选择性发射极刻蚀工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种选择性发射极刻蚀工艺，具有如下步骤：a)硅片正面刻蚀：在具有掩膜图案的扩散后的硅片正面刻蚀出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蚀硅片表面的PSG；d)硅片背面刻蚀。本发明专利技术的有益效果是：扩散后的硅片表面存在一层亲水的PSG层，原有的选择性发射极刻蚀工艺流程直接在具有亲水性的PSG层硅片表面进行背面刻蚀，硅片边缘会造成过刻。改善后的工艺流程中，去PSG层后的硅片整体呈疏水性，在进行背面刻蚀时，可有效改善边缘过刻的问题。同时，由于改善后的工艺首先对硅片进行正面刻蚀，保证了刻蚀方阻整体的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种选择性发射极刻蚀エ艺。
技术介绍
如图I所示,现有的选择性发射极(selective emitter/SE)刻蚀エ艺流程背面刻蚀一正面刻蚀一碱液去掩膜材料(蜡)一HF去磷硅玻璃(PSG)。其中，背面刻蚀采用滚轮转动带液方式在高浓HF+HN03混合液中去除扩散片背面边缘的PSG (即PN结)。硅片正面的PSG层具有亲水性，由于硅片边缘和刻蚀液表面存在较强的固-液张力，硅片边缘会被腐蚀出多孔硅，造成硅片边缘最终刻蚀的方阻很高及PECVDエ艺后的白边问题，严重影响硅片正面方阻的均匀性，甚至造成电池片的短路失效
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种选择性发射极刻蚀エ艺，有效改善边缘过刻的现象。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种选择性发射极刻蚀エ艺，具有如下步骤a)硅片正面刻蚀在具有掩膜图案的扩散后的硅片正面刻蚀出所需的方阻；b)去除正面掩膜；c)刻蚀硅片表面的PSG ；d)硅片背面刻蚀。进ー步限定，步骤a中，将蜡印刷在重掺杂的硅片表面的电极区，形成正电极的掩膜，通过正面刻蚀，腐蚀掉非电极区的硅以形成低掺杂扩散区，电极区域为高掺杂扩散区；步骤b中，通过KOH和ニこニ醇丁醚水溶液去除正面掩膜；步骤d中，通过滚轮齿轮带液的方式对娃片的背面进行抛光刻蚀。本专利技术的有益效果是扩散后的硅片表面存在一层亲水的PSG层，原有的选择性发射极刻蚀エ艺流程直接在具有亲水性的PSG层硅片表面进行背面刻蚀，硅片边缘会造成过刻。改善后的エ艺流程中，去PSG层后的硅片整体呈疏水性，在进行背面刻蚀时，可有效改善边缘过刻的问题。同吋，由于改善后的エ艺首先对硅片进行正面刻蚀，保证了刻蚀方阻整体的均匀性。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进ー步说明。图I是原有的选择性发射极刻蚀エ艺流程；图2是本专利技术的エ艺流程；具体实施方式如图2所示，一种选择性发射极刻蚀エ艺，具有如下步骤a)硅片正面刻蚀通过模拟丝网印刷正电极的方式将蜡印刷在重掺杂的硅片表面，形成具有正电极图形的掩膜，通过正面刻蚀，腐蚀掉非电极区的硅以形成低掺杂扩散区，电极区域为高掺杂扩散区；b)去除正面掩膜通过KOH和BDG(ニこニ醇丁醚)水溶液去除正面掩膜材料蜡，K0H:BDG:H20=5L:10L:220L ；c)刻蚀硅片表面的PSG :PSG(磷硅玻璃)溶解于册水溶液中，册:!120=20し:220し；d)硅片背面刻蚀通过滚轮齿轮带液的方式对硅片的背面进行抛光刻蚀，刻蚀液采用高浓度 HF+HN03 水溶液，HF:HN03:H20=80L:270L:30L。 改善后的选择性发射极刻蚀エ艺，由于没有背刻槽高浓度酸腐蚀液对硅片边缘的影响，不容易造成边缘的过刻，进而改善电池片的Rsh。改善后的エ艺效果实验方案相同片源的扩散片，分成2批，一批采用正常刻蚀エ艺流程，另外ー批采用改进后的本エ艺流程。电性能数据如下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极刻蚀工艺，其特征是具有如下步骤 a)硅片正面刻蚀在具有掩膜图案的扩散后的硅片正面刻蚀出所需的方阻； b)去除正面掩膜； c)刻蚀硅片表面的PSG； d)硅片背面刻蚀。2.根据权利要求I所述的选择性发射极刻蚀工艺，其特征是步骤a中，将蜡印刷在重掺杂的硅片表面的电极区，形成正电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁晓春，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：