发光装置制造方法及图纸

一种发光装置，包括一基板、多个整流二极管与至少一发光二极管模块。基板上开设有第一凹槽、第二凹槽与第三凹槽。其中，整流二极管分别设置于第一凹槽与第三凹槽中，发光二极管模块设置于第二凹槽中，且发光二极管模块由多个发光二极管所组成。藉此，发光装置不仅可用以整流转换交流电源，以驱动发光二极管发光，相较于现有技术的发光装置，此种发光装置更具有较佳的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光装置，尤其是一种基板上具有至少一发光二极管模块，且发光二极管模块由多个发光二极管所组成的发光装置。
技术介绍
随着科技的日渐沿革，各类电子产品的发展亦 日新月异。其中电子产品，尤以照明装置等背光模块为最，皆大量地使用到发光二极管(Light EmittingDiode，LED)，以作为其照明的光源。由于发光二极管具有耐用、轻巧、使用寿命长且低耗电的优点，因此发光二极管逐渐成为照明产业与半导体产业的主流。一般而言，发光二极管可被用于照明装置、液晶显示器的背光模块或是指示灯的光源。然而，于实务层面上而言，目前的发光二极管光源存在有仅能以直流电源操作的问题。也就是说，在使用市电或是其它交流电源的情况下，发光二极管光源将无法使用，因此造成发光二极管应用上的受限。有鉴于此，目前业界遂发展出适于交流电源可使用的交流发光二极管(Alternating Current LED, AC LED),其透过桥式整流的架构进行设计,令交流发光二极管可直接使用市电所提供的交流电源。一般而言，当交流电源各自形成正、负周期时，发光二极管中将有部分被导通，而未被导通的发光二极管则必须承受逆向偏压；在此情况下，发光二极管交替承受逆向偏压，而当逆向偏压过大时，便会产生高逆向偏压的漏电流(leakagecurrent)，导致发光二极管晶粒的击穿现象，或影响到整体发光二极管的发光寿命，降低其可靠度(reliability)。其次，承以前例而言，由于经桥式整流所驱动的该些发光二极管并无法同时地被点亮，也就是说，仅有1/2的发光二极管区段可被点亮，于此，将使得发光二极管的有效载荷(payload)大幅下降,影响发光效益。因此，如何解决现有技术交流发光二极管耐压受限的问题，并且提供一种可用以承受高压输入市电，并具有较高有效载荷的发光装置，实为相关领域者目前迫切需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种发光装置，以解决现有技术所存在的问题。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种发光装置，包括一基板、多个整流二极管与至少一发光二极管模块。其中，基板具有一表面，且基板于该表面上开设有第一凹槽、第二凹槽与第三凹槽。整流二极管设置于第一凹槽与第三凹槽中。发光二极管模块设置于第二凹槽中，且发光二极管模块包括多个发光二极管。上述的发光装置，其中发光二极管模块中的该些发光二极管可选择性地以串联或并联方式连接。上述的发光装置，其中整流二极管可平均地设置于第一凹槽与第三凹槽之中。上述的发光装置，其中第一凹槽与第三凹槽其中之一还包括多个次凹槽，每一次凹槽用以容置每一整流二极管。每一次凹槽之间可以一突出接口间隔，且连接每一整流二极管的导电走线贯穿突出接口。上述的发光装置，其中每一次凹槽之间可以二隔离部间隔，且连接每一整流二极管的导电走线跨越该隔离部。上述的发光装置，发光装置可包括多个该发光二极管模块，其中每一发光二极管模块皆包括该些发光二极管，且该些发光二 极管模块以数组式设置于第二凹槽中。上述的发光装置，其中该些整流二极管包括一第一整流二极管、一第二整流二极管、一第三整流二极管与一第四整流二极管，第一整流二极管串联第二整流二极管，第三整流二极管串联第四整流二极管，第一整流二极管与第二整流二极管之间具有一第一交流节点，第三整流二极管与第四整流二极管之间具有一第二交流节点，第一交流节点与第二交流节点承接一交流电源，交流电源经过该些整流二极管的整流后输出一直流电源，以驱动发光二极管模块发光。上述的发光装置，其中该些发光二极管模块包括一第一发光二极管模块、一第二发光二极管模块、一第三发光二极管模块与一第四发光二极管模块，第一发光二极管模块电性连接第三发光二极管模块，第二发光二极管模块电性连接第四发光二极管模块、第二整流二极管与第四整流二极管，第三发光二极管模块电性连接第一发光二极管模块、第一整流二极管与第三整流二极管。上述的发光装置，其中基板的底部与凹槽之间另具有至少一底层导电走线、至少一顶层导电走线与至少一中层导电走线。中层导电走线夹置于底层导电走线与顶层导电走线之间。顶层导电走线包括一顶层第一导电走线、一顶层第二导电走线、一顶层第三导电走线与一顶层第四导电走线。中层导电走线包括一中层第一导电走线与一中层第二导电走线。第二整流二极管与第三整流二极管各自通过底层导电走线连接交流电源，第一发光二极管模块与第二发光二极管模块各自通过顶层第一导电走线与顶层第四导电走线而电性连接于第三发光二极管模块与第四发光二极管模块。第一整流二极管与第三整流二极管各自通过中层第一导电走线与中层第二导电走线而电性连接于第二整流二极管与第四整流二极管，其中第二发光二极管模块与第三发光二极管模块另各自通过顶层第二导电走线与顶层第三导电走线而电性连接于第二整流二极管与第四整流二极管、以及第一整流二极管与第三整流二极管。上述的发光装置，其中该些整流二极管与发光二极管模块可同时配置于基板上的同一凹槽中，抑或是直接配置于基板上。上述的发光装置，其中基板的材质可以是低温共烧陶瓷(Low-TemperatureCofired Ceramics, LTCC)。上述的发光装置,其中发光二极管可经由打线接合(wire bonding)或倒装芯片安装(flip chip bonding)于基板。本专利技术的技术效果在于本专利技术的发光装置，其通过整流二极管将交流电源整流之后输出直流电源，令该直流电源驱动发光二极管模块发光。其次，本专利技术的发光装置，发光二极管模块还可选择性地由多个相互串联或并联的发光二极管所组成，藉此提高发光装置的耐压，并且相较于现有技术的发光装置，可具有较佳的有效载荷。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图IA为本专利技术一实施例的发光装置的等效电路示意图；图IB为图IA的发光装置的结构示意图； 图IC为图IA的发光装置的结构示意图；图2A为图IB的发光装置的底层导电走线的布局示意图；图2B为图IB的发光装置的中层导电走线的布局示意图；图2C为图IB的发光装置的顶层导电走线的布局示意图；图3A为图IB的发光装置具有串联发光二极管的等效电路示意图；图3B为图IB的发光装置具有并联发光二极管的等效电路示意图；图4A为本专利技术又一实施例的发光装置的结构示意图；图4B为本专利技术又一实施例的发光装置的结构示意图；图5A为图4A的发光装置的底层导电走线的布局示意图；图5B为图4A的发光装置的中层导电走线的布局示意图；图5C为图4A的发光装置的顶层导电走线的布局示意图；图6A为本专利技术又一实施例的发光装置的结构示意图；图6B为本专利技术又一实施例的发光装置的结构示意图。其中，附图标记10发光装置10发光装置20第一交流节点22第二交流节点24a中层第一导线走线24b中层第二导线走线26a顶层第一导电走线26b顶层第二导电走线26c顶层第三导电走线26d顶层第四导电走线28导线走线30a第一贯穿孔30b第二贯穿孔30c第三贯穿孔30d第四贯穿孔102基板104a第一整流二极管104b第二整流二极管104c第三整流二极管104d第四整流二极管106a第一发光二极管模块106b第二发光二极管模块106c第三发光二极管模块106d第四发光二极管模块108隔离部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.14 TW 1001084941.一种发光装置，其特征在于，包括 一基板，具有一表面，该基板于该表面上开设有一第一凹槽、一第二凹槽与ー第三凹槽； 多个整流ニ极管，设置于该第一凹槽与该第三凹槽中；以及 至少ー发光二极管模块，设置于该第二凹槽中，该发光二极管模块包括多个发光二极管。2.如权利要求I所述的发光装置，其特征在于，该发光二极管模块中的该些发光二极管可选择性地以串联或并联方式连接。3.如权利要求I所述的发光装置，其特征在干，该第一凹槽与该第三凹槽其中之ー还包括多个次凹槽，每ー该次凹槽用以容置每ー该整流ニ极管。4.如权利要求3所述的发光装置，其特征在干，每ー该次凹槽之间以ー突出接ロ间隔。5.如权利要求3所述的发光装置，其特征在干，每ー该次凹槽之间以两隔离部隔离。6.如权利要求5所述的发光装置，其特征在于，每ー该隔离部的材质为ニ氧化硅。7.如权利要求I所述的发光装置，其特征在于，还包括一封装体，填充于该些凹槽，以封装该些整流ニ极管与该发光二极管模块。8.如权利要求I所述的发光装置，其特征在于，该基板的材质为低温共烧陶瓷。9.如权利要求I所述的发光装置，其特征在于，该些整流ニ极管包括一第一整流ニ极管、一第二整流ニ极管、一第三整流ニ极管与一第四整流ニ极管，该第一整流ニ极管串联该第二整流ニ极管，该第三整流ニ极管串联该第四整流ニ极管，该第一整流ニ极管与该第二整流ニ极管之间具有一第一交流节点，该第三整流ニ极管与该第四整流ニ极管之间具有一第二交流节点，该第一交流节点与该第二交流节点承接一交流电源，该交流电源经该些整流ニ极管的整流后输出一直流电源，以驱动该至少ー发光二极管模块发光。10.如权利要求9所述的发光装置,其特征在于,该至少ー发光二极管模块包括一第一发光二极管模块、一第二发光二极管模块、一第三发光二极管模块与ー第四发光二极管模块，该第一发光二极管模块电性连接该第三发光二极管模块，该第二发光二极管模块电性连接该第四发光二极管模块、该第二整流ニ极管与该第四整流ニ极管，该第三发光二极管模块电性连接该第一发光二极管模块、该第一整流ニ极管与该第三整流ニ极管。11.如权利要求10所述的发光装置，其特征在于，该基板的底部与该第一凹槽、该第二凹槽与该第三凹槽之间另具有至少ー底层导电走线、至少一顶层导电走线与至少一中层导电走线，该中层导电走线夹置于该底层导电走线与该顶层导电走线之间，该顶层导电走线包括ー顶层第一导电走线、一顶层第二导电走线、一顶层第三导电走线与ー顶层第四导电走线，该中层导电走线包括一中层第一导电走线与一中层第二导电走线，该第二整流ニ极管与该第三整流ニ极管各自通过该底层导电走线连接该交流电源，该第一发光二极管模块与该第二发光二极管模块各自通过该顶层第一导电走线与该顶层第四导电走线而电性连接于该第三发光二极管模块与该第四发光二极管模块，该第一整流ニ极管与该第三整流ニ极管各自通过该中层第一导电走线与该中层第二导电走线而电性连接于该第二整流ニ极管与该第四整流ニ极管，其中该第二发光二极管模块与该第三发光二极管模块另各自...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锡烟，
申请(专利权)人：英特明光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：