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通过混合气态臭氧和热硫酸，使得气体/液体分散系或硫酸中的臭氧泡沫应用于待处理的晶片表面的层，以实现在单晶片前端湿处理站中的注入了离子的光刻胶的改善的去除。...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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