一种渐变折射率多模光纤，包括：(a)二氧化硅纤芯，其掺杂有氧化锗和包含P2O5或F或B2O3中的一者的至少一种共掺杂剂，所述纤芯延伸至最外侧纤芯半径r1并具有双α，α1；(b)围住纤芯并偏离所述纤芯的低折射率内包层；(c)围住内包层并与内包层接触的外包层，以使内包层的至少与所述纤芯偏离的区域具有比外包层更低的折射率。在中心线的中心氧化锗浓度CGe1大于或等于0，并且在r1处的纤芯中最外侧氧化锗浓度CGe2大于或等于0。纤芯在中心线处具有大于或等于0的中心共掺杂剂浓度Cc-d1以及在r1处的最外侧共掺杂剂浓度Cc-d2，其中Cc-d2大于或等于0。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种渐变折射率多模光纤，包括：(a)二氧化硅纤芯，其掺杂有氧化锗和包含P2O5或F或B2O3中的一者的至少一种共掺杂剂，所述纤芯延伸至最外侧纤芯半径r1并具有双α，α1；(b)围住纤芯并偏离所述纤芯的低折射率内包层；(c)围住内包层并与内包层接触的外包层，以使内包层的至少与所述纤芯偏离的区域具有比外包层更低的折射率。在中心线的中心氧化锗浓度CGe1大于或等于0，并且在r1处的纤芯中最外侧氧化锗浓度CGe2大于或等于0。纤芯在中心线处具有大于或等于0的中心共掺杂剂浓度Cc-d1以及在r1处的最外侧共掺杂剂浓度Cc-d2，其中Cc-d2大于或等于0。【专利说明】耐弯曲损耗的多模光纤 相关申请交叉引用 本申请要求2011年11月4日提交的美国专利申请S/N. 13/289029的优先权，且 基于其内容并将其内容整体援引包含于此。
技术介绍
本公开总地涉及光纤，具体地涉及渐变折射率的多模光纤，更具体地涉及渐变折 射率的氧化锗多模光纤，其具有共掺杂了 Ge和另一掺杂剂的渐变折射率纤芯，并表现出低 弯曲fe耗。
技术实现思路
本公开的一些实施例涉及在光纤纤芯内具有氧化锗（Ge02)和另一掺杂剂的光 纤。 根据至少一个实施例，一种渐变折射率多模光纤包括： (a) 包括二氧化硅的纤芯，所述二氧化硅掺杂了氧化锗和至少一种共掺杂剂c-d，所述 共掺杂剂包括P2〇 5或F或B203中的一者，所述纤芯从r = 0的中心线延伸至最外侧纤芯半 径A并具有双α，即a i和α ; (b) 围住纤芯并与纤芯接触的内包层； (c) 围住内包层并与内包层接触的外包层，内包层的至少一部分具有比外包层更低的 折射率；以及 氧化锗以氧化锗掺杂剂浓度分布(r)被设置在纤芯中，并且纤芯具有在中心线大于 或等于〇的中心氧化锗浓度，以及在&的最外侧氧化锗浓度Cfc2,其中Cfe2大于或等于 〇 ;以及 其中共掺杂剂以共掺杂剂浓度分布(；_d(r)被设置在纤芯中，并且纤芯具有在中心线大 于或等于〇的中心共掺杂剂浓度(；_dl，以及在Γι的最外侧共掺杂剂浓度(；_d2，其中(；_ d2大 于或等于〇 ;以及 【权利要求】1. 一种渐变折射率多模光纤，包括： (a) 包括二氧化硅的纤芯，所述二氧化硅掺杂了氧化锗和至少一种共掺杂剂c_d，所述 共掺杂剂包括P2〇 5或F或B203中的一者，所述纤芯从r = 0处的中心线延伸至最外侧纤芯 半径A并具有双α，即a i和α ; (b) 围住纤芯并与纤芯接触的内包层； (c) 围住内包层并与所述内包层接触的外包层，所述内包层的至少一个区域具有比外 包层更低的折射率并与所述纤芯偏离；以及 所述氧化锗以一氧化锗掺杂剂浓度分布(r)被设置在纤芯中，并且所述纤芯具有在 中心线处大于或等于0的中心氧化锗浓度Cfel以及在&处的最外侧氧化锗浓度Cfe2，其中 Cfc2大于或等于0;以及 其中共掺杂剂以一共掺杂剂浓度分布(；_d(r)被设置在纤芯中，并且纤芯具有在中心 线处大于或等于0的中心共掺杂剂浓度(；_dl以及在Γι处的最外侧共掺杂剂浓度(；_ d2，其中 大于或等于〇 ;以及2. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，与所述纤芯偏离并比外包层具有更低折射 率的所述内包层的区域包括随机孔隙或由掺杂了硼、氟、或氟和氧化锗的共掺杂的二氧化 硅构成。3. 如权利要求1或2所述的光纤，其特征在于，氟在中心线处的浓度基本为零，并且氟 的浓度随着所述纤芯内的半径而增加。4. 如权利要求3所述的光纤，其特征在于，氧化锗在^处的浓度从大约1摩尔％至大 约11. 5摩尔％。5. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述带宽BW满足下列条件中的至少一个： (i) 在大约 85〇nm 处 BW>75〇MHz-Km ; (ii) 在大约 850nm 处 BW>1500MHz-Km ; (iii) 在大约 980nm 处 BW>1500MHz-Km ; (iv) 在大约 1300nm 处 BW>500MHz-Km ;6. 如前面任何一项权利要求所述的光纤，其特征在于，在850nm处的受限制的发射弯 曲损耗小于1. 5dB/阻。7. 如前面任何一项权利要求所述的光纤，其特征在于，在850nm处的受限制的发射弯 曲损耗小于0. 25dB/匝。8. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述纤芯区域内的体积平均F浓度为至少 0. 25重量％。9. 如权利要求2所述的光纤，其特征在于，所述壕沟区内的体积平均Ge浓度为至少 0. 5重量％。10. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述纤芯与具有比所述外包层更低的折射 率的内包层的部分相隔至少〇. 5 μ m。11. 如权利要求2所述的光纤，其特征在于，具有比所述外包层更低的折射率的内包层 的区域包括氟，并且氟的体积大于30 μ m2%。12. 如权利要求2所述的光纤，其特征在于，具有比所述外包层更低的折射率的内包层 的区域包括氟，并且氟的体积大于100 μ m2%且小于300 μ m2%。13. -种渐变折射率多模光纤，包括： (a) 包括二氧化硅的纤芯，所述二氧化硅掺杂了氧化锗和至少一种共掺杂剂c_d，所述 共掺杂剂包括B20 3，所述纤芯从r = 0处的中心线延伸至最外侧纤芯半径Γι并具有双α， 即a i和α ; (b) 围住纤芯并与所述纤芯接触的内包层； (c) 围住内包层并与所述内包层接触的外包层，所述内包层的至少一个区域具有比所 述外包层更低的折射率；以及 所述氧化锗以一氧化锗掺杂剂浓度分布(r)被设置在纤芯中，并且所述纤芯具有在 中心线处大于或等于0的中心氧化锗浓度Cfel以及在&处的最外侧氧化锗浓度Cfe2，其中 Cfc2大于或等于0;以及 其中所述共掺杂剂以一共掺杂剂浓度分布(；_d(r)被设置在纤芯中，并且纤芯具有在中 心线处大于或等于〇的中心共掺杂剂浓度(；_dl以及在Γι处的最外侧共掺杂剂浓度(；_ d2，其 中（；_d2大于或等于0;以及14. 如权利要求13所述的光纤，其特征在于，比外包层具有更低的折射率的所述内包 层的区域包括随机孔隙或由掺杂了硼、氟、或氟和氧化锗的共掺杂的二氧化硅构成。15. 如权利要求13所述的光纤，其特征在于，所述带宽BW满足下列条件中的至少一 个： (i) 在大约 85〇nm 处 BW>l5〇OMHz-Km ; (ii) 在大约 980nm 处 BW>1500MHz-Km ; (iii) 在大约 1300nm 处 BW>500MHz-Km ;16. 如权利要求13所述的光纤，其特征在于，氧化锗在&处的浓度从大约1摩尔％至 大约11. 5摩尔％。17. 如权利要求13所述的光纤，其特征在于，所述带宽在大约850nm处大于 750MHz-Km。【文档编号】G02B6/028GK104160310SQ201280065935 【公开日】2014年11月19日 申请日期:2012年10月31日 优先权日:2011年11月4日【专利技术者】D·C·布克班德, M-J·李, P·坦登 申请人:康宁股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种渐变折射率多模光纤，包括：(a)包括二氧化硅的纤芯，所述二氧化硅掺杂了氧化锗和至少一种共掺杂剂c‑d，所述共掺杂剂包括P2O5或F或B2O3中的一者，所述纤芯从r＝0处的中心线延伸至最外侧纤芯半径r1并具有双α，即α1和α；(b)围住纤芯并与纤芯接触的内包层；(c)围住内包层并与所述内包层接触的外包层，所述内包层的至少一个区域具有比外包层更低的折射率并与所述纤芯偏离；以及所述氧化锗以一氧化锗掺杂剂浓度分布CGe1(r)被设置在纤芯中，并且所述纤芯具有在中心线处大于或等于0的中心氧化锗浓度CGe1以及在r1处的最外侧氧化锗浓度CGe2，其中CGe2大于或等于0；以及其中共掺杂剂以一共掺杂剂浓度分布Cc‑d(r)被设置在纤芯中，并且纤芯具有在中心线处大于或等于0的中心共掺杂剂浓度Cc‑d1以及在r1处的最外侧共掺杂剂浓度Cc‑d2，其中Cc‑d2大于或等于0；以及CGe(r)＝CGe1‑(CGe1‑CGe2)(1‑x1)rα1‑(CGe1‑CGe2)x1rα2；Cc‑d(r)＝Cc‑d1‑(Cc‑d1‑Cc‑d2)x2rα1‑(Cc‑d1‑Cc‑d2)(1‑x2)rα2；1.8<α1<2.4,1.8<α2<3.1；并且‑10<x1<10并且‑10<x2<10。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·C·布克班德，MJ·李，P·坦登，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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