提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法技术

技术编号:15399593 阅读:318 留言:0更新日期:2017-05-23 13:42
本发明专利技术公开了一种提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法,属于电子材料工艺技术领域。该方法包括如下步骤:配制一定浓度的TiCl

Method for improving specific volume of anode foil of aluminium electrolytic capacitor

The invention discloses a method for improving the specific volume of an anode foil of an aluminum electrolytic capacitor, belonging to the technical field of electronic materials. The method comprises the following steps: preparing a certain concentration of TiCl;

【技术实现步骤摘要】
提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法
本专利技术涉及一种提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法,属于电子材料工艺

技术介绍
对于铝电解电容器的核心构件—阳极铝电极箔,研究者的目光主要聚焦在如何提高其比容上,针对提高铝腐蚀箔表面技术已达瓶颈的现状及氧化层厚度在一定化成电压下基本恒定的事实,如何通过改进电极箔的铝氧介质膜以达到提高铝阳极箔比容的目的已然成为研究热点。而与提高铝氧介质层的介电常数相比,通过增加介质层单位厚度的耐电压强度来达到提高铝阳极箔比容的方法,为该研究方向提供了一种全新的技术思路和途径。阳极铝箔的氧化膜除了要具有高的介电常数,其耐电压也是衡量氧化膜质量及可靠性的一个重要参数。氧化膜的致密、完整程度、氧化膜内杂质和缺陷的含量分布,以及氧化物自身的介电性能都对氧化膜的耐压产生影响。因此要想通过增加介质层单位厚度的耐电压强度来达到提高铝阳极箔比容的目的,就要向膜内引入介电性能好或者形成常数小的物质。SiO2的形成常数较小,介电性能良好,TiO2的介电常数较高,因此将高介电性能的二氧化硅引入到高介电常数的复合膜中,不仅改善复合膜的介电性能,增加氧化铝膜耐电压强度,而且实现阳极箔比容的增大,然而目前此方面的报导较少。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法。为实现本专利技术的目的,一种提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法,采用下述技术方案:a.取一定体积TiCl4逐滴滴加到温度在0~10℃范围内二次水中,搅拌均匀,配制成TiCl4水溶液;b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TEOS),配制成一定浓度的TEOS浸渍液,该过程中保持溶液温度在0~10℃范围内;c.取化成后的铝电极箔,完全浸入到上述浸渍溶液中,浸渍,取出,去离子水冲洗后,在烘箱中烘烤;d.重复上述浸渍步骤c;e.将浸渍好的铝箔片置于马弗炉中煅烧取出,冷却至室温,即得到耐压值提高的铝电极箔。所述的TiCl4水溶液浓度为0.001~0.1mol/L。所述的TEOS浸渍液浓度为0.0001~0.01mol/L。所述化成后的铝电极箔浸渍时间为30s~30min。所述的烘烤温度为65~115℃。所述的烘烤时间为30s~20min。所述重复浸渍次数3~10次。所述浸渍好的铝箔片煅烧温度为300~600℃。所述浸渍好的铝箔片煅烧时间为30s~30min。本专利技术获得的有益效果:使化成箔多次浸渍含有正硅酸乙酯的TiCl4水溶液,经热处理后达到耐压值及比容值均有所提高,为铝电解电容器的生产节约材料,缩小产品体积,且工艺简洁,便于生产应用。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步阐述,但本专利技术并不限于以下实施例。所述方法如无特别说明均为常规方法。实施例1:a.取一定体积TiCl4逐滴滴加到温度在0~10℃范围内二次水中配制成浓度为0.02mol/L的溶液,搅拌均匀;b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TEOS),使TEOS的浓度在0.004mol/L,该过程中保持溶液温度在0~10℃范围内;c.取化成后的铝电极箔,完全浸入到上述浸渍溶液中,浸渍90s,取出,去离子水冲洗,后在100℃烘箱中烘3min;d.重复步骤c,3次;e.将浸渍好的铝箔片置于马弗炉中,在550℃中煅烧5min,取出,冷却至室温,即得到耐压值及比容值均有所提高的铝电极箔。实施例2:a.取一定体积TiCl4逐滴滴加到温度在0~10℃范围内二次水中配制成浓度为0.008mol/L的溶液,搅拌均匀;b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TEOS),使TEOS的浓度在0.001mol/L,该过程中保持溶液温度在0~10℃范围内;c.取化成后的铝电极箔,完全浸入到上述浸渍溶液中,浸渍5min,取出,去离子水冲洗,后在90℃烘箱中烘5min;d.重复步骤c,5次;e.将浸渍好的铝箔片置于马弗炉中,在500℃中煅烧8min,取出,冷却至室温,即得到耐压值及比容值均有所提高的铝电极箔。实施例3:a.取一定体积TiCl4逐滴滴加到温度在0~10℃范围内二次水中配制成浓度为0.004mol/L的溶液,搅拌均匀;b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TEOS),使TEOS的浓度在0.001mol/L,该过程中保持溶液温度在0~10℃范围内;c.取化成后的铝电极箔,完全浸入到上述浸渍溶液中,浸渍8min,取出,去离子水冲洗,后在80℃烘箱中烘8min;d.重复步骤c,6次;e.将浸渍好的铝箔片置于马弗炉中,在450℃中煅烧10min,取出,冷却至室温,即得到耐压值及比容值均有所提高的铝电极箔。实施例4:a.取一定体积TiCl4逐滴滴加到温度在0~10℃范围内二次水中配制成浓度为0.002mol/L的溶液,搅拌均匀;b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TEOS),使TEOS的浓度在0.0005mol/L,该过程中保持溶液温度在0~10℃范围内;c.取化成后的铝电极箔,完全浸入到上述浸渍溶液中,浸渍15min,取出,去离子水冲洗,后在80℃烘箱中烘10min;d.重复步骤c,7次;e.将浸渍好的铝箔片置于马弗炉中,在300℃中煅烧15min,取出,冷却至室温,即得到耐压值及比容值均有所提高的电极箔。表1铝化成箔处理前后耐压值及比容值变化编号耐压值/V比容值/μf/cm2实施例125.575.3实施例228.874.6实施例329.473.9实施例427.974.1未处理化成箔23.773.5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法,其特征在于包括以下步骤:a.取一定体积TiCl

【技术特征摘要】
1.一种提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法,其特征在于包括以下步骤:a.取一定体积TiCl4逐滴滴加到温度在0~10℃范围内二次水中,搅拌均匀,配制成TiCl4水溶液;b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯,配制成一定浓度的正硅酸乙酯浸渍液,该过程中保持溶液温度在0~10℃范围内;c.取化成后的铝电极箔,完全浸入到上述浸渍溶液中,浸渍,取出,去离子水冲洗,后在烘箱中烘烤;d.重复上述浸渍步骤c;e.将浸渍好的铝箔片置于马弗炉中煅烧取出,冷却至室温,即得到耐压值提高的铝电极箔。2.如权利要求1所述的一种提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法,其特征在于:TiCl4水溶液浓度为0.001~0.1mol/L。3.如权利要求1所述的一种提高铝电解电容器用阳极箔比容的方法,其特征在于:正硅酸乙酯浸渍液中正硅酸乙...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋卫国黄佩佩张椿年马坤松曹安民吴昊乔正山张淮浩王赪胤
申请(专利权)人:扬州宏远电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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