发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法。该发光结构包括第一空穴注入层、第一有机发光层、电荷产生层、第二空穴注入层、第二有机发光层、电子传输层以及阻挡元件。发光结构具有第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。第一有机发光层可位于所述第一空穴注入层上。电荷产生层可位于所述第一有机发光层上。第二空穴注入层可位于所述电荷产生层上。第二有机发光层可位于所述第二空穴注入层上。电子传输层可位于所述第二有机发光层上。阻挡元件可位于所述第一至第三子像素区至少之一处。

【技术实现步骤摘要】
发光结构、包括发光结构的显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2011年6月29日提交的第10-2011-0063644号韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用而整体合并于此。
本专利技术的示例实施例涉及发光结构、包括发光结构的显示装置以及制造包括发光结构的显示装置的方法。
技术介绍
有机发光显示(OLED)装置利用由其中的有机层产生的光来显示诸如图像和字符之类的信息。关于有机发光显示装置，光可通过在阳极和阴极之间的有机层处发生的来自阳极的空穴和来自阴极的电子的结合而产生。在诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示(PDP)装置和场发射显示(FED)装置之类的各种显示装置中，有机发光显示装置具有诸如视角宽、响应时间快、厚度薄以及功耗低等的特点，从而有机发光显示装置广泛应用于各种电气和电子设备中，例如电视机、监视器、移动通讯装置、MP3播放器、便携式显示装置等等。近年来，有机发光显示装置已经被视为最有前景的下一代显示装置之一。在常规的有机发光显示装置中，由电极提供的电子和空穴可在有机层处被重新结合以产生激子，从而具有特定波长的光可由激子的能量产生以显示图像。虽然有机发光显示装置可具有单层结构、多层结构或颜色转换结构，不过多层结构被广泛应用于有机发光显示装置中。多层结构可包括分别发射红光、绿光和蓝光的有机层，因此红光、绿光和蓝光可被结合以产生白光。然而，常规的有机发光显示器可能具有例如有机层的相对低的功能稳定性和光的低的色纯度的一些缺点。即使可将彩色滤光片布置在有机层上方来改善光的色纯度，制造工艺也可能复杂且用于显示装置的制造成本也可能增加。进一步，常规的有机发光显示装置可能由于彩色滤光片而具有低的发光效率。
技术实现思路
本专利技术的示例实施例致力于一种具有改善的色纯度、增强的颜色再现性以及增加的亮度的发光结构。本专利技术的示例实施例致力于一种能够显示具有改善的色纯度和增强的亮度的高分辨率图像的显示装置。本专利技术的示例实施例致力于一种制造能够显示具有改善的色纯度和增加的亮度的高分辨率图像的显示装置的方法。根据示例实施例，发光结构包括第一空穴注入层、第一有机发光层、电荷产生层、第二空穴注入层、第二有机发光层、电子传输层以及阻挡元件。发光结构可被划分为第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。第一有机发光层可位于所述第一空穴注入层上。电荷产生层可位于所述第一有机发光层上。第二空穴注入层可位于所述电荷产生层上。第二有机发光层可位于所述第二空穴注入层上。电子传输层可位于所述第二有机发光层上。阻挡元件可位于所述第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区至少之一个。在示例实施例中，所述第一子像素区中的第一光学谐振距离、所述第二子像素区中的第二光学谐振距离和所述第三子像素区中的第三光学谐振距离可以彼此不同。在示例实施例中，发光结构可包括在所述第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区至少之一处的光程控制绝缘层。在示例实施例中，所述光程控制绝缘层可位于所述第一空穴注入层的下方。在示例实施例中，所述光程控制绝缘层可在邻近的子像素区中具有不同的厚度。在示例实施例中，所述光程控制绝缘层可包括与所述第一空穴注入层的材料相同的材料。在示例实施例中，所述第一光学谐振距离可被调节以产生由所述第一有机发光层或第二有机发光层发射的红光的光学谐振，所述第二光学谐振距离可被调节以产生由所述第一有机发光层或第二有机发光层发射的绿光的光学谐振，并且所述第三光学谐振距离可被调节以产生由所述第一有机发光层或第二有机发光层发射的蓝光的光学谐振。在示例实施例中，所述第一有机发光层可包括蓝光发射膜，并且所述第二有机发光层可包括绿光发射膜和红光发射膜或适于发射绿光和红光的单个发光膜。在示例实施例中，所述阻挡元件在所述第一子像素区处可位于所述第二空穴注入层和所述第一有机发光层之间，所述阻挡元件可适于阻止电子在所述第一子像素区从所述第二空穴注入层到所述第一有机发光层的迁移。在示例实施例中，所述阻挡元件在第一子像素区处可位于所述电荷产生层和所述第一有机发光层之间，所述阻挡元件适于在所述第一子像素区处阻止在所述第一有机发光层产生的激子的迁移。在示例实施例中，所述第一有机发光层可包括绿光发射膜和红光发射膜或用于发射绿光和红光的单个发光膜，并且所述第二有机发光层可包括蓝光发射膜。在示例实施例中，所述阻挡元件在所述第一子像素区处可位于所述第二空穴注入层和所述第二有机发光层之间，并且所述阻挡元件可适于阻止在所述第一子像素区处电子到所述第二有机发光层的迁移。在示例实施例中，所述阻挡元件在第一子像素区处可位于所述电子传输层和所述第二有机发光层之间，并且所述阻挡元件可适于阻止在所述第一子像素区处由所述第二有机发光层产生的激子的迁移。在示例实施例中，所述阻挡元件可包括电子阻挡层或激子猝熄层。在示例实施例中，所述阻挡元件可包括从以下各项所组成的组中选择的至少一个：富勒烯、包括取代三芳基胺的聚合物、咔唑类聚合物、1，1-双(4-(N，N-二-对-甲苯氨基)苯基)环己烷(TAPC)、1，1-双(4-(N，N-二-对-甲苯氨基)苯基)环戊烷、4，4′-(9H-芴-9-亚基)双[N，N-双(4-甲基苯基)-苯胺、1，1-双(4-(N，N-二-对-甲苯氨基)苯基)-4-苯基环己烷、1，1-双(4-(N，N-二-对-甲苯氨基)苯基)-4-甲基环己烷、1，1-双(4-(N，N-二-对-甲苯氨基)苯基)-3-苯基丙烷、双[4-(N，N-二乙氨基)-2-甲基苯基](4-甲基戊基)甲烷、双[4-(N，N-二乙氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)乙烷、4-(4-二乙氨基苯基)三苯基甲烷、4，4′-双(4-二乙氨基苯基)二苯基甲烷、N，N-双[2，5-二甲基-4-[(3-甲基苯基)苯基氨基]苯基]-2，5-二甲基-N′-(3-甲基苯基)-N′-苯基-1，4-苯二胺、4-(9H-咔唑-9-基)-N，N-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-苯胺(TCTA)、4-(3-苯基-9H-咔唑-9-基)-N，N-双[4(3-苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]-苯胺、9，9′-(2，2′-二甲基[1，1′-二苯基]-4，4′-二基)双-9H-咔唑(CDBP)、9，9′-[1，1′-二苯基]-4，4′-二基)双-9H-咔唑(CBP)、9，9′-(1，3-亚苯基)双-9H-咔唑(mCP)、9，9′-(1，4-亚苯基)双-9H-咔唑、9，9′，9″-(1，3，5-苯三基)三-9H-咔唑、9，9′-(1，4-亚苯基)双[N，N，N′，N′-四苯基-9H-咔唑-3，6-二胺、9-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N-二苯基-9H-咔唑-3-胺、9，9′-(1，4-亚苯基)双[N，N-二苯基-9H-咔唑-3-胺、9-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N，N，N′，N′-四苯基-9H-咔唑-3，6-二胺、9-苯基-9H-咔唑，等等。根据示例实施例，显示装置包括基板、第一电极、发光结构以及第二电极。基板可包括第一子像素区、第二子像素区以及第三子像素区。第一电极可位于所述基板上。发光结构可位于所述第一电极上。所述发光结构可包括在第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区至少之一处的阻挡元件。第二电极可位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光结构，具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，该发光结构包括：第一空穴注入层；在所述第一空穴注入层上的第一有机发光层；在所述第一有机发光层上的电荷产生层；在所述电荷产生层上的第二空穴注入层；在所述第二空穴注入层上的第二有机发光层；在所述第二有机发光层上的电子传输层；以及在所述第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区至少之一处的阻挡元件。

【技术特征摘要】
2011.06.29 KR 10-2011-00636441.一种发光结构，具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区，该发光结构包括：至少在所述第一子像素区处位于第一电极上的光程控制绝缘层；在所述第一子像素区和所述第二子像素区处位于所述光程控制绝缘层上、并在所述第三子像素区处位于所述第一电极上的第一空穴注入层；在所述第一空穴注入层上的第一有机发光层；在所述第一有机发光层上的电荷产生层；在所述电荷产生层上的第二空穴注入层；在所述第二空穴注入层上的第二有机发光层；在所述第二有机发光层上的电子传输层；以及在所述第一子像素区处的阻挡元件；其中所述第一子像素区中的第一光学谐振距离、所述第二子像素区中的第二光学谐振距离和所述第三子像素区中的第三光学谐振距离彼此不同；其中所述第一光学谐振距离与所述第二光学谐振距离之间的差异由在所述第一子像素区的所述阻挡元件的厚度以及在所述第一子像素区和所述第二子像素区的所述光程控制绝缘层的厚度确定；并且其中所述阻挡元件包括电子阻挡层或激子猝熄层。2.根据权利要求1所述的发光结构，其中所述光程控制绝缘层在邻近的子像素区中具有不同的厚度。3.根据权利要求1所述的发光结构，其中所述光程控制绝缘层包括与所述第一空穴注入层的材料相同的材料。4.根据权利要求1所述的发光结构，其中所述第一光学谐振距离被调节以产生由所述第一有机发光层或所述第二有机发光层发射的红光的光学谐振，所述第二光学谐振距离被调节以产生由所述第一有机发光层或所述第二有机发光层发射的绿光的光学谐振，并且所述第三光学谐振距离被调节以产生由所述第一有机发光层或所述第二有机发光层发射的蓝光的光学谐振。5.根据权利要求4所述的发光结构，其中所述第一有机发光层包括蓝光发射膜，并且其中所述第二有机发光层包括绿光发射膜和红光发射膜或适于发射绿光和红光的单个发光膜。6.根据权利要求5所述的发光结构，其中所述阻挡元件在所述第一子像素区处位于所述电荷产生层和所述第一有机发光层之间，所述阻挡元件适于阻止电子在所述第一子像素区从所述电荷产生层到所述第一有机发光层的迁移。7.根据权利要求5所述的发光结构，其中所述阻挡元件在所述第一子像素区处位于所述第一空穴注入层和所述第一有机发光层之间，所述阻挡元件适于阻止在所述第一子像素区处由所述第一有机发光层产生的激子的迁移。8.根据权利要求4所述的发光结构，其中所述第一有机发光层包括绿光发射膜和红光发射膜或适于发射绿光和红光的单个发光膜，并且其中所述第二有机发光层包括蓝光发射膜。9.根据权利要求8所述的发光结构，其中所述阻挡元件在所述第一子像素区处位于所述电子传输层和所述第二有机发光层之间，所述阻挡元件适于阻止电子在所述第一子像素区处到所述第二有机发光层的迁移。10.根据权利要求8所述的发光结构，其中所述阻挡元件在所述第一子像素区处位于所述第二空穴注入层和所述第二有机发光层之间，所述阻挡元件适于阻止在所述第一子像素区处由所述第二有机发光层产生的激子的迁移。11.根据权利要求1所述的发光结构，所述阻挡元件包括从以下各项所组成的组中选择的至少一个：富勒烯、包括取代三芳基胺的聚合物、咔唑类聚合物、1,1-双(4-(N,N-二-对-甲苯氨基)苯基)环己烷、1,1-双(4-(N,N-二-对-甲苯氨基)苯基)环戊烷、4,4′-(9H-芴-9-亚基)双[N,N-双(4-甲基苯基)-苯胺、1,1-双(4-(N,N-二-对-甲苯氨基)苯基)-4-苯基环己烷、1,1-双(4-(N,N-二-对-甲苯氨基)苯基)-4-甲基环己烷、1,1-双(4-(N,N-二-对-甲苯氨基)苯基)-3-苯基丙烷、双[4-(N,N-二乙氨基)-2-甲基苯基](4-甲基戊基)甲烷、双[4-(N,N-二乙氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)乙烷、4-(4-二乙氨基苯基)三苯基甲烷、4,4′-双(4-二乙氨基苯基)二苯基甲烷、N,N-双[2,5-二甲基-4-[(3-甲基苯基)苯基氨基]苯基]-2,5-二甲基-N′-(3-甲基苯基)-N′-苯基-1,4-苯二胺、4-(9H-咔唑-9-基)-N,N-双[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-苯胺、4-(3-苯基-9H-咔唑-9-基)-N,N-双[4(3-苯基-9H-咔唑-9-基)苯基]-苯胺、9,9′-(2,2′-二甲基[1,1′-二苯基]-4,4′-二基)双-9H-咔唑、9,9′-[1,1′-二苯基]-4,4′-二基)双-9H-咔唑、9,9′-(1,3-亚苯基)双-9H-咔唑、9,9′-(1,4-亚苯基)双-9H-咔唑、9,9′,9″-(1,3,5-苯三基)三-9H-咔唑、9,9′-(1,4-亚苯基)双[N,N,N′,N′-四苯基-9H-咔唑-3,6-二胺、9-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N-二苯基-9H-咔唑-3-胺、9,9′-(1,4-亚苯基)双[N,N-二苯基-9H-咔唑-3-胺、9-[4-(9H-咔唑-9-基)苯基]-N,N,N′,N′-四苯基-9H-咔唑-3,6-二胺、和9-苯基-9H-咔唑。12.一种显示装置，包括：具有第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区的基板；在所述基板上的第一电极；在所述第一电极上的发光结构，所述发光结构包括在所述第一子像素区处的阻挡元件；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李圣秀，宋沃根，金世一，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：