一种电镀前表面处理的方法技术

本发明专利技术涉及一种电镀前表面处理的方法，用于解决传统电池片在电镀前表面粘附性处理成本高且容易产生副作用的缺陷，提供一种电镀前表面处理的方法，首先在去掉电池片栅线处氮化硅减反层的电池片上涂覆一层多孔掩模层，然后通过纳米压印技术将带有目标图形的掩模板压印到多孔掩模层上，最后通过湿法刻蚀使电池片表面带有目标图形的凹凸表面。通过使用纳米压印技术作电镀工艺前的硅片表面处理，有效的避免了传统处理方法的容易产生副作用和成本过高的缺陷，并且避免对硅片表面减反层破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
目前，制备太阳能电池过程中，用于正面金属化的主流エ艺是丝网印刷，但丝网印刷エ艺有其自身的缺点，如高宽比不高；印刷、烧结后形成的栅线是多孔的，电导率不高等。而电镀エ艺制备出来的金属电极其电导率能与正常的金属体材料相当，且能达到较好的高宽比，从而可以减小栅线宽度，減少电池效率的光损失，而且，甚至可以通过直接在硅上电镀Ni/Cu/Sn金属叠层结构来实现完全不含银的电池，从而大幅降低生产成本。但直接在硅上电镀镍有一个较大的缺陷，就是粘附性不好，往往在电镀前需要做表面处理。目前主要是通过蘸PdC12溶液来进行表面处理，Pd2+能与Si发生取代反应， 从而使硅表面变得凹凸不平，这种方法的缺点是，PdC12溶液浓度太稀，表面处理不够充分，而太浓，又会破坏SiNx减反层，从而产生背景电镀(Background plating,又称Ghostplating)。而另外ー种方法就是电镀前用光刻的方法在娃表面刻出沟槽来,但光刻エ艺的成本比较高。纳米压印技术是通过将刻有目标图形的掩模板压印到长有掩模层的衬底上，实现图形转移，随后再刻蚀掩模层较薄的地方，将衬底的表面加工成想要的結果，纳米压印技术比光刻エ艺成本要低得多。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术中的不足，提供，解决传统电池片在电镀前表面粘附性处理成本高且容易产生副作用的缺陷。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是，首先在去掉电池片栅线处氮化硅减反层的电池片上涂覆ー层多孔掩模层，然后通过纳米压印技术将带有目标图形的掩模板压印到多孔掩模层上，最后通过湿法刻蚀使电池片表面带有目标图形的凹凸表面。具有如下实施步骤①、用激光烧蚀去掉电池片栅线处的氮化硅减反层；②、涂覆上ー层多孔掩模层；③、通过纳米压印技术将带有目标图形的掩模板压印到多孔掩模层上；④、用氢氧化钾溶液进行湿法刻蚀，直到多孔掩模层被去除干净，使电池片表面形成带有目标图形的凹凸表面。考虑到好的可塑性及易刻蚀性，多孔掩模层一般为ニ氧化硅层或有机薄膜。为了出于有效控制去除多孔掩模层的速度的目的，在步骤④中氢氧化钾溶液的浓度为I 5%。本专利技术的有益效果是本专利技术提供，通过使用纳米压印技术作电镀エ艺前的硅片表面处理，有效的避免了传统处理方法的容易产生副作用和成本过高的缺陷，并且避免对硅片表面减反层破坏。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进ー步说明。图I是电池片未被打开的结构示意图；图2是栅线已被打开的电池片结构示意图；图3是电池片涂覆上多孔掩模层的结构示意图；图4是电池片被纳米压印后的结构示意图；图5是电池片被湿发刻蚀后的结构示意图。 图中I.电池片，2.氮化硅減反层，3.多孔掩模层。具体实施例方式现在结合附图对本专利技术作进ー步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。，首先在去掉电池片I栅线处氮化硅减反层2的电池片I上涂覆ー层多孔掩模层3，然后通过纳米压印技术将带有目标图形的掩模板压印到多孔掩模层3上，最后通过湿法刻蚀使电池片I表面带有目标图形的凹凸表面，其中，多孔掩模层3可采用ニ氧化硅层或有机薄膜。纳米压印技术是ー种全新的纳米图形复制方法，在此技术中将具有特定图案的标准模板以压印机将其施加于镀有高分子光阻层的基板上，等到降温后移除模板，即可在光阻层上形成所要的图案；在信息存储、生物传感器、亚波长光学器件领域，纳米压印曝光技术已成为价格相对较低、性能可靠、具有量产能力的制备技木；纳米压印可望成为ー种大面积制备微纳结构的エ业化技术，因此，在不显著増加加工成本的基础上，纳米压印技术有希望引入到太阳能电池制备エ艺中，可带来较好的效果。具有如下实施步骤步骤1，如图I图2所示，用激光烧蚀去掉如图I中电池片I栅线处的氮化硅减反层2，形成如图2的结构。步骤2，如图3所示，在栅线已被打开的电池片I表面涂覆上ー层多孔掩模层3。步骤3，通过纳米压印技术将带有目标图形的掩模板压印到多孔掩模层3上，在多孔掩模层3上形成凹凸结构，如图4所示；步骤4，用氢氧化钾溶液进行湿法刻蚀，氢氧化钾溶液的浓度优选为I 5%，直到多孔掩模层3被去除干净，使电池片I表面形成带有目标图形的凹凸表面，如图5所示。通过使用纳米压印技术作电镀エ艺前的硅片表面处理，有效的避免了传统处理方法的容易产生副作用和成本过高的缺陷，并且避免对硅片表面减反层破坏。以上述依据本专利技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项专利技术技术思想的范围内，进行多祥的变更以及修改。本项专利技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电镀前表面处理的方法，其特征在于首先在去掉电池片(I)栅线处氮化硅减反层(2)的电池片(I)上涂覆ー层多孔掩模层(3)，然后通过纳米压印技术将带有目标图形的掩模板压印到多孔掩模层(3)上，最后通过湿法刻蚀使电池片(I)表面带有目标图形的凹凸表面。2.根据权利要求I所述的ー种电镀前表面处理的方法，其特征在于具有如下实施步骤 ①、用激光烧蚀去掉电池片(I)栅线处的氮化硅减反层(2); ②、涂覆上ー...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁声召，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：