有机电致发光器件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光层以及阴极，此外，该有机电致发光器件还包括至少一层封装膜，封装膜包括形成在阴极上的硅氧化合物膜、形成在硅氧化合物膜上的氮硅化合物膜、以及形成在氮硅化合物膜上的由硫系或氮系的金属或类金属形成的单质膜。该有机电致发光器件充分利用硅氧化合物、氮硅化合物、单质膜的高阻水、阻氧性能，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著提高有机电致发光器件的寿命。此外，本发明专利技术还涉及一种有机电致发光器件的制作方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电
，尤其涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件(OLED)虽然仍处于研发阶段，但其性能优异，不但具备可弯曲、柔软等特性，在薄如糖果纸的OLED上任意打洞，也无损其维持正常发光的性能，甚至可以任意裁切，也因此能免于灯泡打破等情形发生。此外，就技术层面而言，发光二极管(LED)发热量大，需要散热机制，但OLED却不需要。研究发现，将OLED灯与荧光灯一起点亮，荧光灯温度会从室温升高至50°C，而OLED灯点亮后温度仅从20°C升高为30°C，可免除使用者烫手的危险，较符合安全考虑。 但传统的有机电致发光器件普遍存在使用寿命较短的缺陷，限制了其进一步应用。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种使用寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光层以及阴极，此外，该有机电致发光器件还包括封装膜，所述封装膜包括形成在所述阴极上的硅氧化合物膜、形成在所述硅氧化合物膜上的氮硅化合物膜、以及形成在所述氮硅化合物膜上的由硫系或氮系的金属或类金属形成的单质膜。优选的，所述硅氧化合物为SiO或SiO2 ;所述氮硅化合物为SiN或Si3N4 ;所述硫系或氮系的金属或类金属为Se、Te或Sb。优选的，所述硅氧化合物膜厚度为100 150nm ;所述氮硅化合物膜厚度为100 150nm ;所述单质膜的厚度为100 150nm。优选的，该有机电致发光器件还包括涂覆在所述单质膜上并覆盖所述发光层、阴极以及封装膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，所述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜与所述阳极导电基板密封接合。优选的，该有机电致发光器件还包括覆盖在所述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜上的Al膜。优选的，该有机电致发光器件还包括依次形成在所述阳极导电基板与所述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层、以及依次形成在所述发光层与阴极之间的电子传输层和电子注入层。上述有机电致发光器件充分利用硅氧化合物、氮硅化合物、单质膜的高阻水、阻氧性能，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著提高有机电致发光器件的寿命。一种有机电致发光器件的制作方法，包括如下步骤在导电基板上制备有机电致发光器件的阳极图形，形成阳极导电基板；在所述阳极导电基板上依次沉积发光层和阴极；在所述阴极上依次沉积硅氧化合物膜和氮硅化合物膜；在所述氮硅化合物膜上沉积硫系或氮系的金属或类金属形成单质膜膜。优选的，所述硅氧化合物膜为厚度100 150nm的SiO膜或SiO2膜；所述氮硅化合物膜为厚度100 150nm的SiN膜或Si3N4膜；所述单质膜为厚度100 150nm的Se膜、Te膜或Sb膜。优选的，上述制作方法还包括在所述单质膜上涂覆含Al膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，使所述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜覆盖所述发光层、阴极以及封装膜并与所述阳极导电基板密封对接的步骤。 优选的，上述制作方法还包括在所述阳极导电基板与所述发光层之间依次形成空穴注入层和空穴传输层、以及在所述发光层与阴极之间依次形成电子传输层和电子注入层的步骤。上述有机电致发光器件的制作方法，采用的封装材料廉价，制备工艺简单，易大面积制备，制得的有机电致发光器件使用寿命显著提高。附图说明图I为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图2为另一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图3为实施例I、实施例2和实施例3的有机电致发光器件的使用寿命对比曲线图。具体实施方式下面主要接合附图及具体实施例对作进一步详细的说明。如图I所不,一实施方式的有机电致发光器件100,包括依次层叠的阳极导电基板110、发光层120以及阴极130。本实施方式的有机电致发光器件100还包括一层封装膜140。阳极导电基板110为表面刻蚀有阳极图案的导电玻璃基板或有机PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜基板。阴极130采用导电性能良好的金属或合金材料，如铝、银、金和钙等金属中的至少一种。封装膜140包括形成在阴极130上的硅氧化合物膜142、形成在硅氧化合物膜142上的氮硅化合物膜144、以及形成在氮硅化合物膜144上的由硫系或氮系的金属或类金属形成的单质膜146。本实施方式的硅氧化合物为SiO或SiO2 ;氮硅化合物为SiN或Si3N4 ;硫系或氮系的金属或类金属可以为As、Se、Te、Sb或Po等金属或类金属，优选为Se、Te或Sb。且硅氧化合物膜厚度为100 150nm ;氮硅化合物膜厚度为100 150nm ;单质膜的厚度为100 150nmo此外，本实施方式的有机电致发光器件100还包括涂覆在单质膜146上并覆盖发光层120、阴极130以及封装膜140的PET膜150。PET膜150与阳极导电基板110之间采用环氧树脂等密封胶密封对接。进一步，本实施方式的PET膜150表面还覆盖有一层防水氧能力很强的金属Al膜，Al膜厚度为60 110nm。该有机电致发光器件100充分利用硅氧化合物、氮硅化合物、单质膜的高阻水、阻氧性能，有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件100的侵蚀，从而对器件100的有机功能材料及电极形成有效的保护，显著提高有机电致发光器件100的寿命。同时，硅氧化合物和氮硅化合物复合层可以有效减小应力，增强有机电致发光器件100的柔性特征。一种上述有机电致发光器件100的制作方法，包括如下步骤步骤一在导电基板上制备有机电致发光器件的阳极图形，形成阳极导电基板 110。阳极导电基板110为表面刻蚀有阳极图案的导电玻璃基板或有机PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜基板。步骤二 在阳极导电基板110上依次沉积发光层120和阴极130。优选的，可以采用真空蒸镀的方法或溶液涂覆法在阳极导电基板110上依次沉积发光层120和阴极130。步骤三在阴极130上依次沉积硅氧化合物膜142和氮硅化合物膜144。优选的，采用真空蒸发、磁控溅射或等离子化学气相沉积(PECVD)在阴极130上制备厚度为100 150nm SiO或SiO2膜。再采用磁控溅射或PECVD在硅氧化合物膜142上制备一层厚度为100 150nm的SiN或Si3N4膜。步骤四在氮硅化合物膜144上沉积硫系或氮系的金属或类金属形成单质膜146。硫系或氮系的金属或类金属可以为As、Se、Te、Sb或Po等金属或类金属。优选的，在氮硅化合物膜144上真空蒸镀Se、Te、Sb中的至少一种，真空度为5 X 10_5Pa 3 X W5Pa,蒸发速度O.IA ~ 2A/s,蒸发厚度100 150nm。此外，在沉积完单质膜146后，再在单质膜146上涂覆含Al膜的PET膜150，使PET膜覆盖发光层120、阴极130以及封装膜140并与阳极导电基板110密封接合的步骤。优选的，采用紫外线固化环氧树脂封装胶对PET膜150与阳极导电基板110接合处进行密封，从而将有机电致发光器件100封装在PET膜150与阳极导电基板110内。上述有机电致发光器件的制作方法，采用的封装材料廉价，制备工艺简单，易大面积制备，制得的有机电致发光器件使用寿命显著提高。如图2所示，在其他优选的实施方式中，有机电致发光器件200采用如下结构，包括依次层叠的阳极导电基板210、空穴注入层220、空穴传输层230、发光层24本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光层以及阴极，其特征在于，所述有机电致发光器件还包括封装膜，所述封装膜包括形成在所述阴极上的硅氧化合物膜、形成在所述硅氧化合物膜上的氮硅化合物膜以及形成在所述氮硅化合物膜上的由硫系或氮系的金属或类金属形成的单质膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，钟铁涛，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：