用于单切管芯测试的方法和装置制造方法及图纸

技术编号:4555306 阅读:250 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
根据本发明专利技术的一个实施例,可以实现一种单切管芯测试方法。这可以通过获取晶片并将管芯单切为单独的管芯模片来实现。单切管芯可以被排列在分离的测试排列中,甚至可以将来自多个晶片的管芯作为组合排列的部分相组合。然后,可以对组合测试排列实现测试。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体领域,更具体地涉及一种用于单切管芯(singulated die)测试的方法和装置。
技术介绍
一般使用表面上制备有多个单独电路的硅晶片来制造半导体电路。这 允许单独管芯上的电路的批量生产,并且在制造过程完成之后,管芯可以 被从晶硅片分离出来并被放置在芯片载体(chip carrier)中。所以,每个 硅晶片包括多个单独管芯,而每个管芯又包含其自身的电路。硅晶片的测试一般涉及在晶片仍然处于完整晶片形式时对晶片进行测 试。所以,每个管芯是在管芯仍然是晶片的部分时被测试的。 一些测试可 以在管芯被从晶片分离出来之后进行;然而,这种测试没有涉及同时对多 个管芯的测试。硅晶片的测试通常是非常棘手且耗时的过程。结果,其占据了制造电 路中涉及的成本的重大百分比。今天,大多数测试是通过在电路仍是硅晶 片的部分时对电路进行测试来完成的。然而,单独管芯的紧密接近通常导 致问题。例如,由于为了运行测试例程必需将输入和输出线耦合到晶片上 的这些单独管芯,所以很难将所有的输入和输出线聚集到测试接口的所期 望的表面区域中。所以,很难利用测试接口 (当用于晶片时也称为探针 卡)的单次触压(single touch-down)来测试包括多个管芯的晶片。艮卩, 在这种情况下,测试接口不能从单个位置建立与要被测试的所有管芯的必 要接触点或者与所有管芯相耦合。例如,在一些电流测试系统中,探针卡必须将很多信号线路由到大致 具有直径为300 mm (因为,这是处于测试的晶片的尺度)的圆形的测试 头或测试接口。结果,连接到探针卡的测试头引脚的信号线被使得相互紧密接触。另外,这些信号线从它们开始的地方到测试头引脚被路由了很长 距离。结果,当高频信号被路由通过信号线时,存在因信号线的长度(电 阻、电容和电感效应)和被集拢在一起的所有信号的接近而导致的显著衰减。结果,存在频率限制。例如,不能利用具有高于150至200 MHz频率 的信号来可靠地测试存储器。硅晶片的电流测试的另一限制在于硅晶片可以被测试的温度范围范 围。当前存在对管芯可以经受测试的温度范围方面的限制。即,此范围大 约为一4(TC到+ 8(TC。此限制的原因在于硅晶片一般被诸如胶带(tape) 之类的粘合物固定到了测试面。粘合物将晶片固定到适当的位置,从而使 得其在测试期间不能移动。然而,胶带的物理特性限制了硅晶片可以经受 的温度范围。由于胶带在一4(TC以下的冷温度处会丧失粘附性,在8(TC以 上的温度处会液化,所以通常不在此范围以上测试硅晶片。如以上所注意到的,为了充分测试布置在单独管芯上的电路,硅晶片 的测试涉及大量时间。此测试时间是电路的总成本的显著部分。传统测试 中的限制因素是晶片的尺寸,其限定有多少电路可以被测试。例如,具有 大约300 mm直径的晶片仅可以具有形成在该晶片上的如此多的管芯。所 以,在这种情况下可以被测试的管芯数目的上限由晶片上的管芯数目限 定。所以,需要一种可以补救在对制备在硅晶片上的管芯测试的过程中涉 及的至少一些弊端的系统。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例, 一种测试硅晶片的方法可以通过以下处理 实现获取具有第一多个管芯的第一硅晶片;获取具有第二多个管芯的第 二硅晶片;从所述第一晶片单切出所述第一多个管芯,以形成第一组单切 管芯;从所述第二晶片单切出所述第二多个管芯,以形成第二组单切管 芯;以组合管芯排列的形式将所述第一组单切管芯和所述第二组单切管芯 一起排列在支持面上,其中所述组合管芯排列包括总数超过形成在所述第 一硅晶片上的管芯的数目的管芯;以及作为单个测试序列的部分测试所述6组合管芯排列。根据本专利技术的另一个实施例,可以实现一种用于测试硅晶片的装置, 该装置包括晶片单切设备,所述晶片单切设备被配置为将第一晶片单切 为单切管芯;管芯放置设备,所述管芯放置设备被配置为将来自所述第一 晶片的单切管芯放置到单切管芯测试排列中;其中所述晶片单切设备还被 配置为将第二晶片单切为单切管芯;其中所述管芯放置设备被还配置为将 来自所述第二晶片的单切管芯放置到所述单切管芯测试排列中;以及测试 设备接口 ,所述测试设备接口被配置为向所述单切管芯测试排列提供输入 和输出信号。本专利技术的又一实施例提供了一种单切管芯排列,其中该排列包括从 第一晶片单切出的第一组单切管芯;从第二晶片单切出的第二组单切管 芯;所述第一组单切管芯和所述第二组单切管芯以组合管芯排列被排列, 并且其中每个单切管芯与其他单切管芯相偏离。本专利技术的再一实施例提供了一种测试设备接口,包括第一接口,所 述第一接口被配置为与测试计算机相接口;第二接口,所述第二接口被配 置为与多个单切管芯相接口;其中所述单切管芯包括以组合测试图案排列的来自第一晶片和第二晶片的单切管芯,并且其中所述第二接口被配置为 同时与组合测试图案中的所有单切管芯相耦合。本专利技术的其他实施例将从说明书、附图和权利要求的评述得到明了。附图说明图1示出了根据本专利技术的一个实施例的用于测试来自多个晶片的单切 管芯的系统。图2示出了根据本专利技术的一个实施例的用于实现计算机化设备的计算 机系统的框图。图3示出了根据本专利技术的一个实施例的多个管芯的单切以及在组合单 切管芯测试排列中的放置。图4示出了根据本专利技术的一个实施例的可替代的单切管芯排列。图5示出了说明根据本专利技术的一个实施例的测试单切管芯的方法的流程图。图6A和6B示出了说明根据本专利技术的一个实施例的测试单切管芯的方 法的流程图。具体实施例方式现在参考图1,可以看到根据本专利技术的一个实施例的用于测试管芯的 系统。图1中所示的系统使得晶片能够被单切并被排列在测试排列中。然 后,测试排列使得测试接口能够被用来测试管芯。另外,单切管芯的测试 使得来自多个晶片的管芯能够被一起测试。这可以大大方便测试过程并可 以提供优于传统测试方法和系统的替代益处。作为一个示例,分离的排列中的单切管芯的放置使得测试接口能够被 提供有降低密度的信号线。降低密度的信号线被路由到测试接口的表面上 的测试引脚降低了由于将信号线路一起集中在密集区域而导致的RF效 应、信号干扰以及信号衰减。图l示出了硅晶片104、 108和112。这些硅晶片可以由制造者提供, 从而使得单独晶片被以例如装配线的方式(assembly line fashion)将降低 密度的信号线路由到测试设备。图l还示出了单切设备116和管芯放置设 备118。另外,图1示出了由单切设备和管芯放置设备预先从晶片单切出 并放置的单切管芯的排列122。另外,图l示出了与测试接口 126耦合的 测试计算机130。测试接口 126又与单切管芯相接口。在操作中,图1可以通过以下处理实现获取单独管芯104、 108和 112,并利用单切设备116将来自每个晶片的管芯划分成单独的单切管 芯。这可以通过诸如在晶片上的单独管芯之间刻出刻线之类的各种途径实 现。这使得单独管芯与剩余的晶片分离开来。对管芯进行分离的替代方法 在本行业是公知的。当每个管芯被单切时,可以由例如自动机械控制的夹 子(robotically controlled griper)来掌控,动机械控制的夹子耦合管芯并将 管芯置于测试图案122中。该机械耦合设备被示出为图1中的块118。图1中所示的测试图案12本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种测试硅晶片的方法,所述方法包括: 获取具有第一多个管芯的第一硅晶片; 获取具有第二多个管芯的第二硅晶片; 从所述第一晶片单切出所述第一多个管芯,以形成第一组单切管芯; 从所述第二晶片单切出所述第二多个管芯,以形成 第二组单切管芯; 以组合管芯排列的形式将所述第一组单切管芯和所述第二组单切管芯一起排列在支持面上,其中所述组合管芯排列包括总数超过形成在所述第一硅晶片上的管芯的数目的管芯; 作为单个测试序列的部分,测试所述组合管芯排列。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:艾伦D哈特艾瑞克沃克里克盖恩艾瑞克森
申请(专利权)人:惠瑞捷新加坡私人有限公司
类型:发明
国别省市:SG[]

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