一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法技术

本发明专利技术属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法。本发明专利技术采用一层超薄的经过氧气等离子体和紫外光照射处理的SiN刻蚀阻挡层和一层厚的介电常数值较小的碳含量丰富的SiCN刻蚀阻挡层来形成双层刻蚀阻挡层，不仅工艺过程简单，还可以改善目前刻蚀阻挡层的存在会影响整体介电常数值的现状，使得互连电路中的延迟减小、提升互连电路的可靠性，有望在未来铜互连的刻蚀阻挡层的制造中得到应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，具体涉及一种用于铜互连的双层刻蚀阻挡层及其制造方法。
技术介绍
铜互连技术指在半导体集成电路互连层的制作中采用铜金属材料取代传统铝金属互连材料的半导体制造工艺技术。随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸不断缩小，芯片面积持续增大，人们面临着如何克服由于连线长度的急速增长而带来的RC(R指电阻，C指电容)延迟显著增加的问题。特别是由于金属布线线间电容的影响日益严重，造成器件性能大幅度下降，已经成为半导体工业进一步发展的关键制约因素。 由于寄生电容C正比于电路互连层中隔绝介质的相对介电常数值，因此低介电常数介质被广泛应用于铜互连的不同电路层的隔绝介质，但是在每一层互连完成之后都需要另外做一层氮化硅(SiN)作为刻蚀阻挡层以及同一层铜互连的绝缘。然而，随着技术节点的不断缩小，从90纳米到现在的22纳米工艺技术节点，SiN刻蚀阻挡层由于介电常数值较大，会使整体绝缘层的介电常数值增大，从而使整个互连电路的延迟上升。现在有提议使用由一层较薄的介电常数值较大的硅碳氮(SiCN)层和一层较厚的介电常数值较小的碳含量丰富的SiCN层构成的双本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于铜互连的刻蚀阻挡层，其特征在于，其主要由一层超薄的氮化硅刻蚀阻挡层和一层位于所述氮化硅刻蚀阻挡层之上的厚的硅碳氮刻蚀阻挡层构成。

【技术特征摘要】
1.一种用于铜互连的刻蚀阻挡层，其特征在于，其主要由一层超薄的氮化硅刻蚀阻挡层和一层位于所述氮化硅刻蚀阻挡层之上的厚的硅碳氮刻蚀阻挡层构成。2.根据权利要求I所述的用于铜互连的刻蚀阻挡层，其特征在于，所述的氮化硅刻蚀阻挡层经过氧气等离子体和紫外光照射处理，其厚度范围为1-5纳米。3.根据权利要求I所述的用于铜互连的刻蚀阻挡层，其特征在于，所述的硅碳氮刻蚀阻挡层的厚度范围为20-50纳米。4.一种如权利要求I所述的用于铜互连的刻蚀阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙清清，房润辰，张卫，王鹏飞，周鹏，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：