【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
传统的太阳能电池选择性发射极进行重扩散时，需要制作掩膜，然后采用一些浆料腐蚀掩膜部分，再对腐蚀浆料进行清洗等多重工艺步骤，步骤繁琐且工艺成本投入较大， 清洗亦不彻底。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种实现选择性发射极工艺的方法，操作简单，生产成本 低，能够有效腐蚀阻挡层。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是，具有以下步骤(I)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层；(2)将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域；(3)压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiO2阻挡层全部去除后抽走残留HF气体；(4)取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层；步骤(4)中，太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散后电池栅线区域方阻为O 60ohm/sq0(5)清洗去除SiO2阻挡层后将太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散，电池非栅线区域形成轻掺杂浅扩散区。步骤(5)中，太阳能电池片放入扩散炉进行轻扩散后电池非栅线区域方阻为60 200ohm/sq。本专利技术的有益效果是本专利技术相对于常规工艺需要增加一台可通HF气体同时具备抽气功能的气体刻蚀机，但是对于常规工艺所需的浆料涂覆机及清洗机则不需要，电池栅线区域由于HF的腐蚀作用，电池删线区域形成高掺杂深扩散区，非栅线区域由于Si02阻挡层的作用因此形成轻掺杂浅扩散区，这样太阳能电池片形成选择性发射极。本专利技术采用气体刻蚀，减少浆料使用，大大...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，其特征在于具有以下步骤 (1)太阳能电池片制绒后在太阳能电池片上采用湿氧氧化生长一层SiO2阻挡层； (2)将可通入气体的压紧装置压在太阳能电池片的电池栅线区域； (3)压紧装置内通入HF气体，HF气体把电池栅线区域的SiOJl挡层全部去除后抽走残留HF气体； (4)取走压紧装置，将太阳能电池片放入扩散炉进行重扩散，电池栅线区域形成高掺杂深扩散区，电池非栅线区域为SiO2阻挡层...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶权华，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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