克服叠层电容器中的偏差制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】在本专利技术的一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，在电化学蚀刻浴中电化学蚀刻导电衬底的多孔结构的同时原位测量导电衬底的多孔结构，直到获得预定值为止，此时可以从电化学蚀刻浴中移出导电衬底。在另一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，测量导电多孔结构以确定导电多孔结构的储能容量。随后减小导电多孔结构的储能容量，直到获得预定储能容量值为止。【专利说明】克服叠层电容器中的偏差
技术介绍
本专利技术所公开的实施例总体上涉及能量储存设备，更具体地，涉及克服电容器之间的偏差的方法。现代社会依赖于随时可用的能量。随着对能量的要求增大，能够有效率地存储能量的设备变得日益重要。结果，能量储存设备，包括电池、电容器、电化学电容器(EC)(包括赝电容器和电双层电容器(EDLC)-除了其他名称以外，也称为超级电容器)、混合EC等，广泛地用于电子领域及更多领域中。尤其是电容器广泛地用于从电路和电力传送到电压调节和代替电池范围中的应用。电化学电容器的特征在于高储能容量以及其他所期望的特性，包括高功率密度、尺寸小和重量轻，因而对于几个储能应用中的使用成为有前途的...
【技术保护点】
一种形成储能设备的方法，包括：将导电衬底浸入到电化学蚀刻浴中；在对浸入到所述电化学蚀刻浴中的所述导电衬底进行电化学蚀刻的同时原位测量所述导电衬底的多孔结构；以及在获得预定值之后，从所述电化学蚀刻浴中移出所述导电衬底。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：E·C·汉娜，C·L·平特，C·W·霍尔茨瓦特，J·L·古斯塔夫松，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。