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在本发明的一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方法，其中，在电化学蚀刻浴中电化学蚀刻导电衬底的多孔结构的同时原位测量导电衬底的多孔结构，直到获得预定值为止，此时可以从电化学蚀刻浴中移出导电衬底。在另一个实施例中，说明了一种形成储能设备的方...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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