导电薄膜、导电薄膜制备方法及有机光电器件技术

本发明专利技术实施例公开了一种导电薄膜、导电薄膜制备方法及有机光电器件。所述导电薄膜包括：导电薄膜本体；位于所述导电薄膜本体表面的卤素化合物。所述导电薄膜制备方法包括：提供导电薄膜本体；采用含卤素的有机或无机溶液对所述导电薄膜本体进行处理，使得在所述导电薄膜本体表面形成含卤素的化合物。在将本发明专利技术所提供的导电薄膜应用于有机光电器件中后，所述导电薄膜表面卤素化合物的存在可减少导电薄膜中水汽和氧原子扩散进有机光电器件的有机层中，所述卤素化合物的存在还可提高导电薄膜的透光率，因此，最终可改善有机光电器件的光电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体地说，涉及一种导电薄膜、导电薄膜制备方法及有机光电器件。
技术介绍
能源是人类赖以生存和发展的重要资源。随着全球不可再生能源的日益枯竭及其对环境造成的巨大危害，开发清洁、可再生能源是实现人类社会可持续发展的当务之急。目前，太阳能是最具发展潜力的清洁能源，是取之不尽用之不竭的可再生能源，因此，基于光伏效应将太阳能转换为电能的太阳能电池(光致发电器件)作为重要的清洁能源受到越来越多的重视。除此之外，有机电致发光器件(OLED)，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光；而且OLED显示屏幕可以做得更轻更薄，可视角度更大，且能够显著节省电能，因此，在目前能源越来越稀缺的当今社会，对 OLED的研究也越加受到广大人们的关注。有机光致发电器件和有机电致发光器件可统称为有机光电器件。目前比较常见的有机光电器件主要是基于ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)导电薄膜(此处还可以为别的金属氧化物薄膜)的三明治结构ΙΤ0层、发光层或者吸光层(转换层)、金属电极层；其中，所述ITO是一种大量掺杂锡的N型氧化铟。在有机光电器件中，ITO层不但作为器件的电极，而且担当了器件的出光或者吸光窗口，因此，为了使有机光电器件获得较好的性能，需要使ITO层在具有良好导电性的同时，还能够具有较高的透光率。现有技术中在形成ITO薄膜后还需要对其表面进行处理以期将其用于有机光电器件中后能够改善ITO层表面和载流子传输层之间的界面特性。常见的ITO薄膜表面处理方法包括超声清洗、紫外臭氧处理和氧等离子体处理等。超声清洗可以除去ITO表面上的污染物质；采用紫外臭氧或氧等离子体对ITO表面进行处理后，具有较高锡浓度的ITO表面被腐蚀，且氧被提供到表面，因而增加了 ITO表面的氧浓度，故可提高ITO薄膜的功函数，从而可提高空穴传输的效率，有利于改善有机光电器件的光电性能。但是，采用紫外臭氧或氧等离子体对ITO薄膜进行处理后，ITO表面的氧浓度增加了，这就使得在有机光电器件中，ITO表面的氧原子易于扩散至空穴注入有机层中，使得有机物质被氧化，从而使有机层失去空穴注入的特性。除此之外，采用紫外臭氧或氧等离子体对ITO薄膜进行处理后，ITO表面的亲水程度提高了，当其暴露在大气中时可以吸附较多的水汽，进而在将其应用于有机光电器件后，所述水汽也容易扩散至空穴注入有机层中，从而导致有机光电器件衰减较快。再有，采用紫外臭氧或氧等离子体对ITO薄膜进行处理后，无法提高ITO薄膜的透光率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种导电薄膜、导电薄膜制备方法及有机光电器件，在将本专利技术所提供的导电薄膜应用于有机光电器件中后，可减少导电薄膜中水汽和氧原子扩散至有机层的情况，且该导电薄膜具有较高的透光率。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案一种导电薄膜，该导电薄膜包括导电薄膜本体；位于所述导电薄膜本体表面的卤素化合物。优选的，上述导电薄膜中，所述导电薄膜本体为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化锌铝。优选的，上述导电薄膜中，所述导电薄膜本体为氧化铟锡。 优选的，上述导电薄膜中，所述卤素化合物为含卤素的有机或无机溶液中的卤素原子与氧化铟锡中的铟、锡和氧中的至少一种原子发生反应而形成的卤素化合物，或者，所述卤素化合物为含卤素的有机或无机溶液中所形成的卤素化合物。本专利技术还提供了一种导电薄膜制备方法，该方法包括提供导电薄膜本体；采用含卤素的有机或无机溶液对所述导电薄膜本体进行处理，使得在所述导电薄膜本体表面形成含齒素的化合物。优选的，上述方法中，所述含卤素的有机溶液为三氯甲烷、氯苯、二氯苯、二氯甲烷、1，I- 二氯乙烷、四氯化碳、1，1，I-三氯乙烷、1，2- 二氯乙烷和三氯乙烯中的一种或多种的组合。优选的，上述方法中，所述含卤素的无机溶液为氢氟酸、氢氯酸、氢溴酸和氢碘酸中的一种或多种的组合。本专利技术还提供了一种有机光电器件，该有机光电器件包括衬底、阳极、空穴传输层、电子传输层和阴极；其中，所述阳极或阴极包括本专利技术所提供的导电薄膜。优选的，所述有机光电器件为电致发光器件，该电致发光器件还包括空穴注入层和发射层。 优选的，所述有机光电器件为光致发电器件，该光致发电器件还包括空穴收集层和吸收层。从上述技术方案可以看出，本专利技术所提供的导电薄膜包括导电薄膜本体，位于所述导电薄膜本体表面的卤素化合物；本专利技术所提供的导电薄膜制备方法包括提供导电薄膜本体，采用含卤素的有机或无机溶液对所述导电薄膜本体进行处理，使得在所述导电薄膜本体表面形成含卤素的化合物。本专利技术所提供的导电薄膜，在将其应用于有机光电器件中后，一方面，由于其表面为卤素化合物，因此，导电薄膜表面的氧浓度较低，不利于氧原子向有机层的扩散；另一方面，所述卤素化合物可阻止导电薄膜中的氧原子扩散进有机层，从而避免了氧原子向有机层的扩散。除此之外，本专利技术所提供的导电薄膜，其表面的卤素化合物可提高导电薄膜表面的接触角，使导电薄膜的疏水程度提高，从而在将其应用于有机光电器件中后，不利于水汽扩散进有机层中。再有，本专利技术所提供的导电薄膜，还可提高其透光率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例所提供的一种导电薄膜制备方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例所提供的ITO薄膜表面的X射线光电子能谱曲线图；图3为本专利技术实施例所提供的ITO薄膜的透射率曲线图；图4为本专利技术实施例所提供的ITO薄膜的功函数曲线图；图5为本专利技术实施例所提供的一种有机电致发光器件的结构示意图；图6为本专利技术实施例所提供的另一种有机电致发光器件的结构示意图； 图7为本专利技术实施例所提供的一种有机光致发电器件的结构示意图；图8为本专利技术实施例所提供的另一种有机光致发电器件的结构示意图；图9为本专利技术实施例所提供的第一个、第二个、第三个和第四个有机光致发电器件的I-V曲线图；图10为本专利技术实施例所提供的第二个、第四个和第五个有机光致发电器件的I-V曲线图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。本专利技术实施例公开了一种导电薄膜，该导电薄膜包括导电薄膜本体；位于所述导电薄膜本体表面的卤素化合物。所述导电薄膜本体一般为透明氧化物，例如，可以为氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌铝(AZO)等。位于所述导电薄膜本体表面的卤素化合物，一般是由含卤素的有机或无机溶液浸泡所述导电薄膜本体而形成的。例如，当所述导电薄膜为ITO时，所述卤素化合物可以为含卤素的有机或无机溶液中的卤素原子与ITO中的In、Sn和O中的至少一种原子发生反应而形成的卤素化合物，或者，所述卤素化合物可以为含卤素的有机或无本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电薄膜，其特征在于，包括：导电薄膜本体；位于所述导电薄膜本体表面的卤素化合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐建新，李艳青，徐仔全，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：