一种高导热、防静电正装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高导热、防静电正装LED芯片，包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。采用上述三层结构的衬底，不但具有较高的导热性，而且还具有较好的防静电性能，有效提高了LED的热管理，保证了LED的光效和使用寿命。另外，也能够简化其制作工艺，取消了原有蓝宝石衬底所需的磨片、划片等工艺。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED灯，更具体地说，涉及一种高导热、防静电正装LED芯片。技术背景 就固态照明市场发展而言，热管理系统设计是一个非常重要的环节，当LED温度升高时，LED的光效和使用寿命将会迅速降低，这表明，热管理不仅对LED芯片是重要的，而且在整个LED照明系统中，均起到决定性的作用。而目前常见的正装结构的发光LED芯片一般包括GaN层(氮化镓)、衬底和密封于两者之间的反射层，其中，衬底一般采用蓝宝石衬底或者铜衬底，然而，蓝宝石衬底不导电，导热效率差，而铜衬底虽然导电，但存在防静电性能差的缺点。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述缺点，本技术的目的是提供一种高导热、防静电正装LED芯片，其衬底具有高导热且防静电的功能。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案该高导热、防静电正装LED芯片包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。所述的纯铜层下表面还设有一低共熔低热阻镀层。所述的GaN层上表面设有正、负电极键合垫以及间隔分布的正、负极线。所述的类钻碳膜的厚度为0. 040 0. 050mm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高导热、防静电正装LED芯片，包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，其特征在于：所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。

【技术特征摘要】
2011.12.22 CN 201120544902.31.ー种高导热、防静电正装LED芯片，包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，其特征在于 所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。2.如权利要求I所述的高导热、防静电正装LED芯片，其特征在于 所述的纯铜层下表面还设有一低共熔低热...

【专利技术属性】
技术研发人员：包绍林，包建敏，
申请(专利权)人：包建敏，
类型：实用新型
国别省市：