一种高导热、防静电正装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高导热、防静电正装LED芯片，包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。采用上述三层结构的衬底，不但具有较高的导热性，而且还具有较好的防静电性能，有效提高了LED的热管理，保证了LED的光效和使用寿命。另外，也能够简化其制作工艺，取消了原有蓝宝石衬底所需的磨片、划片等工艺。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED灯，更具体地说，涉及一种高导热、防静电正装LED芯片。技术背景 就固态照明市场发展而言，热管理系统设计是一个非常重要的环节，当LED温度升高时，LED的光效和使用寿命将会迅速降低，这表明，热管理不仅对LED芯片是重要的，而且在整个LED照明系统中，均起到决定性的作用。而目前常见的正装结构的发光LED芯片一般包括GaN层(氮化镓)、衬底和密封于两者之间的反射层，其中，衬底一般采用蓝宝石衬底或者铜衬底，然而，蓝宝石衬底不导电，导热效率差，而铜衬底虽然导电，但存在防静电性能差的缺点。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述缺点，本技术的目的是提供一种高导热、防静电正装LED芯片，其衬底具有高导热且防静电的功能。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案该高导热、防静电正装LED芯片包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。所述的纯铜层下表面还设有一低共熔低热阻镀层。所述的GaN层上表面设有正、负电极键合垫以及间隔分布的正、负极线。所述的类钻碳膜的厚度为0. 040 0. 050mm。所述的芯片的总高度为110 160 ii m ;所述的衬底的高度为100 150 y m。在上述技术方案中，本技术的高导热、防静电正装LED芯片包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。采用上述三层结构的衬底，不但具有较高的导热性，而且还具有较好的防静电性能，有效提高了 LED的热管理，保证了 LED的光效和使用寿命。另外，也能够简化其制作工艺，取消了原有蓝宝石衬底所需的磨片、划片等工艺。附图说明图I是本技术的高导热、防静电正装LED芯片的结构剖视图。图2是本技术的正装LED芯片的俯视图。具体实施方式以下结合附图和实施例进一步说明本技术的技术方案。请参阅图I所示，本技术的高导热、防静电正装LED芯片与现有技术相同之处为，同样也包括GaN层I、衬底2以及密封于两者之间的反射层3。所不同的是，该衬底2包括从上至下设置的类钻碳膜21、铝合金层22和纯铜层23，铝合金层22与纯铜层23相复合，类钻碳膜21上表面与GaN层I底部通过晶片键合工艺形成密封结合，取消了原有蓝宝石衬底2所需的磨片、划片等工艺。在所述纯铜层23下表面还可设有一低共熔低热阻镀层24。而在所述的GaN层I上表面设有正、负电极键合垫4、5以及间隔分布的正、负极线6、7,见图2所示。经过多次、反复试验和设计，将所述的类钻碳膜21的厚度设计为0. 040 0. 050m m,将所述的芯片的总高度设计为110 160 u m,而所述的衬底2的高度设计为100 150 u m。采用本技术的LED芯片，从热学角度来看，当GaN层I工作时所产生的热量传到由类钻碳膜21、铝合金层22和纯铜层23所构成的衬底2上时，由于类钻碳膜21的导热系数为475W/m k，铜的导热系数是385W/m k，铝的导热系数为130W/m k，所以整个芯片热阻仅为0.9°C /W，而采用IOOiim厚的蓝宝石衬底2的正装LED芯片的热阻高达2.91 °C /W，采用150 iim厚的蓝宝石衬底2的正装LED芯片的热阻高达4. 57°C /W，相差高达5_8倍之多。综上所述，本技术的LED光源与现有技术相比，不但具有较高的导热性，而且 还具有较好的防静电性能，有效提高了 LED的热管理，保证了 LED的光效和使用寿命。另外，也能够简化其制作工艺，取消了原有蓝宝石衬底2所需的磨片、划片等工艺。本
中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本技术，而并非用作为对本技术的限定，只要在本技术的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本技术的权利要求书范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高导热、防静电正装LED芯片，包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，其特征在于：所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。

【技术特征摘要】
2011.12.22 CN 201120544902.31.ー种高导热、防静电正装LED芯片，包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，其特征在于 所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。2.如权利要求I所述的高导热、防静电正装LED芯片，其特征在于 所述的纯铜层下表面还设有一低共熔低热...

【专利技术属性】
技术研发人员：包绍林，包建敏，
申请(专利权)人：包建敏，
类型：实用新型
国别省市：