低弯折损耗光纤制造技术

技术编号:7978302 阅读:255 留言:0更新日期:2012-11-16 05:07
具有低宏观弯折损耗和低微观弯折损耗的光纤。该光纤具有第一内包层区域和第二外包层区域,第一内包层区域具有外半径r2>8微米和折射率Δ2,第二外包层区域围绕内包层区域且具有折射率Δ3,其中Δ1>Δ3>Δ2。Δ3与Δ2之间的差大于0.01。光纤具有小于或等于1260nm的22m光缆截止,且r1/r2大于或等于0.25。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有低弯折损耗的光纤。
技术介绍
存在对低弯折损耗光纤的需求,尤其是对用在所谓“通路”中的纤维以及光纤接入(FTTx)光学网络中的光纤的需求。可在这些网络中部署光纤,而该部署的方式通过光纤传递的光信号中会引起弯折损耗。会强加诸如紧密弯折半径、光纤压缩等等之类的物理要求的会引入弯折损耗的某些应用包括在光学地下光缆组件中、工厂安装端接系统(FITS)和松弛环路中部署光纤、位于机柜中连接馈电装置和配电电缆的小弯折半径多端口、以及配电电缆与地下电缆之间网络接入点内的跳线。在某些光纤设计中很难同时实现低弯折损耗和低电缆截止波长。
技术实现思路
本文揭示了一种波导光纤,包括掺杂有氧化锗的中心芯线区域,具有外半径!^和折射率A1 ;包层区域,包括第一内包层区域和第二外包层区域,所述第一内包层区域的外半径r2>8微米且折射率为A2,所述第二外包层区域折射率为A3,其中Ai>A3>A2,且A3与A 2之间的差大于0. 01,所述光纤具有小于或等于1260nm的22m光缆截止,且^Vr2大于或等于0. 25、更佳地大于0. 3。 本文还揭示一种单模光纤,包括中心芯线区域,具有外半径!^和折射率A1 ;包层区域,所述包层区域包括掺杂氟的二氧化硅,所述包层包括第一内部保持区域和第二外部保持区域,所述第一内包层区域具有外半径r2且折射率为A2,所述第二外包层区域折射率为A3,其中ri/r2大于或等于0. 25。本文所揭示的光纤可以符合ITU G. 657A和G. 657B。较佳地,1550nm处的20mm直径弯折损耗不大于0. 75dB/圈。较佳地,1550nm处的30mm直径弯折损耗不大于0.025dB/圈。在某些较佳实施例中,1550nm处的20mm直径弯折损耗不大于0. 3dB/圈。在其它较佳实施例中,1550nm处的20mm直径弯折损耗不大于0. IdB/圈。在某些实施例中,1550nm处的30mm直径弯折损耗不大于0. 003dB/圈。在某些实施例中,1550nm处的15mm直径弯折损耗不大于IdB/圈。在某些实施例中,1550nm处的15mm直径弯折损耗不大于0. 5dB/圈。在某些实施例中,折射率分布还提供小于1325nm的零色散波长。在较佳实施例中,折射率分布还提供1300至1325nm之间的零色散波长。较佳地,折射率分布还提供小于或等于1260nm的电缆截止。在某些较佳实施例中,折射率分布还提供1310nm处8. 2和9. 5iim之间的模场直径。在其它较佳实施例中,折射率分布还提供131011111处8.2和9.011111之间的模场直径。本文所使用的MAC数的意思是1310 ( u m)处的模场直径除以22m电缆截止波长(Um)0在某些较佳实施例中,折射率分布还提供6. 6至7. 5的MAC数。在其它较佳实施例中,折射率分布还提供不大于7. 3的MAC数。较佳地,该光纤在经受持续至少144小时的0. 01大气压的氢气分压后,在1383nm处具有小于0. 03dB/km的最大氢感应衰减变化。较佳地,光纤在1383nm处具有比1310nm处高出不大于0. 10dB/km的光学衰减,甚至更佳地,1383nm处的光学衰减小于1310nm处的光学衰减。现将参照附图中所示的示例详细描述本专利技术的较佳实施例。附图说明 图I示出对应于本文所揭示的波导光纤的较佳实施例的折射率分布线。具体实施例方式将在以下详细描述中陈述附加的特征和优点,这些特征和优点对于本领域的技术人员来说根据该描述将是显而易见的,或者通过实施在以下详细描述以及权利要求书和附图中描述的本专利技术可认识到。“折射率分布”是折射率或相对折射率与波导光纤半径之间的关系。“相对折射率百分比”定义为八%=100\(叫2-11。2)/2叫2,其中n。是无掺杂二氧化硅的平均折射率。如同这里所使用的那样,除非另有规定,相对折射率用△来表示,其值用单位“%”来给定。在一区域的折射率小于无掺杂二氧化硅的平均折射率的情况下,相对折射率百分比为负,而且可以称为具有抑制区域(depressed region)或抑制折射率。在一区域的折射率大于包层区的平均折射率的情况下,相对折射率百分比为正。此处的“上升掺杂剂(updopant)”被认为是具有相对于纯的无掺杂SiO2提高折射率的倾向的掺杂剂。此处的“下降掺杂剂(downdopant)”被认为是具有相对于纯的无掺杂SiO2降低折射率的倾向的掺杂剂。上升掺杂剂的示例包括Ge02、A1203、P2O5> TiO2、Cl、Br。下降掺杂剂的示例包括氟和硼。除非另有注明而这里称为“色散”的波导光纤的“彩色消散”是材料色散、波导色散和模间(inter-modal)色散的总和。在单模波导光纤的情况下,模间色散为零。零色散波长是色散值为零处的波长。色散斜率是色散相对于波长的变化率。“有效面积”定义为Aeff=2 Ti ( / f2r dr)2/ ( f f4r dr),其中,积分限是0至m,f是与波导中所传播的光相关联的电场横向分量。如同这里所使用的那样,“有效面积”或“Aeff”是指在1550nm波长处的光学有效面积,除非另有注明。术语“ a分布”是指相对折射率分布,用项A (r)来表述,其单位是“%”,其中,r是半径,其遵从以下等式,A (r) = A (r0) (I- a),其中,r。是A (r)为最大值的位置,A是A (r) %为零的位置,r处在范围A彡r彡rf,其中A已如上定义,A是a分布的起点,rf是a分布的终点,a是为实数的指数。模场直径(MFD)是用Peterman II 方法测量的,其 cI=lJw=MFD, w2=(2 / f2rdr/ f 2r dr),积分限是 0 至00。可在规定的测试条件下用感应衰减来测量波导光纤的抗弯性,例如,通过围绕规定直径的芯棒展开或缠绕光纤,例如通过围绕6mm、IOmm或20mm或类似直径的芯棒缠绕一圈(例如“ I X IOmm直径宏弯折损耗”或“ I X 20mm直径宏弯折损耗”)并测量每圈的衰减增加。对于给定的模式的理论光纤截止波长、或“理论光纤截止”、或“理论截止”是如下波长在该波长以上,所引导的光无法在该模式中传播。可在Jeunhomme的Single ModeFiber Optics (单模纤维光学)第39_44页(Marcel Dekker出版,纽约,1990)中找到数学定义,其中,理论光纤截止被描述成如下波长在该波长处,模传播常数变成等于外包层中的平面波传播常数。该理论波长适合于无限长、完全直的光纤,其没有直径变化。 光纤截止是通过标准2m光纤截止测试来测得(按F0TP-80 (EIA-TIA-455-80)),从而产生“光纤截止波长”,也称为“2m光纤截止”或“测得截止”。实施F0TP-80标准测试以使用受控量的弯折来抽出高阶模,或者使光纤的光谱响应标准化至多模光纤。对于成缆截止波长、或本文所使用的“成缆截止”,表示EIA-445光纤测试程序中所描述的22m成缆截止测试,该EIA-445光纤测试程序是EIA-TIA光纤标准、即电子工业协会一电信工业协会光纤标准的一部分。除非这里另有注明,光学性质(诸如色散、色散斜率等)报告为LPOl模式。本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:D·C·布克宾德MJ·李P·坦登
申请(专利权)人:康宁股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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