【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路的失效分析领域，尤其涉及。
技术介绍
在半导体集成电路的失效分析过程中，当要对特定点进行分析时，往往需要去层次到特定位置；现有去层次(delayer)的方法主要是依次通过采用湿法刻蚀、手动研磨、反应离子刻蚀(RIE)工艺相结合的方法实现对目标产品进行特定的去层次。湿法刻蚀工艺是将目标产品浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的表面与试剂发生化学反应而被除去，这样就使得刻蚀工艺的反应时间不易控制，且易出现过刻蚀现象，所以在层次工艺中距离目标尚有一至两层金属时会停止使用，进行纯手动研磨。现有的手动研磨技术主要利用研磨液的腐蚀以及绒布的摩擦来实现的。由于研磨液对金属和介质的研磨速率不同，且金属和介质在研磨时受到的机械应力会有差异，从而容易导致研磨不均匀，严重时会出现如图I所示的错层现象，即在已经进行去层次工艺的衬底I上，部分区域的目标层11已经露出，而有些区域仍在上层12处，造成在局部会出现不同层的薄膜，若继续研磨，会导致已经露出的目标层部分被研磨掉，从而无法进行失效分析。
技术实现思路
本专利技术公开了，其中，包括以下步骤 步...
【技术保护点】
一种修补去层次样品的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一去层次出现层错的半导体结构上，制备一机械强度达到研磨工艺要求的介质层覆盖所述半导体结构的上表面；步骤S2：部分去除所述介质层，使得覆盖在目标层上的金属层暴露；步骤S3：去除所述暴露的金属层后继续去除所述介质层工艺；步骤S4：依次重复步骤S2、S3直至目标区域中的目标层完整无损的暴露。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄维，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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