【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体装置的检测装置,更具体地说,涉及用于检测形成在l个半导体基板(晶片)上的多个半导体元件的半导体装置的检测装置。
技术介绍
伴随电子仪器被要求高功能化和高性能化,更进一步要求安装在该电子仪器上的半导体装置(LSI, Large Scale Integrated circuit:大规模集成电路)具有高集成度化、高速化或大容量化。因此,构成该半导体装置的半导体元件(LSI芯片)的动作速度被高速化,且外部连接端子的数量增加,而且,该外部连接端子之间的间隔被进一步縮小。尤其在系统LSI元件中,该趋势显著,从而难于高可靠性地对该系统LSI元件进行检测。此外,在上述检测中,进行检测的检测时间变长。因此,为了在维持和提高生产性的同时降低制造成本,提出对于这些系统LSI元件等具有多个外部连接端子的半导体元件同时进行多个检测的方式。例如,作为对在1个半导体基板上形成多个的半导体元件同时进行多个检测的方式,提出有使设置在探针卡(probe card)上的探针与形成在1个半导体基板上并在横向、纵向或倾斜方向相邻的2个半导体元件的电极端子接触,来同时对上述2个半导体元 ...
【技术保护点】
一种半导体装置的检测装置,其特征在于,具有: 第一基板,具有多个开口, 框体,设置在上述开口内,并在框内配设有多个探针, 多个第二基板,设置在上述开口的周围,与上述第一基板垂直,并与上述第一基板连接; 上述探针贯穿上 述框体,从上述框体周围通过上述开口内而与上述第二基板连接。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:丸山祐治,田代一宏,岛林和彦,后藤繁,仲代隆之,越沼进,白川正芳,
申请(专利权)人:富士通微电子株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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