6,12-二萘基*衍生物和使用该衍生物的有机发光器件制造技术

技术编号:8075267 阅读:170 留言:0更新日期:2012-12-12 22:30
本发明专利技术提供适合用于有机发光器件的具有高热稳定性的有机化合物,和使用该有机化合物的有机发光器件。该有机发光器件是如下的有机发光器件,其包括:阳极;阴极;和设置在该阳极和该阴极之间的有机化合物层,其中该有机化合物层的至少一层具有由下述通式(1)或(2)表示的6,12-二萘基衍生物:式(1)和(2)中,Z表示萘基,和Q表示选自下述通式(3)-(5)中的吸电子取代基:式(5)中,R1表示氢原子或甲基。

【技术实现步骤摘要】
,12-二萘基*衍生物和使用该衍生物的有机发光器件的制作方法
本专利技术涉及,12- 二萘基Jg衍生物和使用该衍生物的有机发光器件。
技术介绍
有机发光器件是如下的电子器件,其中将含有荧光性或磷光性有机化合物的薄膜夹持在一对电极之间。从各电极注入电子和空穴时,产生荧光性或磷光性化合物的激子,该激子返回其基态时有机发光器件发光。有机发光器件最近的发展是显著的,并且例如已产生了以下特点。即,有机发光器件发出具有在低外加电压下的高亮度和各种发射波长的光,具有高速响应性,并且使发光器件的厚度和重量减小。这暗示有机发光器件能够用于各种用途。 顺便提及,有机发光器件用组分所要求的物性之一是该组分自身的耐久性。目前考虑该耐久性的化合物的设计和研究已积极地进行。作为该化合物的具体实例,已提出了例如日本专利申请公开No. 2010-24187或国际申请No. W02009/008353中记载的有机化合物。但是,从它们的商业化的观点出发,日本专利申请公开No. 2010-24187或国际申请No. W02009/008353中提出的有机化合物和使用该化合物的有机发光器件仍具有改善的余地。具体地,从耐久性的观点出发,该化合物和该器件仍具有改善的余地,并且它们的商业化要求以下项目(i)连续驱动时寿命的进一步延长;和(ii)采取在高温下长期使用时要求的对于例如由于热引起的劣化的对策。此外,设想其应用于全色显示器等时,甚至在例如将该器件在高温下长时间使用的条件下,该有机发光器件需要在其色纯度和效率方面连续保持其初期特性。但是,仍不能说已将这些问题充分地解决。因此,尤其要求具有高耐热性的有机发光器件和用于实现该器件的材料。
技术实现思路
为了解决如上所述的现有技术的问题,完成了本专利技术。在此,本专利技术的目的在于提供适合用于有机发光器件的具有高热稳定性的有机化合物,和使用该有机化合物的有机发光器件。本专利技术的,12- 二萘基.篇衍生物包括下述通式(I)或(2)表示的化合物权利要求1.,12-二萘基篇衍生物,包括由下述通式(I)或(2)表示的化合物2.根据权利要求I的,12-二萘基.篇衍生物,其中该衍生物包括由下述通式¢)-(9)的任一个表示的化合物3.有机发光器件,包括 阳极; 阴极;和 在该阳极和该阴极之间设置的有机化合物层, 其中该有机化合物层中的至少一层具有根据权利要求I的,12- 二萘基茗衍生物。4.根据权利要求3的有机发光器件,其中 该有机化合物层具有发光层和设置在该发光层和该阴极之间的电子传输层;并且 该电子传输层具有该,12- 二萘基茗衍生物。5.根据权利要求3的有机发光器件,其中该有机化合物层具有发光层、设置在该发光层和该阴极之间的电子传输层和设置在该发光层和该电子传输层之间的空穴/激子阻挡层,和 其中该空穴/激子阻挡层具有该,12- 二萘基篇衍生物。.显示装置,包括多个像素,其中该像素均具有根据权利要求3的有机发光器件和与该有机发光器件电连接的开关元件。7.图像输入装置,包括 用于显示图像的显示部;和 用于输入图像信息的输入部, 其中该显示部具有多个像素,和其中该像素均具有根据权利要求3的有机发光器件和与该有机发光器件电连接的开关元件。8.照明设备,包括 根据权利要求3的有机发光器件;和 与该有机发光器件连接的倒相电路。全文摘要本专利技术提供适合用于有机发光器件的具有高热稳定性的有机化合物,和使用该有机化合物的有机发光器件。该有机发光器件是如下的有机发光器件,其包括阳极;阴极;和设置在该阳极和该阴极之间的有机化合物层,其中该有机化合物层的至少一层具有由下述通式(1)或(2)表示的,12-二萘基衍生物式(1)和(2)中,Z表示萘基,和Q表示选自下述通式(3)-(5)中的吸电子取代基式(5)中,R1表示氢原子或甲基。文档编号H01L51/54GK10281119SQ2012101802公开日2012年12月12日 申请日期2012年月5日 优先权日2011年月8日专利技术者岩胁洋伸, 大类博挥, 千品有子, 村椿方规, 高桥哲生 申请人:佳能株式会社本文档来自技高网
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【技术保护点】
6,12?二萘基衍生物,包括由下述通式(1)或(2)表示的化合物:其中,式(1)和(2)中,Z表示萘基,和Q表示选自下述通式(3)?(5)中的吸电子取代基:其中,式(5)中,R1表示氢原子或甲基。FSA00000732632500011.tif,FSA00000732632500012.tif,FSA00000732632500013.tif

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:岩胁洋伸大类博挥千品有子村椿方规高桥哲生
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:

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