或多个其它特征、数量、步骤、动作、组件、部分或它们的组合的可能性。现在将參照附图更充分地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。 图I是根据本专利技术实施例的有机发光显示装置I的平面图。參照图1，有机发光显示装置I包括具有多个发光像素的第一基底10和通过密封附着到第一基底10的第二基底20。薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：薄膜晶体管，包括有源层和与有源层绝缘的栅极，所述栅极包括下栅极和上栅极，薄膜晶体管还包括均与栅极绝缘并接触有源层的源极和漏极；有机发光器件，电连接到薄膜晶体管并包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的像素电极、包括发射层的中间层和对向电极，其中，像素电极、中间层和对向电极顺序地堆叠；焊盘电极，电结合到薄膜晶体管或有机发光器件，并且包括形成在与形成有下栅极的层相同的层中的第一焊盘电极、形成在与形成有上栅极的层相同的层中的第二焊盘电极和包括透明导电氧化物的第三焊盘电极，其中，第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极顺序地堆叠。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔钟炫，吴在焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：