一种IGBT模块的电路板结构及封装结构制造技术

一种IGBT模块的电路板结构及封装结构，包括主干、位于该主干两侧的多个电极引脚，以及位于该主干一侧的相互平行的发射极引出线和栅极引出线。该电路板通过对每个IGBT子模块的栅极和发射极的引出，达到实现IGBT模块电控制的目的。由于该电路板本身具有结构简单，连接方便的特点，使得IGBT模块能够简单、方便、准确、高精度的对各个子单元控制极进行整合、引出，完成该型号IGBT模块的引出极的电气连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及IGBT (绝缘栅双极型晶体管)器件领域，具体地说，是一种IGBT模块封装工艺中的电路板结构。
技术介绍
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是国际上公认的电力电子技术第二次革命的最具代表性的产品，是目前电力电子
中最具有优势的功率器件之一。IGBT是一种具有MOS输入、双极输出功能的M0S、双极相结合的器件。结构上，它是由成千上万个重复单元(即元胞)组成，是一种采用大规模集成电路技术和功率器件技术制造的一种大功率集成器件。IGBT广泛应用于电机节能、冶金、新能源、输变电、汽车电子、轨道交通，家用电器等国民经济各领域，是中国建设资源节约型和环境友好型社会不可缺少的关键技术之一。IGBT 在上世纪80年代初研制成功，其性能经过二十几年的不断提高和改进，已成熟地应用于中高频大功率领域。它将MOSFET的电压控制、控制功率小、易于并联、开关速度高的特点和双极晶体管的电流密度大、电流处理能力强、饱和压降低的特点集中于一身，表现出易驱动、低通态压阵、较快开关速度、高耐压、大电流、高频率等优越的综合性能。IGBT器件目前的电压范围已经扩到300至6500伏，电流范围已经扩到几安培本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT模块的电路板结构，包括绝缘基板、位于该绝缘基板正面的第一导电层和位于该绝缘基板背面的第二导电层，其特征在于：所述电路板结构包括主干、位于该主干两侧的多个电极引脚，以及位于该主干一侧的相互平行的发射极引出线和栅极引出线，所述第一导电层覆盖该发射极引出线和主干，所述第二导电层覆盖该栅极引出线、电极引脚以及主干。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块的电路板结构,包括绝缘基板、位于该绝缘基板正面的第一导电层和位于该绝缘基板背面的第二导电层，其特征在于所述电路板结构包括主干、位于该主干两侧的多个电极引脚，以及位于该主干一侧的相互平行的发射极引出线和栅极引出线，所述第一导电层覆盖该发射极引出线和主干，所述第二导电层覆盖该栅极引出线、电极引脚以及主干。2.如权利要求I所述的电路板结构，其特征在于所述第一导电层和第二导电层与所述绝缘基板的任何一条边缘之间相距O.3.如权利要求I所述的电路板结构，其特征在于所述第一导电层和第二导电层的厚度为 O....

【专利技术属性】
技术研发人员：李先亮，张红卫，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：