检查发光二极管的设备及使用该设备的检查方法技术

技术编号:7837001 阅读:197 留言:0更新日期:2012-10-12 01:04
本发明专利技术公开了一种发光二极管(LED)检查设备和LED检查方法。发光二极管(LED)检查设备包括:至少一个LED,包括涂覆在发射表面上的磷光体;第一照明单元,将可见光发射至LED;第二照明单元,将紫外(UV)光发射至LED;拍摄单元,通过对从LED反射的可见光拍摄来产生至少一个第一图像数据,并通过对从LED反射的UV光拍摄来产生至少一个第二图像数据;确定单元,利用所述至少一个第一图像数据和所述至少一个第二图像数据来确定LED的外观和发射特性的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种用于发光二极管(LED)的检查设备以及ー种使用该设备的检查方法,更具体地说,涉及一种用于通过检查LED的外观和发射特性来确定LED的劣等的检查设备以及ー种使用该设备的检查方法。
技术介绍
最初,发光二极管(LED)封装件起初用于发信号。近来,LED封装件被更加广泛地 应用,例如,用于照明装置与移动电话或诸如液晶显示器(LCD)的大面积显示装置的背光単元(BLU)的光源。由于LED与普通的灯泡或荧光灯相比具有相对低的功耗和长寿命,所以对LED的需求日益增加。随着需求增加,LED的生产快速地增加。因此,在LED中出现缺陷的比例也在日益増加。因此,在将LED销售给消费者之前,执行对LED的外观和发射特性(称作光亮度(PL)特性)的检查。已经执行使用肉眼或使用设备的视觉检查来防止将具有各种外部缺陷(例如外部损坏、污染等)的LED销售给消费者。然而,由于不能通过视觉检查来检查发射特性,所以需要对发射特性的专门检查。可通过包括紫外(UV)灯的显微镜来执行对发射特性的检查。这里,显微镜通过机械地调节开闭器来控制从UV灯发射的光。然而,使用机械开闭器操作会阻碍对发射特性的高速检查。另外,会使设备的寿命缩短,同时UV灯増加初始费用以及维护费用。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供一种通过同时确定LED的与外观和发射特性相关的缺陷来降低检查成本并且能够高速检查的检查设备以及ー种使用该检查设备的检查方法。根据本专利技术的一方面,提供ー种发光二极管(LED)检查设备,所述LED检查设备包括至少ー个LED,包括涂覆在发射表面上的磷光体;第一照明単元,将可见光发射至LED ;第二照明単元,将紫外(UV)光发射至LED;拍摄单元,通过对从LED反射的可见光拍摄来产生至少ー个第一图像数据,并通过对从LED反射的UV光拍摄来产生至少ー个第二图像数据;确定单元,利用所述至少ー个第一图像数据和所述至少ー个第二图像数据来确定LED的外观和发射特性的缺陷。所述LED检查设备还可包括分束単元,用来反射发射的可见光并将反射的可见光透射至LED,并通过透射从LED反射的可见光将该可见光提供至拍摄单元。从LED反射的UV光可包含波长被LED和磷光体转换的波长转换后的光。LED检查设备还可包括设置在LED的上部以使包含在从LED反射的UV光中的波长转换后的光穿过并过滤UV光的滤色器。 拍摄单元可通过对穿过滤色器的波长转换后的光拍摄以产生第二图像数据。确定单元可通过第一图像数据检测LED的对准状态并根据对准状态确定ニ极管的存在。当确定ニ极管存在时,确定单元可将第一图像数据与第一參考图像数据比较,并且当第一图像数据与第一參考图像数据不同吋,确定单元可确定LED的外观有缺陷。当确定LED具有正常的外观时,确定単元可将第二图像数据分为多个区并计算包括在所述多个区中的像素的平均像素值,并且当平像素均值超出容差范围时,确定単元可确定LED的发射特性有缺陷。 当平均像素值在容差范围内吋,确定单元可对第二图像数据进行图像处理,并可将图像处理后的第二图像数据与第二參考图像数据进行比较,当图像处理后的第二图像数据与第二參考图像数据不同吋,确定单元确定LED的发射特性有缺陷。LED检查设备还可包括显示单元,显示由拍摄单元产生的第一图像数据和第二图像数据;存储单元,利用由确定单元对与外观和发射特性的缺陷相关的确定结果对第一图像数据和第二图像数据映射,并储存映射結果。根据本专利技术的另一方面,提供了ー种LED检查方法,该LED检查方法包括下述步骤将可见光发射至包括涂覆在发射表面上的磷光体的至少ー个LED ;通过对从LED反射的可见光拍摄来产生至少ー个第一图像数据;将紫外(UV)光发射至LED ;通过对从LED反射的UV光拍摄来产生至少ー个第二图像数据;利用第一图像数据和第二图像数据确定LED的外观和发射特性的缺陷。从LED反射的UV光可包含波长被LED和磷光体转换的波长转换后的光。产生第二图像数据的步骤可包括使包含在从LED反射的UV光中的波长转换后的光穿过并过滤UV光;通过对过滤后的波长转换后的光拍摄来产生第二图像数据。确定缺陷的步骤可包括通过第一图像数据检查LED的对准状态,井根据对准状态确定ニ极管的存在;当确定ニ极管存在时,将第一图像数据与第一參考图像数据进行比较;当第一图像数据与第一參考图像数据不同时,确定LED的外观有缺陷。确定缺陷的步骤可包括当确定LED具有正常的外观时,将第二图像数据分为多个区,并计算包括在所述多个区中的像素的平均像素值;当平均像素值超出容差范围时,确定LED的发射特性有缺陷。确定缺陷的步骤可包括当平像素均值在容差范围内时,对第二图像数据进行图像处理;将图像处理后的第二图像数据与第二參考图像数据进行比较,并且当图像处理后的第二图像数据与第二參考图像数据不同时,确定LED的发射特性有缺陷。LED检查方法还可包括下述步骤显示第一图像数据和第二图像数据;利用由确定单元对与外观和发射特性的缺陷相关的确定结果对第一图像数据和第二图像数据映射,并储存映射結果。附图说明通过下面结合附图进行的对示例性实施例的描述,本专利技术的这些和/或其它方面、特征和优点将变得更加明显并且更加容易理解,在附图中图I是示出根据本专利技术实施例的发光二极管(LED)检查设备的结构的框图2是示出根据本专利技术实施例的LED检查方法的流程图;图3是示出根据本专利技术实施例的确定LED的外观和发射特性方面的缺点的方法的流程图;图4和图5是示出根据本专利技术实施例的第一图像数据和第二图像数据的图;图6和图7是示出根据本专利技术另ー实施例的第一图像数据和第二图像数据的图;图8和图9是示出根据本专利技术实施例的第二图像数据以及图像处理后的第二图像数据的图;图10至图12是示出根据本专利技术其它实施例的图像处理后的第二图像数据的图。具体实施方式 现在将详细描述本专利技术的示例性实施例,在附图中示出了示例性实施例的示例,其中,相同的标号始終表示相同的元件。在下面的描述中,当确定对与本专利技术相关的公知的功能及其结构的详细描述会使本专利技术的要点不清楚时,将省略这些详细描述。这里使用的术语仅用于描述特定的实施例,并且定义可根据本专利技术的用户、操作者或消费者而改变。这里,应当基于本说明书的描述来定义术语和词语。图I是示出根据本专利技术实施例的发光二极管(LED)检查设备的结构的框图。參照图1,LED检查设备100可包括LED 110、第一照明単元120、第二照明単元130、分束単元140、滤色器150、拍摄单元160和确定单元170。LED 110可具有包括磷光体的芯片结构或者可具有晶片级结构。另外,LED 110可以是安装在封装基底(未示出)上的封装结构或者是模块结构。可在阵列板10上布置多个LED 110。可将磷光体涂覆到LED 110的发射表面上,以转换由LED 110产生的光的波长。可根据从LED 110产生的光的颜色以及将要使用LED 110和磷光体实现的光的颜色来改变磷光体的种类。例如,当由LED 110产生蓝光并且将要利用LED 110和磷光体实现白光时,可使用黄色磷光体作为所述磷光体。当由LED 110产生紫外(UV)光并且将要利用LED 110和磷光体实现白光时,可使用蓝色磷光体、绿色磷光体和红色磷光体作为所述磷光体。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.28 KR 10-2011-00277611.ー种发光二极管检查设备,所述发光二极管检查设备包括 至少ー个发光二极管,包括涂覆在发射表面上的磷光体; 第一照明単元,将可见光发射至发光二极管; 第二照明単元,将紫外光发射至发光二极管; 拍摄单元,通过对从发光二极管反射的可见光拍摄来产生至少ー个第一图像数据,并通过对从发光二极管反射的紫外光拍摄来产生至少ー个第二图像数据; 确定单元,利用所述至少ー个第一图像数据和所述至少ー个第二图像数据来确定发光ニ极管的外观和发射特性的缺陷。2.如权利要求I所述的发光二极管检查设备,所述发光二极管检查设备还包括分束单元,用来反射发射的可见光并将反射的可见光透射至发光二极管,并通过透射从发光二极管反射的可见光将该可见光提供至拍摄单元。3.如权利要求I所述的发光二极管检查设备,其中,从发光二极管反射的紫外光包含通过发光二极管和磷光体对波长进行转换的波长转换后的光。4.如权利要求3所述的发光二极管检查设备,所述发光二极管检查设备还包括设置在发光二极管的上部以使包含在从发光二极管反射的紫外光中的波长转换后的光穿过并过滤紫外光的滤色器。5.如权利要求4所述的发光二极管检查设备,其中,拍摄单元通过对穿过滤色器的波长转换后的光拍摄以产生第二图像数据。6.如权利要求I所述的发光二极管检查设备,其中,确定单元通过第一图像数据检测发光二极管的对准状态并根据对准状态确定ニ极管的存在。7.如权利要求6所述的发光二极管检查设备,其中,当确定ニ极管存在时,确定单元将第一图像数据与第一參考图像数据进行比较,并且当第一图像数据与第一參考图像数据不同吋,确定单元确定发光二极管具有有缺陷的外观。8.如权利要求7所述的发光二极管检查设备,其中,当确定发光二极管具有正常的外观时,确定单元将第二图像数据分为多个区并计算包括在所述多个区中的像素的平均像素值,并且当平均像素值不在容差范围内时,确定単元确定发光二极管具有有缺陷的发射特性。9.如权利要求8所述的发光二极管检查设备,其中,当平均像素值在容差范围内时,确定单元对第二图像数据进行图像处理,并将图像处理后的第二图像数据与第二參考图像数据进行比较,当图像处理后的第二图像数据与第二參考图像数据不同吋,确定单元确定发光二极管具有有缺陷的发射特性。1...

【专利技术属性】
技术研发人员:池元秀权五锡金秋浩
申请(专利权)人:三星LED株式会社
类型:发明
国别省市:

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