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本实用新型公开了一种高导热、防静电正装LED芯片，包括GaN层、衬底以及密封于两者之间的反射层，所述的衬底包括从上至下设置的类钻碳膜、铝合金层和纯铜层，类钻碳膜上表面与GaN层底部相密封结合。采用上述三层结构的衬底，不但具有较高的导热性，而...
该专利属于包建敏所有，仅供学习研究参考，未经过包建敏授权不得商用。

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