【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的实施例涉及一种包括传输栅极和浮动扩散区的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器可包括按照二维阵列布置的多个单位像素。通常，单位像素可包括诸如光电二极管的光感测元件和多个像素晶体管。在这种情况下，多个像素晶体管可包括例如传输晶体管、复位晶体管、源极跟随器晶体管和选择晶体管，并且传输晶体管可将光电二极管连接至浮动扩散区。
技术实现思路
1、本专利技术构思的实施例提供了一种可具有增强的光感测能力的图像传感器。
2、根据实施例，一种图像传感器包括：第一衬底层；比第一衬底层更厚的第二衬底层；衬底间绝缘层，其布置在第一衬底层与第二衬底层之间；第一杂质区、成对的第二杂质区、以及第三杂质区，它们彼此间隔开并且布置在第一衬底层的一些部分上；光电二极管区，其构成布置在第二衬底层上的光感测装置；传输晶体管，其包括第一栅电极层，第一栅电极层是竖直栅极，并且填充栅极孔、穿过第一衬底层和衬底间绝缘层、并且延伸至第二衬底层；以及浮动扩散区，其布置在第一衬底层的一侧上并且连接至传输晶体管。p>
3、根据实本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一杂质区的至少一部分包括所述浮动扩散区并且接触所述沟道层，使得所述第一杂质区的所述至少一部分连接至所述传输晶体管。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一杂质区的厚度实质上等于所述第一衬底层的厚度。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：
6.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述沟道孔是多个沟道孔之一，
7.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述沟道
<...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一杂质区的至少一部分包括所述浮动扩散区并且接触所述沟道层，使得所述第一杂质区的所述至少一部分连接至所述传输晶体管。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中，所述第一杂质区的厚度实质上等于所述第一衬底层的厚度。
5.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：
6.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述沟道孔是多个沟道孔之一，
7.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述沟道孔还包括：
8.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括：
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述第二栅电极层还从所述沟道层延伸至所述第一衬底层的在所述成对的第二杂质区之间的部分上。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，还包括：
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