含氮芳香族杂环衍生物及使用该含氮芳香族杂环衍生物的有机场致发光元件制造技术

以下式所示的含氮芳香族杂环衍生物，X1～X3表示单键、CRaRb、NRc、氧原子或硫原子，X1～X3全部为单键的情况下，Ara、Arb、Arc中的至少一个表示被杂芳基、芳氧基或杂芳氧基取代的成环碳原子数6～20的芳基、或取代或者未取代的成环原子数5～20的杂芳基。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种含氮芳香族杂环衍生物及使用该含氮芳香族杂环衍生物的有机场致发光元件。
技术介绍
对有机场致发光(EL)元件而言，期待作为固体发光型的廉价的大面积全彩显示元件的用途，进行了大量的开发。通常有机EL元件由发光层及夹持该层的一对对置电极构成。在两个电极间施加电场时，从阴极侧注入电子，从阳极侧注入空穴。进而，该电子在发光层中与空穴复合，生成激发态，激发态返回到基态时，以光的形式放出能量。另外，提出了在有机EL元件的发光层中利用有机磷光材料的磷光型有机EL元件。 该磷光型有机EL元件通过利用有机磷光材料的激发态的单重态和三重态来实现高发光效率。一般认为，在有机EL元件内电子与空穴复合时，由于自旋多重性的不同，以I : 3的比例生成单重态激子和三重态激子，因此，一般认为只要使用磷光性的发光材料，就可以实现仅使用了荧光性材料的元件的3 4倍的发光效率。初始的有机EL元件的驱动电压、发光效率及耐久性不充分，针对这些问题进行了各种技术改良。有机EL元件的发光效率的提高及长寿命化是与显示器的消耗功率的降低、耐久性的提高相关的重要的课题，要求进一步的改良。同时，为了提高使用了磷光性的发光材料的有机EL元件的发光效率及元件寿命，进行了各种研究。为了解决这些问题，专利文献I公开了一种双咔唑衍生物作为空穴传输材料。该双咔唑骨架具有提高耐热性的作用。专利文献2公开了一种双咔唑衍生物作为磷光性发光主体材料。专利文献3、专利文献4公开了一种由咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩骨架构成的化合物作为磷光性发光主体材料。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开平8-3547号公报专利文献2 :日本特开2008-135498号公报专利文献3 :日本特开2007-288035号公报专利文献4 :日本特开2007-311460号公报
技术实现思路
在专利文献I中记载了双咔唑衍生物为Tg高且耐热性优异的空穴传输材料，但是完全没有教导与磷光性发光层的组合。另外，专利文献2的专利技术将双咔唑衍生物用作磷光性发光主体材料，但担心发光效率显著降低。在专利文献3、专利文献4中记载了一种由咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩骨架构成的衍生物作为磷光性发光主体材料，但没有教导作为空穴传输材料的功能。本专利技术的目的在于提供一种可以用于有机EL元件的新的化合物。本专利技术的其它的目的在于提供一种高发光效率、低电压驱动且长寿命的有机EL兀件。根据本专利技术，提供有以下的含氮芳香族杂环衍生物等。I. 一种下述式(I)所示的含氮芳香族杂环衍生物。权利要求1.一种下述式(I)所示的含氮芳香族杂环衍生物，2.根据权利要求I所述的含氮芳香族杂环衍生物，其中，所述含氮芳香族杂环衍生物由下述式⑵表示，3.根据权利要求I所述的含氮芳香族杂环衍生物，其中，所述含氮芳香族杂环衍生物由下述式⑶表示，4.根据权利要求I所述的含氮芳香族杂环衍生物，其中，所述含氮芳香族杂环衍生物由下述式⑷表示，5.根据权利要求I 4中任一项所述的含氮芳香族杂环衍生物，其中，Ara、Arb、Arc分别独立地为苯基或下述式(5-1) (5-3)中的任一个所示的基团，6.根据权利要求I 5中任一项所述的含氮芳香族杂环衍生物，其中，所述含氮芳香族杂环衍生物为有机场致发光元件用材料。7.根据权利要求I 5中任一项所述的含氮芳香族杂环衍生物，其中，所述含氮芳香族杂环衍生物为有机场致发光元件用空穴传输材料。8.一种有机场致发光元件，其中，具备阳极和阴极和在所述阳极和阴极之间存在的一个以上的有机薄膜层， 所述有机薄膜层的一层以上含有权利要求I 7中任一项所述的含氮芳香族杂环衍生物。9.根据权利要求8所述的有机场致发光元件，其中，所述有机薄膜层包含空穴传输层及/或空穴注入层，所述空穴传输层及/或空穴注入层含有所述含氮芳香族杂环衍生物。10.根据权利要求9所述的有机场致发光元件，其中，含有下述式(10)所示的化合物的层与所述空穴传输层及/或空穴注入层接合，11.根据权利要求8 10中任一项所述的有机场致发光元件，其中，所述有机薄膜层包含发光层，所述发光层含有磷光发光性材料。12.根据权利要求8 10中任一项所述的有机场致发光元件，其中，所述有机薄膜层包含发光层，所述发光层含有磷光发光性材料和作为主体材料的所述含氮芳香族杂环衍生物。13.根据权利要求11或12所述的有机场致发光元件，其中，所述磷光发光材料为铱(Ir)、锇(Os)或钼(Pt)金属的邻位金属化络合物。14.根据权利要求8 13中任一项所述的有机场致发光元件，其中，所述有机薄膜层包含电子传输层，所述电子传输层含有下述式中的任一个所示的含氮杂环衍生物，全文摘要以下式所示的含氮芳香族杂环衍生物，X1～X3表示单键、CRaRb、NRc、氧原子或硫原子，X1～X3全部为单键的情况下，Ara、Arb、Arc中的至少一个表示被杂芳基、芳氧基或杂芳氧基取代的成环碳原子数6～20的芳基、或取代或者未取代的成环原子数5～20的杂芳基。文档编号C07D405/14GK102812004SQ20118000262公开日2012年12月5日 申请日期2011年8月24日 优先权日2010年8月31日专利技术者加藤朋希, 西村和树, 细川地潮, 沼田真树, 长岛英明 申请人:出光兴产株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤朋希，西村和树，细川地潮，沼田真树，长岛英明，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：