半导体装置、检测方法及程序制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置等，即使是在测试环境变动的情形下，也能更高精度地判断半导体集成电路的动作性能。一种半导体装置，能检测半导体集成电路所产生的劣化，包含：测定单元，测定温度及电压；决定单元，在各测试动作频率下对检测对象电路部判别测试内容是否在容许测试时序内被执行，决定所执行的最大的测试动作频率；算出单元，将最大测试动作频率换算成基准温度及基准电压下的最大测试动作频率并且也算出表示劣化的状态的劣化量，半导体集成电路具有监控区块电路，该监控区块电路监控用于供测定单元测定温度及电压的值的值，测定单元具有根据监控区块电路监控的值估计检测对象电路部的温度及电压的值的估计单元，算出单元使用估计单元所估计的温度及电压的值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置、检测方法及程序，特别涉及能够检测同一个半导体集成电路所产生的劣化或同种的多个半导体集成电路所产生的差异(与特性有关的个别差异)的半导体装置等。
技术介绍
确保伴随着极限微细化的半导体集成电路的可靠度和安全性是极为重要的社会课题，各式各样的测试方法被提出(参照非专利文献I及2)。例如出货后也能测试的方法，自我测试(Built-In Self-Test =BIST (内建自我测试))的方法被提出(参照专利文献1、2及非专利文献3 5)。 现有技术文献专利文献I :日本特开2003-68865号公报专利文献2 :日本特表2010-524101号公报非专利文献I :佐藤，另外2人著，“关于现场高可靠度的方法”，REAJ志，Vol. 31，No. 7，p. 514-519.非专利文献2:Y. Sato,;另外3人著,“A Circuit Failure Prediction Mechanism(DART) for High Field Reliability，，，The 8th IEEE International Conference onASIC,p.581-5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤康夫，梶原诚司，井上美智子，米田友和，李贤彬，三浦幸也，
申请(专利权)人：国立大学法人九州工业大学，国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学，公立大学法人首都大学东京，
类型：发明
国别省市：