提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高锗硅工艺中光刻对准精度的方法，其为在进行锗硅薄膜生长之前，去除光刻对准标记区域中位于硅衬底上的膜层。本发明专利技术的方法，使光刻对准区域的锗硅薄膜直接生长在硅衬底上，以提高光刻对准精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻对准的方法，特别涉及一种锗硅エ艺中光刻对准的方法。
技术介绍
锗硅(SiGe)是继Si和砷化镓(GaAs)之后的ー种重要的半导体材料。由于SiGe具有优于纯Si的良好特性，且在エ艺上与Siエ艺兼容。采用锗硅制作出的器件的电路性能几乎可达到神化镓(GaAs)等化合物半导体器件的电路水平，甚至在许多方面可代替化合物半导体器件和电路器件的应用。在微电子器件和电路应用方面，SiGe不仅在频率和速度上可以超越Si,而且在成本上也可以超越GaAs。为了得到更好的器件性能，锗硅器件的制备エ艺中，对关键尺寸和对准精度要求很高，特别是发射极多晶娃(Emitter poly)的对准精度,对锗娃器件的制造至关重要。现 有锗硅エ艺中，对准光刻标记首先在有源区形成，然后经氧化物淀积，多晶硅淀积，最后外延生长锗硅薄膜。由于光刻标记区域的锗硅薄膜生长在多晶硅或氧化物或氮化物上，膜层质量受到多晶硅，氧化物和氮化物的表面质量的影响，表面十分粗糙，并且很不稳定。而光刻对准采用的是光学信号(见图I至图3)，对准标记的粗糙程度对光刻有明显影响，表面粗糙对准就会有较大偏差，并且不能准确量測。目前，对锗硅エ艺的对准的研究主要集中在改善不同衬底上锗硅外延膜的质量上，效果不甚明显，还没能从根本上解决锗硅器件制备过程中光刻的对准问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种提高锗硅エ艺中光刻对准精度的方法，其能有效提高光刻对准的精度。为解决上述技术问题，本专利技术的提高锗硅エ艺中光刻对准精度的方法，为在进行锗硅薄膜生长之前，去除光刻对准标记区域中位于硅衬底上的膜层。本专利技术的方法中，在锗硅薄膜生长之前，将光刻对准标记区域中硅衬底之上的膜层都去除，即使得锗硅薄膜生长在硅衬底上，由此得到表面平滑，质量较好的锗硅薄膜，从而提高对准标记的信号強度进而改善对准精度。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进ー步详细的说明图I至图3为传统エ艺产生的光刻对准标记信号不意图；图4为采用本专利技术的方法产生的光刻对准标记信号示意图。具体实施例方式根据现有大量研究结果及实验数据，生长在单晶硅上的锗硅薄膜表面比较均匀，表面平滑，而且质量相对比较稳定。因此本实施例的方法为在锗硅薄膜生长之前，将位于光刻标记区域中硅衬底上的膜层去除，可包括氧化物和多晶硅，使锗硅薄膜直接生长在单晶硅上，由此使对准标记的信号得到明显改善，有效地解决了光刻的对准问题，提高了对准精度。具体エ艺可为先用光刻エ艺定义出光刻标记区域，而后采用刻蚀去除硅衬底上的材料。上述方法中，单晶硅为半导体エ艺中通用的衬底材料。衬底上的膜层可以是硅的氧化物，硅的氮化物或者多晶硅材料，也可以上述材料的任意两种或者三种的组合。在去除步骤和锗硅薄膜生长步骤之间，也可包含有一歩或者多步注入步骤(为非图形形成エ艺)。上述提到的光刻エ艺中，可以采用正性光刻胶，也可以采用负性光刻胶，可以有光罩也可以没有，可以采用各种波长光刻机。去除步骤中，刻蚀エ艺可以是湿法刻蚀，也可以用干法刻蚀。在刻蚀过程中，对衬底材料的一定损耗是允许的。图4为采用本专利技术的方法实施例中形成的光刻对准标记的信号示意图。与传统的エ艺相比(图I至图3)，对准信号明显增強。因此，本专利技术的方法，为エ艺的稳定，器件性能 的稳定及量产打下良好的基础。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高锗硅エ艺中光刻对准精度的方法，其特征在于在进行锗硅薄膜生长之前，去除光刻对准标记区域中位于硅衬底上的膜层。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于所述位于娃衬底上的膜层为娃的氧化膜、娃的氮化膜和多晶娃层中的任...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏波，李敦然，叶果，孟鸿林，王雷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：