发光器件和物品制造技术

技术编号:8082325 阅读:145 留言:0更新日期:2012-12-14 17:23
一种器件包括层,该层包括光发射区和光非发射区。光提取特征设置在光非发射区之上。光提取特征可以包括表面像差和折射率匹配元件。还提供形成器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术包括涉及器件的实施例。更具体地,本专利技术包括涉及发光器件和制作该器件的方法的实施例。
技术介绍
有机发光器件(OLED)可用于平板背光应用或用于一般照明。OLED通过激子在电激发有机分子上的辐射复合产生光。OLED可以用于显示和照明应用两者。典型地,OLED中的电极中的一个可具有透明和导电两个性质。这样的透明电极的常用材料是透明导电氧化物(TCO),例如氧化铟锡(ΙΤ0)或掺铝氧化锌(AZO)。当与金属比较时,TCO具有高得多的电阻率。与OLED是电流驱动的事实结合,TCO透明电极更高的电阻率可在大的OLED像素上引起显著的电压变化。当TCO电极在尺寸上大时,例如具有大约10厘米的长度和大约10厘米的宽度,电压变化可是显著的并且可在器件上引起光强度的显著变化。为了克服TCO透明电极的高电阻率并且仍然能够制作大的OLED像素,一个方式是将期望的大面积OLED器 件分成串联整体连接的单独的更小发射像素。TCO电极可像素化成小尺寸(例如,在电流方向上I厘米)使得每个像素上的电压变化和因此光强度变化对于观察者来说不显著。由于串联电连接性质,像素之间的整体串联连接位于其中的区域可能不发射光。这些区域可以形成OLED表面上的黑区,从而形成发射光的区域(发射区)和黑区(非发射区)之间的对比。许多显示和照明应用可能要求当OLED通电时没有黑区被看见。对于内部/外部装饰和标牌,可能希望获得期望的颜色输出。可能希望具有可以提供整个OLED上的高效光输出并且减小发射区和非发射区之间的对比的器件来提供均匀点亮的OLED器件。
技术实现思路
在一个实施例中,提供器件。该器件包括层,其包括光发射区和光非发射区。光提取特征设置在该光非发射区之上。在另一个实施例中提供器件。该器件包括层和以彼此相距一定距离的方式设置在该层上的多个发光兀件。该层限定多个光发射区和光非发射区。该层包括对应于多个发光元件的多个光发射区和对应于多个发光元件之间的距离的多个光非发射区。光提取特征设置在该层中的多个光非发射区中的一个或多个之上。在再另一个实施例中提供方法。该方法包括提供支撑多个发光元件的层的步骤。多个发光元件可以设置在彼此相隔的预定距离处。这导致对应于该层上多个发光元件的多个光发射区的形成,以及对应于该层上发光元件之间的预定距离的多个光非发射区的形成。该方法进一步包括设置光提取特征以便与该层上的多个光非发射区对应的步骤。附图说明图I是示出OLED的示意侧视图。图2是示出OLED的示意侧视图。图3是根据一个实施例的显示器件的示意侧视图。图4是根据一个实施例的显示器件的示意顶视图。图5是根据一个实施例的显示器件的示意图。图6是根据一个实施例的显示器件的示意图。图7是根据一个实施例的显示器件的示意图。图8是根据一个实施例的显示器件的示意图。图9是根据一个实施例的显示器件的示意图。图10是根据一个实施例的显示器件的示意图。图11是根据一个实施例的显示器件的示意图。图12是根据一个实施例的显示器件的示意图。图13是根据一个实施例的显示器件的示意图。图14是根据一个实施例的显示器件的示意图。图15是根据一个实施例的显示器件的示意图。图16是根据一个实施例的显示器件的示意图。图17是形成根据一个实施例的显示器件的方法的示意图。图18是描绘在根据一个实施例的显示器件中产生的光的传播的各种模式的示意图。具体实施例方式单数形式“一”和“该”包括复数个指代物,除非上下文清楚地另外指明。如在本文中在说明书和权利要求书中使用的近似语言可应用于修饰任何定量表示,其可以允许改变而不导致它与之有关的基本功能中的变化。因此,由例如“大约”等术语或多个术语修饰的值不限于规定的精确值。在一些实例中,该近似语言可对应于用于测量该值的仪器的精确度。相似地,“没有”可与术语结合使用,并且可包括非实质数目或痕量,同时仍然考虑没有该被修饰的术语。如本文使用的,术语“固定到”或“设置在…之上”或“沉积在…之上”或“设置在…之间”指直接接触地和通过在其之间具有插入层而间接地固定或设置。“可操作耦合”是提供陈述的功能的列出部件之间的关系。没有另外的限定词,“透光的”意思是在可见波长范围中、在至少一个频率处光的大于约百分之50传导通过给定厚度的材料。该可见波长范围是大约400纳米至大约700纳米。一些材料基于光的波长传导或多或少的光。即,在一个频率是透光的材料可在另一个波长是或多或少透射的。如在各种实施例中使用的术语“烷基”意在指代包括碳和氢原子的直链烷基、支链烧基、芳烧基、环烧基、双环烧基、二环烧基和多环烧基。烧基基团可为饱和或不饱和,并且可包括例如乙烯基或丙烯基。术语“烷基”还包含烷氧基团的烷基部分。在各种实施例中,正常和支链烷基是包含从I至大约32个碳原子的那些,并且作为说明性非限制性示例包括C1-C32烷基(可选地用从C1-C32烷基、C3-C15环烷基或芳基中选择的一个或多个基团取代);以及可选地用从C1-C32烷基或芳基中选择的一个或多个基团取代的C3-C15环烷基。示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烧基和十_■烧基。环烧基和双环烧基的一些说明性非限制性不例包括环丁基、环戊基、环己基、甲基环己基、环庚基、二环庚基和金刚烷基。在各种实施例中,芳烷基包括包含从7至大约14个碳原子的那些基;包括苄基、苯丁基、苯丙基和苯乙基的这些基。如在实施例中使用的术语“芳基”指代包括从6至20个环状碳原子的取代或未取代芳基。芳基的一些示例包括C6-C2tl芳基,其可选地用从C1-C32烷基、C3-C15环烷基、芳基和包括从周期表的族15、16和17选择的原 子的功能基团中选择的一个或多个基团取代。芳基的示例包括取代或未取代苯基、联苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基和双-萘基。参照图1,提供变化的OLED配置的示意侧视图100。在第一实施例中,OLED 110包括阳极112、发射层114和阴极116。在第二实施例中,OLED 118包括阳极120、空穴注入层122、发射层124和阴极126。在第三实施例中,OLED 128包括阳极130、空穴注入层132、发射层134、电子注入层136和阴极138。典型地,OLED通过堆叠如上文提到的一系列层形成来提供期望的颜色和光强度。参照图2,其中示出具有第一单元210和第二单元212这两个单元的OLED 200的示意侧视图。该OLED 200可以包括衬底214,阳极216、第一单元210、第二单元212和阴极218设置在该衬底214上,发射的光220通过它们是可见的。该第一单兀210可以包括空穴传输层222、第一发射层224和第一电子传输层226。该第二单兀212可以包括第二空穴传输层228、第二发射层230和第二电子传输层232。适合的阳极216可包括具有高功函数的材料;例如,功函数大于大约4. O电子伏特。在一个实施例中,阳极材料功函数可在从大约5电子伏特至大约6电子伏特,或从大约6电子伏特至大约7电子伏特的范围中。透明金属氧化物(例如氧化铟锡“ΙΤ0”等)或微细加工金属网格(例如金或银金属网格等)可用于该目的。ITO是透光的并且允许从有机发射层发射的光逃逸通过ITO阳极而没有严重衰减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:严旻S拉库夫史晓蕾赵日安
申请(专利权)人:通用电气公司
类型:
国别省市:

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