一种溶胶凝胶法制氧化铟镓锌半导体薄膜的方法技术

本发明专利技术属于半导体薄膜制备技术领域，具体为一种溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌（IGZO）半导体薄膜的低温处理方法。本发明专利技术以乙二醇单甲醚为溶剂，单乙醇胺为稳定剂，将In(NO3)3·4.5H2O、Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中，形成澄清稳定前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，在红外加热灯下照射得到平整透明的IGZO半导体薄膜。与传统溶胶凝胶法利用热板退火制备IGZO薄膜相比，利用红外加热灯照射的IGZO薄膜具备更优良的半导体及光学性能，且工艺温度更低，小于250℃。以此IGZO薄膜作为沟道层材料的薄膜晶体管，开关电流比大于5×106，饱和迁移率大于1.8cm2/Vs，亚阈值摆幅小于2.2V/dec。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体薄膜制备
，具体涉及一种溶胶凝胶法制备氧化物半导体薄膜的方法。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilm Transistor: TFT)是一种场效应晶体管(Field EffectTransistor: FET),由半导体有源层即沟道层、介质层即绝缘层、栅电极、源电极和漏电极构成。场效应晶体管凭借其体积小、重量轻、寿命长、耗电省等优点广泛应用于各类电子电路中。二十世纪六十年代，基于低成本、大阵列显示的实际需求，TFT的研究广为兴起。1988年，当第一个14英寸的有源矩阵(Active-Matrix: AM)薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Displays: TFT-IXD)出现时,人们意识到重量轻厚度薄的壁挂式电视将成为现实。随着非晶硅或低温多晶硅作为半导体沟道层，薄膜晶体管技术已经 成为平板显示(FPD)的象征性技术，其特点是在对角线为数米(m)长的基板上制备几千万个数微米(U m)大小的TFT阵列，形成“大型微电子”。TFT-IXD中最为广泛使用的是以非晶娃(amorphous silicon本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溶胶凝胶法制备氧化铟镓锌半导体薄膜的方法，其特征在于具体步骤如下：（1）以乙二醇单甲醚为溶剂，单乙醇胺为稳定剂，将In(NO3)3·4.5H2O、？Ga(NO3)3·4.5H2O、Zn(C2H3O2)2·5H2O溶解其中，经超声振荡0.5—4小时后静置40？？50小时，形成澄清稳定的前驱体溶液，其中乙二醇单甲醚与单乙醇胺的体积比为10:0.4？？10:5，溶液中In离子、Ga离子、Zn离子的摩尔比为2:1:1，Zn离子摩尔浓度为0.2—0.4？M；（2）将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，然后在功率为150W？？？？275？W的红外加热灯下照射5分钟至60分钟，加热温度范围为120℃？？25...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：浦海峰，张群，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：