【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种永磁体和设备。
技术介绍
1、作为永磁体的一种,已知的是诸如钐-钴磁体之类的稀土钴永磁体。关于稀土钴永磁体,已经从多个方面进行了含fe、cu、zr等的稀土永磁体的研究,例如为了改善它们的磁性能。
2、例如,日本未审专利申请公开号2017-168827公开了一种永磁体,该永磁体分别包含特定量的稀土元素fe、cu、co、zr、ti和hf,并且具有含有晶粒和晶粒之间的晶界的结构,该晶粒包含具有th2zn17型晶相的主相,其中,晶粒的平均晶体粒度为50至100μm。
3、国际专利公开号wo2015/140829公开了一种特定永磁体,该永磁体分别含特定量的稀土元素fe、cu、co、zr、ti和hf,并且具有含有th2zn17型晶相的晶胞相和具有比晶胞相的cu浓度高的富cu相,其中晶胞相的平均直径为220nm以下。
4、进一步地,日本未审专利申请公开号2020-188140公开了一种稀土钴永磁体,该永磁体分别包含特定量的稀土元素r、fe、cu、co和zr,并且具有含th2zn17型晶相和具有围绕晶胞
...【技术保护点】
1.一种永磁体,所述永磁体包括烧结体,所述烧结体具有以下组成:
2.根据权利要求1所述的永磁体,所述永磁体还包括Zr:1.7wt%至2.5wt%。
3.根据权利要求1所述的永磁体,其中,所述晶粒具有Th2Zn17型结构的相和RCo5型结构的相。
4.根据权利要求1所述的永磁体,其中,所述晶粒的平均晶体粒度A.G.为100μm以上。
5.根据权利要求4所述的永磁体,其中,所述晶粒的晶体粒度的变异系数C.V.为0.60以下。
6.根据权利要求1所述的永磁体,其中,所述晶界相的厚度t为5nm至200nm。
< ...【技术特征摘要】
1.一种永磁体,所述永磁体包括烧结体,所述烧结体具有以下组成:
2.根据权利要求1所述的永磁体,所述永磁体还包括zr:1.7wt%至2.5wt%。
3.根据权利要求1所述的永磁体,其中,所述晶粒具有th2zn17型结构的相和rco5型结构的相。
4.根据权利要求1所述的永磁体,其中,所述晶粒的平均晶体粒度a.g.为100μm以上。
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:竹泽昌晃,町田浩明,藤原照彦,幕田裕和,
申请(专利权)人:国立大学法人九州工业大学,
类型:发明
国别省市:
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