一种光纤，同时具有低宏弯损耗以及低微弯损耗。该光纤具有第一内包覆区以及围绕该内包覆区的第二外包覆区，其中第一内包覆区具有外半径r2>8微米以及折射率Δ2，且第二外包覆区具有折射率Δ4，其中Δ1>Δ4>Δ2。Δ4与Δ2之间的差异大于0.002%。该光纤展示出小于或等于1260nm的22m光缆截止，并且r1/r2大于或等于0.25。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种光纤，同时具有低宏弯损耗以及低微弯损耗。该光纤具有第一内包覆区以及围绕该内包覆区的第二外包覆区，其中第一内包覆区具有外半径r2>8微米以及折射率Δ2，且第二外包覆区具有折射率Δ4，其中Δ1>Δ4>Δ2。Δ4与Δ2之间的差异大于0.002%。该光纤展示出小于或等于1260nm的22m光缆截止，并且r1/r2大于或等于0.25。【专利说明】低弯曲损耗光纤相关申请的交叉引用本申请根据美国35U.S.C.§119要求2011年8月19日提交、临时申请序列号N0.61/525408，以及于2012年2月22日提交的61/601713的优先权的权益，本申请的整体依赖这些申请的内容且这些申请的内容通过引用全部结合至此。
本专利技术涉及具有低弯曲损耗的光纤。技术背景存在对于低弯曲损耗光纤的需求，特别是对于应用在所谓“接入(access)”以及光纤到户(FTTx)光纤网络的光纤的需求。可在此类网络中部署光纤以使在通过光纤传输的光信号中引起弯曲损耗。可强加诸如紧密弯曲半径，光纤的压缩之类的物理要求的引起弯曲损耗的某些应用，包括光引入光缆组件中部署光纤、具有工厂安装终端系统(FITS)以及松弛回路的配电光缆、位于机柜内的连接馈线与配电光缆的小弯曲半径多端口、以及在配电与引入光缆之间的网络接入点的跳线。在一些光纤设计中很难同时实现低弯曲损耗以及低光缆截止波长。
技术实现思路
此处公开的光波导光纤包括中心芯区以及包覆区，中心芯区具有外半径r1以及折射率A1，包覆区包括具有外半径r2>8微米以及折射率A2的第一内包覆区以及具有折射率A4的第二外包覆区，其中Λ 2之间的差异大于0.002%，且该光纤展示出MAC数>7.5。此处公开的光纤优选地展示出小于或等于1260nm的22m光缆截止，并且在一些实施例中^Vr2大于或等于0.25,更优选大于0.3,甚至更优选大于0.4。在一些实施例中，八4与A2之间的差异大于0.005,而在一些实施例中大于0.01%。在一些实施例中，八4与A2之间的差异在0.03和0.06之间，且在一些实施例中A4与A2之间的差异在0.07和0.1%之间。在此处公开的光纤中，Δ4优选大于0.0，更优选大于0.01，且更优选大于 0.02。此处还公开了包括中心芯区以及包覆区的光纤，中心芯区具有外半径1^以及折射率A1，包覆区包括具有外半径r2>8微米以及折射率A2的第一内包覆区以及围绕该内包覆区并包括折射率八4的第二外包覆区，其中Ai>A4>A2，并且八4与八2之间的差异大于0.01%，并且该光纤的中心芯区基本展现出具有α值小于10的α分布，优选小于6，更优选小于4，且更优选在I至4之间。此处还公开了包括中心芯区以及包覆区的光纤，中心芯区具有外半径1^以及折射率A1，包覆区包括具有外半径r2>8微米以及折射率A2的第一内包覆区以及围绕该内包覆区并具有折射率A4的第二外包覆区，其中Λ P Λ 4> A2，并且其中芯区包含至少基本遵循超高斯分布的折射率分布，即至少基本遵循方程％ Δ (r)=% Almax -EXP(-((r/a)y))的分布，其中r是从光纤中心开始的径向距离，a是径向尺度参数％ Λ = (% Δ lmax/e)，e是自然对数的底数(~2.71828......),且Y (gamma)是一个正数。优选地，a大于4.0,更优选大于4.6,而最优选大于4.7。此处还公开了包括中心芯区以及包覆区的光纤，中心芯区具有外半径1^以及折射率A1，包覆区包括具有外半径r2>8微米以及折射率A2 (其中A1SA2)的第一内包覆区，且其中芯区包含至少基本遵循超高斯分布的折射率分布，即至少基本遵循方程％八(r) =% Almax ?ΕΧΡ(-((r/a)gamma))的分布，其中r是从光纤中心开始的径向距离，a是径向尺度参数％A = (%Almax/e)且a >4.5，e是自然对数的底数(~2.71828……)，而Y (gamma)是一个正数。此处公开的光纤设计导致光纤具有以下光学特性:符合G.652，在1310nm处在8.2至9.5微米之间的MFD，一般在1310nm处在9.0至9.4之间，零色散波长入。，1300nm <λ0 < 1324nm,小于或等于1260nm的光缆截止，以及在1550nm处≤0.189dB/Km的衰减，更优选在1550nm#< 0.185dB/Km,甚至更优选< 0.183dB/Km。还公开了超高斯芯分布。该包覆区可包括围绕该芯的下陷折射率。具有该下陷包覆区的光纤具有减少的微弯损耗。该下陷折射率包覆区可具有相对于外包覆层在-0.002和-0.15%Δ之间的包覆层折射率，且该下陷折射率包覆区的绝对体积在大约0.3至80%Λ微米2之间。该下陷折射率包覆区可通过对沟区进行向下掺杂(例如通过氟掺杂或通过掺杂非周期空穴)或通过向上掺杂外包形成。在其他实施例中，该光纤可既包括下陷折射率包覆区，又包括相对于二氧化硅向上掺杂的外包覆区，即包括具有足够量的诸如氧化锗或氯之类的折射率增加的掺杂物来明显提高二氧化硅的折射率的包覆区。包括超高斯分布的光纤导致与阶跃折射率芯分布的掺杂氧化锗的单模(在1550nm处)产品相比，减小0.001至0.005dB/km的较低衰减。较低的衰减将能使这些光纤在网络中减少信噪比。超高斯分布还导致较低的宏弯损耗和微弯损耗。具有下陷型包覆区的附加实施例对于色散特性具有更多控制的新的光纤涉及。优选地，此处公开的光纤能够在1550nm处展示出丝网覆盖的鼓微弯损耗(B卩，从未弯状态开始增加的衰减)小于或等于0.07dB/km,更优选小于或等于0.05dB/km。此外，此处公开的光纤优选地在1550nm处展示出不大于0.75dB/匝的20mm直径弯曲损耗，在1625nm处展不出不大于1.5dB/阻的20mm直径弯曲损耗。同时，这些光纤能够在1550nm处提供小于或等于0.19dB/km的衰减,更优选小于0.186dB/km,且最优选小于0.184dB/km,以及在1310nm处小于或等于0.34dB/km的衰减,更优选小于0.32dB/km。优选地,在1550nm处的30mm直径弯曲损耗不大于0.025dB/阻。在一些优选实施例中，在1550nm处的20mm直径弯曲损耗不大于0.4dB/匝。在其他优选实施例中，在1550nm处的20mm直径弯曲损耗不大于0.3dB/匝。在一些优选实施例中，在1550nm处的30mm直径弯曲损耗不大于0.02dB/匝。使用施加至该光纤的一次和二次涂层可达到这样的弯曲损耗以及衰减性能数值，其中一次涂层的杨氏模量小于5，更优选小与1MPa，且二次涂层的杨式模量大于500MPa，更优选大于900MPa，甚至更优选大于ll00MPa。在一些实施例中，折射率分布还提供小于1325nm的零色散波长。在优选实施例中，折射率分布还提供1300nm与1325nm之间的零色散波长。优选地，折射率分布还提供小于或等于1260nm的光缆截止，更优选在1000nm与1260nm 之间。在一些优选实施例中，折射率分布还提供在1310nm处在8.2微米与9.5微米之本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光纤，包括：中心芯区，具有外半径r1以及折射率Δ1包覆区，包括具有外半径r2>8微米以及折射率Δ2的第一内包覆区，以及围绕所述内包覆区并包含折射率Δ4的第二外包覆区，其中Δ1>Δ4>Δ2，并且其中Δ4与Δ2之间的差异大于0.002%，Δ4大于0.0%，且所述光纤展示出MAC数>7.5。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·R·别克汉姆，D·C·布克班德，J·库恩，MJ·李，S·K·米斯拉，P·坦登，J·A·韦斯特，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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