平面TEM样品制取方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种平面TEM样品制取方法，包括：提供一包含待观测层的晶圆截块；做标记于所述待观测层上；将一玻璃粘贴于所述待观测层上；同时研磨所述晶圆截块及玻璃；切割所述晶圆截块得到平面TEM样品。通过本发明专利技术提供的平面TEM样品制取方法得到的平面TEM样品，当通过吸取针吸取所述平面TEM样品时，即使发生吸取针使得平面TEM样品从晶圆上脱落，但吸取针又没有吸取到平面TEM样品的情况，也能很快找到脱落的平面TEM样品，而无需重新制取平面TEM样品，进而节省了制造时间，降低了制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路观测样品的制造方法，特别涉及一种平面TEM样品制取方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体器件的关键尺寸不断减小，利用具有高分辨率的仪器对缺陷及特定微小尺寸进行观察与分析，进而优化工艺变得越来越重要。透射电镜(transmission electron microscope, TEM)作为电子显微学的重要工具，通常用以观测材料的微观结构，包括晶体形貌、微孔尺寸、多相结晶和晶格缺陷等，其点分辨率可达到0. lnm。所述透射电镜的工作原理如下将需检测的透射电镜样品(TEM样品) 放入TEM观测室，以高压加速的电子束照射所述TEM样品，将TEM样品的形貌放大投影到屏幕上，照相，然后进行分析。TEM样品有块状样品，用于普通微结构研究；平面样品，用于薄膜和表面附件微结构研究；横截面样品，用于均勻薄膜和界面的微结构研究；小块物体样品，用于粉末、纤维、纳米量级的材料研究。在半导体工艺中，常常需要制取平面TEM样品， 以观测在晶圆上所制造的芯片的某一层结构。如图1所示，其为现有的包含有平面TEM样品的晶圆截块。所述晶圆截块1包括 平面TEM样品10、标记11、凹槽12，所述标记11位于待观测层100上。制取的平面TEM样品10，可通过一根专用的吸取针(pick-up针)吸取所述平面TEM样品10并将其置于具有一层碳膜的铜网上，以备用于TEM观测。在实际生产中发现，在用吸取针吸取所述平面TEM样品10的过程中，往往会发生吸取针使得平面TEM样品10从晶圆截块上脱落，但又没有吸取到平面TEM样品10的情况。 此时，由于现有制取平面TEM样品的方法使得平面TEM样品10只有三面被晶圆所包围，并且所述平面TEM样品10的尺寸特别小，该平面TEM样品10从晶圆上脱落以后，往往掉落到地上，再也找不到。出现此种情况后，只能再次制取平面TEM样品，这样，既浪费时间，又浪费材料，大大提高了制造成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种平面TEM样品制取方法，以解决现有的平面TEM样品制取方法制取得到的平面TEM样品，在取得过程中发生丢失的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种TEM样品制取方法，包括提供一包含待观测层的晶圆截块；做标记于所述待观测层上；将一玻璃粘贴于所述待观测层上；同时研磨所述晶圆截块及玻璃；切割所述晶圆截块得到平面TEM样品。可选的，所述玻璃的厚度为0. 2mm 1mm。可选的，通过胶水将一玻璃粘贴于所述待观测层上。可选的，所述胶水为透明的热固胶。可选的，所述胶水为环氧胶。可选的，通过镭射或者聚焦离子束做标记于所述待观测层上。可选的，所述标记是两个具有一定间距的竖条。可选的，将所述晶圆截块固定于T型架上进行同时研磨所述晶圆截块及玻璃。可选的，切割所述晶圆截块得到平面TEM样品的步骤包括在所述待观测层两侧分别挖一个凹槽，得到一平面TEM样品粗片；减薄所述平面TEM样品粗片，得到一平面TEM样品。可选的，在所述待观测层两侧分别挖一个凹槽及减薄所述平面TEM样品的过程均是通过聚焦离子束切割方法实现的。可选的，所述平面TEM样品粗片的厚度为0. 2um lum，所述平面TEM样品的厚度小于0. 2um。与现有技术相比，本专利技术提供的平面TEM样品制取方法，通过将一玻璃粘贴于晶圆截块的待观测层上，使得切割所述晶圆截块得到平面TEM样品后，所述TEM样品四面皆被包围。当通过吸取针吸取所述平面TEM样品时，即使发生吸取针使得平面TEM样品从晶圆上脱落，但又没有吸取到平面TEM样品的情况，由于平面TEM样品往往是脱落在由玻璃及晶圆组成的一个小槽周边，即小槽周边的晶圆截块及玻璃上，因此能很快找到脱落的平面TEM 样品，无需重新制取平面TEM样品，由此，节省了制造时间，降低了制造成本。此外，由于通过本专利技术提供的平面TEM样品制取方法，制得的平面TEM样品四面都被包围，在通过吸取针吸取所述平面TEM样品时，具有更多的参考面了解所述平面TEM样品所处的位置，因此，通过本专利技术提供的平面TEM样品制取方法得到的平面TEM样品，也提高了通过吸取针吸取到所述平面TEM样品的成功率，从而进一步节省了制造时间，降低了制造成本。附图说明图1是现有包含有平面TEM样品的晶圆截块；图2是本专利技术平面TEM样品制取方法的流程图；图3是本专利技术实施例所提供的一包含待观测层的晶圆截块；图4是本专利技术实施例所提供的一待观测层上有标记的晶圆截块；图5是本专利技术实施例所提供的一有玻璃粘贴于待观测层上的晶圆截块；图6是本专利技术实施例所提供的一经过研磨的图5所述的晶圆截块；图7是本专利技术实施例所提供的一 T型架；图8是本专利技术实施例所提供的包含有平面TEM样品的晶圆截块。具体实施例方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的平面TEM样品制取方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心思想在于，提供一种平面TEM样品制取方法，通过将一玻璃粘贴于晶圆截块的待观测层上，使得切割所述晶圆截块得到平面TEM样品后，所述平面TEM样品四面皆被包围。由此，当通过吸取针吸取所述平面TEM样品时，即使发生吸取针使得平面TEM样品从晶圆上脱落，但又没有吸取到平面TEM样品的情况，由于平面TEM样品往往是脱落在由玻璃及晶圆组成的一个小槽周边，即小槽周边的晶圆截块及玻璃上，因此能很快找到脱落的平面TEM样品，无需重新制取平面TEM样品，进而节省了制造时间，降低了制造成本。此夕卜，由于通过本专利技术提供的平面TEM样品制取方法，制得的平面TEM样品四面都被包围，在通过吸取针吸取所述平面TEM样品时，具有更多的参考面了解所述平面TEM样品所处的位置，因此，通过本专利技术提供的平面TEM样品制取方法得到的平面TEM样品，也提高了通过吸取针吸取到所述平面TEM样品的成功率，从而进一步节省了制造时间，降低了制造成本。请参考图2，其为本专利技术平面TEM样品制取方法的流程图，结合该图2，该方法包括以下步骤首先，执行步骤S11，提供一包含待观测层的晶圆截块。具体请参考图3，其是本专利技术实施例所提供的一包含待观测层的晶圆截块。如图3 所示，晶圆截块2上具有一待观测层200。接下来，执行步骤S12，做标记于所述待观测层上。在本实施例中，可通过镭射或者聚焦离子束做标记于所述待观测层200上。镭射及聚焦离子束具有非常好的聚光性，由此能在待观测层200上做上精确的标记。当然，本专利技术并不限定在待观测层上做标记的方法，只要能在待观测层200上做上精确的标记即可。如图4所示，其是本专利技术实施例所提供的一待观测层上有标记的晶圆截块。如图 4所示，晶圆截块2上具有一待观测层200，待观测层200上有标记21，通过在待观测层200 上做上标记21，可准确切割待观测层200上需要被观测的部分，提高切割的准确性与效率。 在本实施例中，所述标记21是两个具有一定间距的竖条，通过所述两个标记21的间距及其高度，可进一步确定需要被观测部分的形状，更进一步地提高了切割的准确性与效率。接下去，执行步骤S13，将一玻璃粘贴于所述待观测层上。具体请参考图5，其是本专利技术实施例所提供的一有玻璃粘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卉，谢火扬，胡杰，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：