公开了一种光刻设备，其包括能够在衬底的目标部分上生成图案的光学装置列。所述光学装置列具有：配置成发射所述束的自发射式对比度装置(906)；和配置成将所述束投影到目标部分上的投影系统。所述光刻设备还可以具有致动器，用于相对于衬底移动光学装置列或光学装置列的一部分。所述光刻设备被构造以通过使用隔室(936)减小围绕光学装置列的移动部分的介质的密度变化对所述束的光学效应，所述隔室(936)提供围绕所述移动部分的基本上封闭的环境。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光刻设备、可编程图案形成装置和器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是施加期望的图案到衬底或一部分衬底上的机器。光刻设备可以用于例 如集成电路(1C)、平板显示器以及具有精细特征的其它装置或结构的制造中。在传统的光刻设备中，可以将称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生对应于1C、平板显示器或其它装置的单层的电路图案。可以将这一图案转移到衬底(例如硅晶片或玻璃板)(的一部分)上,例如经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。除了电路图案，图案形成装置还可以用于产生其它图案,例如彩色滤光片图案或点的矩阵。替代传统的掩模，图案形成装置可以包括图案形成阵列，该图案形成阵列包括产生电路或其它可应用图案的独立可控元件的阵列。与传统的基于掩模的系统相比,这样的“无掩模”系统的优点是，可以更加快速地设置和/或更换图案，且成本较小。因此,无掩模系统包括可编程图案形成装置(例如空间光调制器、对比度装置等)。使用独立可控元件的阵列对可编程图案形成装置进行(例如电子或光学地)编程，用于形成期望的图案化的束。可编程图案形成装置的类型包括微反射镜阵列、液晶显示器(LCD)阵列、光栅光阀阵列等。
技术实现思路
例如期望提供一种灵活的、低成本的光刻设备,该光刻设备包括可编程图案形成装罟 目-ο在一实施例中，公开了一种光刻设备，所述光刻设备包括调制器和投影系统，所述调制器配置成将衬底的曝光区域暴露于根据期望的图案调制的多个束，所述投影系统配置成将调制的束投影到衬底上。调制器可以相对于曝光区域移动,和/或投影系统可以具有用于接收所述多个束的透镜阵列，所述透镜阵列可相对于曝光区域移动。在一实施例中，光刻设备可以例如设置有光学装置列(或称为光具组)(opticalcolumn)，所述光学装置列能够在衬底的目标部分上生成图案。光学装置列可以设置有自发射式对比度装置,配置成发射多个束；和投影系统,配置成将所述多个束的至少一部分投影到目标部分上。所述设备可以设置有致动器，所述致动器用于相对于衬底移动光学装置列或光学装置列的一部分。光学装置列或其-部分的移动可能引起在光学装置列或其-部分周围的湍流。这样的移动可能导致围绕光学装置列和其一部分的介质的密度变化。这些可能对束产生负面的光学效应。例如期望提供一种对光学装置列或其一部分的移动较不敏感的光刻设备。根据本专利技术的实施例，提供了一种光刻设备,包括光学装置列，能够将束投影到衬底的目标部分上,所述光学装置列具有自发射式对比度装置,配置成发射所述束；投影系统,配置成将所述束投影到目标部分上；和致动器,用于相对于衬底移动光学装置列或光学装置列的至少一部分，其中，所述光刻设备被构造以减小围绕光学装置列的移动部分的介质的密度变化对所述束的光学效应。 根据本专利技术的实施例,提供了一种器件制造方法,所述方法包括将图案化的辐射束投影到衬底上的步骤,所述方法还包括用光学装置列在衬底的目标部分上生成图案,所述生成图案的步骤通过以下步骤实现用自发射式对比度装置发射束；用投影系统将束投影到目标部分上；和相对于衬底移动光学装置列或光学装置列的至少一部分，同时减小围绕光学装置列的移动部分的介质的密度变化对所述束的光学效应。附图说明并入本文中且形成说明书的--部分的附图显示了本专利技术的实施例,且另外与所述描述一起用于说明本专利技术的原理并使得相关领域的技术人员能够进行和使用本专利技术。在附图中，相同的参考标记可以表示相同的或功能类似的元件。图I显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意侧视图。图2显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图3显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图4显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图5显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图6(A)_(D)显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的--部分的示意俯视图和侧视图。图7㈧-(O)显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分的示意俯视图和侧视图。图7(P)显示根据本专利技术的实施例的独立可寻址元件的功率/前向电流图。图8显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意侧视图。图9显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意侧视图。图1.0显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意侧视图。图11显示根据本专利技术的实施例的用于光刻设备的独立可控元件的阵列的示意俯视图。图12显示使用本专利技术的实施例将图案转移到衬底的模式。图13显示光学引擎的示意性布置。图14(A)和⑶显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分的示意侧视图。图15显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图1.6(A)显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的一部分的示意侧视图。图16⑶显示相对于衬底的传感器的检测区域的示意位置。图17显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意俯视图。图18显示根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意横截面侧视图。图19显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件 和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的-一部分的不意俯视图的布局O图20显示图19中的光刻设备的一部分的示意三维视图。图21显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的一部分的不意侧视图的布局,且显不出相对于独立可控元件设定的光学元件242的三个不同的旋转位置。图22显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本____t静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的一部分的不意侧视图的布局，且显不出相对于独立可控元件设定的光学元件242的三个不同的旋转位置。图23显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其司移动的光学元件的光亥1J设备的一部分的不意侧视图的布局，且显不出相对于独立可控元件设定的光学元件242的五个不同的旋转位置。图24显示在使用直径为5. 6mra的标准激光二极管用于获得横过衬底的宽度的全部覆盖情况下的独立可控元件102的^-部分的示意性布局。图25显示图24的细节的示意布局。图26显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的一部分的不意侧视图的布局。图27显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学元件的光亥lJ设备的一部分的不意侧视图的布局。图28显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学兀件的光刻设备的一部分的不意侧视图的布局,且显不出相对于独立可控元件设定的光学元件242的五个不同的旋转位置。图29显示图28的光刻设备的一部分的示意三维视图。图30示意性显示通过图28和29中设定的单个可移动光学元件242同时写出的8条线的布置。图31显示用于控制聚焦的示意性布置,其中具有图28和29的布置中的移动屋顶状部件(rooftop)。图32显示根据本专利技术的实施例的具有在X-Y平面内基本上静止的独立可控元件和相对于其可移动的光学元件的、根据本专利技术的实施例的光刻设备的示意横截面侧视图。图33显示光刻设备的一部分。图34显示图33的光刻设备的俯视图。图35示意性地显示根据本专利技术的一实施例的光刻设备。图36本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：埃尔温·范茨韦特，彼得·德亚格尔，约翰内斯·昂伍李，埃里克·弗瑞特茨，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：
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