用酸及氧化性气体的混合物处理表面的方法和装置制造方法及图纸

通过混合气态臭氧和热硫酸，使得气体/液体分散系或硫酸中的臭氧泡沫应用于待处理的晶片表面的层，以实现在单晶片前端湿处理站中的注入了离子的光刻胶的改善的去除。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用无机酸和氧化性气体混合物来处理例如半导体晶片等物体的表面的方法和装置。
技术介绍
半导体晶片在集成电路制造过程中经过多种湿处理阶段，其中之一是从晶片去除光刻胶。当光刻胶通过湿处理剥除时，用于剥除的化学成分中包含硫酸与过氧化氢混合的溶液(SPM)。处理过程中，SPM处理需要加入H2O2，以补充用尽的氧化剂，这会增加水，稀释酸/过氧化氢混合物，从而降低反应性能。SOM (硫酸臭氧混合物)处理也被推荐了。这些处理包括分解硫酸中的臭氧使臭氧与硫酸反应生成二过硫酸(dipersulfuric acid)或过二硫酸(H2S2O8),虽然在酸性水溶液中该反应也会生成水，如以下方程式所示 2HS04>03<===>02+H20+S2082_不会与硫酸反应的臭氧还是可以像这样溶解在硫酸溶液中，因而作为氧化剂用于去除待剥除的物质。美国专利No. 6，701，941描述了将去离子水和臭氧一起配送至处理室中，使得去离子水在待处理的晶片上形成层，臭氧容纳在处理室中，离开所述层，通过所述液体层扩散至待处理的晶片表面。
技术实现思路
本专利技术的专利技术人发现用于从晶片去除光刻胶的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特·库姆宁，赖因哈德·泽尔墨，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：