线路板的内埋式线路结构的制造方法技术

技术编号:7811186 阅读:203 留言:0更新日期:2012-09-27 20:09
本发明专利技术是有关于一种线路板的内埋式线路结构的制造方法,首先,提供一包括一活化绝缘层的复合基板。活化绝缘层包括多颗触媒颗粒。接着,在活化绝缘层上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少一盲孔。一些触媒颗粒活化并裸露在走线沟、接垫槽与盲孔内。在活化绝缘层上形成至少一与这些走线沟及接垫槽相通的连接沟。一些触媒颗粒活化并裸露在连接沟内。之后,利用化学沉积法,在走线沟、接垫槽、连接沟与盲孔内形成一种子层。之后,利用电镀,在种子层上形成一金属层。最后,移除连接沟。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种线路板(wiring board)的制造流程,特别是涉及ー种。
技术介绍
在现有线路板的制造技术中,线路板的线路结构通常都是利用微影(lithograph)及湿式蚀刻(wet etching)来形成。详细而言,在目前线路结构的制造过程中,通常先进行无电电镀(electroless plating),以在介电层(dielectric layer)上形成全面性覆盖介电层的种子层(seed layer)。接着,利用微影,在种子层上形成图案化光阻层(patterned photoresist layer),其局部暴露种子层。之后,进行电镀(electroplating),在种子层上形成金属层(metal layer)。然后,进行湿式蚀刻,也就是利用蚀刻液来移除部分种子层,从而形成线路板的线路结构。
技术实现思路
本专利技术提供一种,用以制造线路板的内埋式线路结构。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种。首先,提供一包括ー活化绝缘层的复合基板,其中活化绝缘层包括ー绝缘层以及多颗分布在绝缘层中的触媒颗粒,并具有一外平面。接着,在外平面上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少ー盲孔,其中ー些触媒颗粒活化并裸露在这些走线沟、接垫槽与盲孔内,至少一条走线沟与接垫槽相通,而盲孔位于接垫槽的下方,并与接垫槽相通。在外平面上形成至少一与这些走线沟及接垫槽相通的连接沟,而ー些触媒颗粒活化并裸露在连接沟内。之后,利用一化学沉积法,在这些走线沟、接垫槽、连接沟与盲孔内形成一种子层,其中这些已活化的触媒颗粒參与化学沉积法的化学反应。在形成种子层之后,利用电镀,在种子层上形成一金属层,以在这些走线沟内分别形成多条走线,在接垫槽内形成ー接垫,在盲孔内形成ー导电柱,以及在连接沟内形成ー电镀线。在形成这些走线与接垫之后,移除电镀线。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进ー步实现。前述的,其中所述的化学沉积法为无电电镀或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)。前述的,其中移除电镀线的方法包括研磨(grinding)、刷磨(rubbing)或蚀刻(etching)。前述的,其中形成这些走线沟、接垫槽、盲孔与连接沟,并活化这些触媒颗粒的方法包括对活化绝缘层进行激光烧蚀(laser ablation)或等离子体蚀刻(plasma etching)。前述的,其中所述的连接沟相对于外平面的深度小于这些走线沟相对于外平面的深度以及接垫槽相对于外平面的深度。前述的,其中所述的导电柱为实心柱体。前述的,其中这些触媒颗粒的材料包括至少一种金属配位化合物(metal coordination compound)。前述的,其中所述的金属配位化合物的材料选自于由锌、铜、银、金、镍、钮、钼、钴、错、铱、铟、铁、猛、铬、钥、鹤、银、钽以及钛所组成的群组。前述的,其中这些触媒颗粒为多个金属颗 粒。前述的,其中所述的绝缘层的材料是选自于由环氧树脂、改质的环氧树脂、聚脂、丙烯酸酷、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、双顺丁烯ニ酸-三氮杂苯树脂、氰酸聚酷、聚こ烯、聚碳酸酯树月旨、丙烯-丁ニ烯-苯こ烯共聚合物、聚对苯ニ甲酸こニ酯树脂、聚对苯ニ甲酸丁ニ酯树脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龙、共聚聚甲醛、聚苯硫醚以及环状烯烃共聚高分子所组成的群组。前述的,其中所述的复合基板更包括一内层线路基板(inner wiring substrate)以及ー线路层。线路层配置在内层线路基板上。活化绝缘层配置在内层线路基板上,并覆盖线路层。盲孔局部暴露线路层。前述的,其中所述的电镀线的线宽与各条走线的线宽的比值介于I至5之间。前述的,其中所述的复合基板为ー母线路基板,并包括一位于平面上的金属框线,而金属层连接金属框线。前述的,其中更包括形成多条外部连接沟。这些外部连接沟从金属框线延伸,并与走线沟、接垫槽以及连接沟相通。在形成金属层之后,金属层填满这些外部连接沟,以在这些外部连接沟内形成多条外部电镀线。前述的,其中各条外部电镀线的线宽与各条走线的线宽的比值介于5至50之间。前述的,其中形成金属层的方法包括对金属框线通电。前述的,其中所述的金属框线的线宽与各条走线的线宽的比值介于10至100之间。基于以上所述,由于连接沟与这些走线沟、接垫槽及盲孔相通,因此在利用裸露并活化的触媒颗粒来形成种子层之后,位于连接沟内的种子层能使位于走线沟内的种子层与位于接垫槽及盲孔内的种子层相连。如此,利用电镀,能在走线沟内形成走线,在接垫槽内形成接垫,在盲孔内形成导电柱以及在连接沟内形成电镀线。在移除电镀线之后,线路板的内埋式线路结构得以制造完成。综上所述,本专利技术在技术上有显著的进步,具有明显的积极效果,诚为一新颖、迸步、实用的新设计。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。附图说明图IA至图IJ是本专利技术一实施例的的流程示意图。图2A是在进行本专利技术另一实施例的流程中的一种复合基板的俯视示意图。图2B是图2A的局部放大示意图。100 :线路板110、310:复合基板 112 :活化绝缘层 112a:触媒颗粒112b:绝缘层114:线路层114a、150:接垫 114b、140:走线116:内层线路基板120 :种子层130:金属层160:导电柱170:电镀线192:外部电镀线312 :线路单元314 :平面316 :金属框线Cl :连接沟C2:外部连接沟D1、D2、D3:深度Hl :盲孔Pl :接垫槽SI :外平面Tl :走线沟W1、W2、W3、W4 :线宽具体实施例方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本专利技术提出的其具体实施方式、方法、步骤、特征及其功效,详细说明如后。有关本专利技术的前述及其他
技术实现思路
、特点及功效,在以下配合參考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明,应当可对本专利技术为达成预定目的所采取的技术手段及功效获得一更加深入且具体的了解,然而所附图式仅是提供參考与说明之用,并非用来对本专利技术加以限制。图IA至图IJ是本专利技术一实施例的的流程示意图。请參阅图IA与图IB所示,其中图IA为俯视示意图,而图IB是图IA中沿线I-I剖面所绘示的剖面示意图。在本实施例的内埋式线路结构的制造方法中,首先,提供一复合基板110。复合基板110包括ー活化绝缘层112,而活化绝缘层112具有一外平面SI,并包括多个触媒颗粒112a以及ー绝缘层112b,其中这些触媒颗粒112a分布在绝缘层112b中。这些触媒颗粒112a可以是多个具有金属成分的纳米颗粒,其例如含有金属原子或金属离子。详细而言,这些触媒颗粒112a可以是多颗金属颗粒,例如钯金属颗粒。此夕卜,这些触媒颗粒112a的材料也可以包括ー种以上的金属配位化合物,其中金属配位化合物例如是金属氧化物、金属氮化物、金属错合物(metal complex)或金属螯合物(metalchelation;。金属配位化合物的本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.23 TW 1001098261.一种线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其包括以下步骤 提供一包括ー活化绝缘层的复合基板,其中该活化绝缘层包括ー绝缘层以及多颗分布在该绝缘层中的触媒颗粒,并具有一外平面; 在该外平面上形成多条走线沟、至少一接垫槽与至少ー盲孔,其中ー些触媒颗粒活化并裸露在该些走线沟、该接垫槽与该盲孔内,至少一条走线沟与该接垫槽相通,而该盲孔位于该接垫槽的下方,并与该接垫槽相通; 在该外平面上形成至少一与该些走线沟及该接垫槽相通的连接沟,而ー些触媒颗粒活化并裸露在该连接沟内; 利用一化学沉积法,在该些走线沟、该接垫槽、该连接沟与该盲孔内形成一种子层,其中该些已活化的触媒颗粒參与该化学沉积法的化学反应; 在形成该种子层之后,利用电镀,在该种子层上形成一金属层,以在该些走线沟内分别形成多条走线,在该接垫槽内形成ー接垫,在该盲孔内形成ー导电柱,以及在该连接沟内形成一电镀线;以及 在形成该些走线与该接垫之后,移除该电镀线。2.根据权利要求I所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的化学沉积法为无电电镀或化学气相沉积。3.根据权利要求I所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中移除该电镀线的方法包括研磨、刷磨或蚀刻。4.根据权利要求I所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该些走线沟、该接垫槽、该盲孔与该连接沟,并活化该些触媒颗粒的方法包括对该活化绝缘层进行激光烧蚀或等离子体蚀刻。5.根据权利要求I所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的连接沟相对于该外平面的深度小于该些走线沟相对于该外平面的深度以及该接垫槽相对于该外平面的深度。6.根据权利要求I所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的导电柱为实心柱体。7.根据权利要求I所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中该些触媒颗粒的材料包括至少ー种金属配位化合物。8.根据权利要求I所述的线路板的内埋式线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的金属配位化合物的材...

【专利技术属性】
技术研发人员:余丞博徐嘉良张启民
申请(专利权)人:欣兴电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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