薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管(TFT)及制造该薄膜晶体管的方法。TFT包括厚度均匀的线形栅极。栅极的横截面在侧表面和顶表面相遇的地方是弯曲的。该栅极包括一条或两条或者更多条栅极线。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制造该薄膜晶体管的方法
实例实施方式涉及薄膜晶体管(TFT)，具体地，涉及当电极通过喷墨印刷形成时电极表面的平坦性被改善的TFT。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)在各种应用中使用，例如作为液晶显示器(LCD)以及使用有机发光二极管(OLED)的显示器的开关器件和驱动器件，以及作为交叉点型存储器件的选择开关。目前，LCD被广泛用作电视(TV)面板，正在进行OLED用于TV的研究。通常，大尺寸TV或数字信息显示器(DID)应当以低成本生产并具有高图像质量(在移动图像表现、高分辨率、亮度、黑白比以及颜色再现性上)。TFT应当适于用作高性能显示器的开关器件和驱动器件，该高性能显示器使用例如玻璃的大尺寸基板形成。TFT通过使用传统的光刻工艺形成。然而，传统的光刻工艺是相对复杂的工艺，其中光致抗蚀剂(PR)被使用和去除，导电或半导电材料被沉积，沉积的材料的一部分被去除。由于高材料消耗，传统的光刻工艺对环境是不利的。作为光刻的一种选择，印刷被用于制造TFT，并且印刷的使用逐渐增加。在各种印刷方法中，喷墨印刷被广泛使用。然而，当导电或半导电材料被喷墨印刷时，当包含在墨水中的溶剂蒸发时，与印刷区域的任何其他部分相比，包含在墨水中的溶质的浓度在印刷区域的边缘处更大。这样的效果被称作“咖啡斑点”效应。在存在咖啡斑点效应的情况下，印刷区域的平坦性水平相对低。
技术实现思路
本专利技术可提供具有提高的平坦性水平的薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管包括在一方向上的连续栅极线。本专利技术可提供通过喷墨印刷在一方向上形成连续栅极线从而制造具有提高的平坦性水平的TFT的方法。根据实例实施方式，一种薄膜晶体管包括：至少一条栅极线，在第一方向上延伸；栅极绝缘层，形成在栅极线上；以及源极和漏极，形成在栅极绝缘层上。从由源极和漏极构成的组中选出的至少一个包括延伸部分，该延伸部分在第一方向上平行于栅极线延伸。栅极线可以具有带有弯曲部分的横截面。源极和漏极的每个可以包括延伸部分，源极的延伸部分和漏极的延伸部分设置为对应于栅极线的相对两侧。栅极线的宽度可以为60微米或更小，栅极线的宽度可以为约35至约55微米。栅极线可以包括在第一方向上延伸的至少两条栅极线。从由源极和漏极构成的组中选出的至少一个可以包括多个延伸部分。至少两条栅极线中的至少一个的宽度可以为60微米或更小。源极和漏极的每个可以包括多个延伸部分。源极和漏极的每个的延伸部分的一部分可以形成在栅极绝缘层的一部分上，在栅极绝缘层的该部分处延伸部分交叠至少两条栅极线，源极的延伸部分和漏极的延伸部分交替布置。根据一些实例实施方式，薄膜晶体管阵列可以包括共同享有一条栅极线的多个上文所述的TFT。根据其他实例实施方式，一种制造薄膜晶体管的方法包括：通过喷墨印刷在基板上沿第一方向形成至少一条栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上形成源极和漏极。从由源极和漏极构成的组中选出的至少一个包括延伸部分，该延伸部分形成为平行于栅极线延伸。附图说明从以下结合附图的简洁描述，将更清楚地理解实例实施方式。图1至图8B表现了如在此描述的没有限制的实例实施方式。图1A是示出根据实例实施方式的薄膜晶体管(TFTs)的平面图；图1B为沿图1A的线1B-1B’截取的剖视图；图1C为沿图1A的线1C-1C’截取的剖视图；图2是示出图1A的TFT的阵列结构的平面图；图3A至3D是示出根据至少一个实例实施方式制造TFT的方法的平面图；图4为图3A-3D的方法的流程图；图5A为示出根据另一实例实施方式的TFT的平面图；图5B为沿图5A的线VB-VB’截取的剖视图；图5C为沿图5A的线VC-VC’截取的剖视图；图6A为示出根据又一实例实施方式的TFT的平面图；图6B为沿图6A的线VIB-VIB’截取的剖视图；图7为根据一些实例实施方式的电子系统的方块图；图8A为示出传统TFT的平面图；以及图8B沿图8A的线VIIIB-VIIIB’的一部分截取的剖视图，示出咖啡斑点效应的结果。具体实施方式现将出口其中示出实例实施方式的附图更完全地描述实例实施方式。然而，实例实施方式可以以不同的形式实现，而不应限于这里阐述的实施方式；而是，提供这些实施方式使得本公开彻底和完整，并向本领域一般技术人员全面地传达实例实施方式的构思。在附图中，为了清楚，夸大了层和区域的厚度。附图中相似的附图标记指代相似的元件，所以将省略对它们的描述。图1A是示出根据实例实施方式的薄膜晶体管(TFTs)的平面图。参照图1A，根据至少一个实例实施方式的TFT1可以包括栅极11、栅极绝缘层12、源极13、漏极14和沟道15。栅极11可以沿第一方向在基板上，栅极绝缘层12可以在栅极11上。源极13和漏极14可以在栅极绝缘层12上。源极13和漏极14可以分别包括公共部分13a和14a以及延伸部分13b和14b。源极13的延伸部分13b和漏极14的延伸部分14b可以在栅极11的面对两侧上平行于第一方向。沟道15可以包括半导体材料并可以在源极13和漏极14上。根据一些实例实施方式，源极13和漏极14的位置可以相对于彼此改变。图1B是沿图1A的线IB-IB’截取的剖视图。参照图1B，栅极11可以在基板10上。栅极绝缘层12可以在栅极11上。栅极13和漏极14可以在栅极绝缘层12的对应于栅极11的相对两侧的部分上。沟道15可以在栅极绝缘层12的在源极13与漏极14之间的部分上。图1C是沿图1A的线IC-IC’截取的剖视图。图1C为沿栅极11的第一方向截取的TFT1的剖视图。参照图1C，栅极11可以在基板10上。栅极绝缘层12可以在栅极11上。漏极14可以在栅极绝缘层12上，包括半导体材料的沟道15可以在漏极14的延伸部分14b上。当栅极11通过喷墨印刷形成时，线形栅极11的厚度可以在第一方向上是均匀的，源极13的延伸部分13b和漏极14的延伸部分14b可以包括突出端。根据至少一个实例实施方式，TFT1包括沿第一方向穿过TFT1持续延伸的栅极11。例如，栅极线11可以穿过整个TFT1使得栅极11的端部不在TFT1内。TFT的平面度整体上可以是统一的平面度当TFT通过使用传统的喷墨印刷工艺制造时，连接到栅极汇流线的栅极延伸部分可以突出，在此情形下，栅极的端部可以向上突出。图8A为示出传统TFT的平面图。图8B为沿图8A的线VIIIB-VIIIB’的一部分截取的剖视图，示出咖啡斑点效应的结果。图8B是示出栅极的突出端的视图，该突出端是在形成栅极时由于咖啡斑点效应而形成。参照图8A和8B，TFT8可以包括栅极延伸部分101、栅极绝缘层102、源极103和漏极104。栅极延伸部分101可以是在基板100上的栅极线的栅极延伸。栅极绝缘层102可以在栅极延伸部分101上。源极可以在栅极绝缘层102的对应于栅极延伸部分101的部分上。在喷墨印刷期间，可以形成连接到栅极汇流线的多个栅极延伸部分101。当形成栅极延伸部分101时，在栅极延伸部分101的端部处的溶剂蒸发速率可以大于栅极延伸部分101的其他部分的溶剂蒸发速率。在喷墨工艺的墨水里的溶质可以朝向栅极延伸部分101的端部流动。栅极延伸部分101的厚度可以是不均匀的，栅极延伸部分101的端部可以突出。咖啡斑点效应指代这种现象，可能在延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.03 KR 10-2011-00190911.一种薄膜晶体管，包括：至少一条栅极线，在第一方向上延伸；栅极绝缘层，在所述至少一条栅极线上；源极和漏极，在所述栅极绝缘层上且彼此间隔开；沟道，在所述栅极绝缘层以及所述源极和所述漏极上；其中所述源极和所述漏极的每个包括在交叉所述第一方向的第二方向上延伸的公共部分，所述源极和所述漏极的至少一个包括至少一个延伸部分，该至少一个延伸部分在所述第一方向上平行于所述栅极线延伸，其中所述至少一个延伸部分的端部向上突出，所述沟道具有在所述至少一个延伸部分的所述端部上弯曲的弯曲横截面。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述栅极线的横截面包括弯曲部分。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述源极和所述漏极的每个包括延伸部分，以及所述源极的延伸部分和所述漏极的延伸部分设置为对应于所述栅极线的相对两侧。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述栅极线的宽度小于或等于60微米。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述栅极线的宽度为35微米至55微米。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述至少一条栅极线是在所述第一方向上延伸的至少两条栅极线。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述至少一个延伸部分是多个延伸部分。8.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述至少两条栅极线中的至少一个的宽度小于或等于60微米。9.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述源极和所述漏极的每个包括多个延伸部分。10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述源极的多个延伸部分和所述漏极的多个延伸部分中的至少一个的每个交叠所述至少两条栅极线中的两条，以及所述源极的多个延伸部分和所述漏极的多个延伸部分交替布置。11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管不包括所述栅极线的端部。12.一种薄膜晶体管阵列，包括：多个如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪英基，郑在佑，李丞镐，金重赫，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：