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本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法。本发明采用一层超薄的经过氧气等离子体和紫外光照射处理的SiN刻蚀阻挡层和一层厚的介电常数值较小的碳含量丰富的SiCN刻蚀阻挡层来形成双层刻蚀阻挡层，不仅工艺过...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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