本发明专利技术涉及一种TFT、制备该TFT的掩模板及包括该TFT的显示装置，属于显示技术领域。为了消除目前SSM方式中因易出现短沟道效应而导致产率过低、良品率不足的问题，本发明专利技术所提供的薄膜晶体管的沟道部结构为通过灰色调掩膜工艺以单隙缝方式来制得，所述沟道部结构的宽度在2μm～6μm之间。通过将薄膜晶体管沟道部内侧U型弯折部处的沟道宽度形成为大于弯折部两侧的延伸部的沟道宽度，从而可以消除现有技术中因为该区域沟道宽度较小而导致的短沟道效应，可以消除现有技术中通过率不高、良品率不足、产率过低的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，具体涉及TFT、阵列基板及其显示装置，包括制备该TFT的掩模板。
技术介绍
在平板显示领域，薄膜晶体管是制作显示器件的关键器件。目前市场上显示装置的响应速度，显示品质都有了更好的要求，为了实现更好的显示品质，需要不断的改善薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,简称TFT)的特性,一般采用改善薄膜特性以及半导体材料的方法，但其制作成本要求较高，为了拥有更好的器件特性，减少沟道宽度也成为研究的趋势之一。目前，为形成更精密的沟道尺寸，常使用SSM(Single Slit Mask，单缝隙掩模板)方式来达到量产沟道宽度为4 ii m以下的TFT沟道部。目前为了获得更好的TFT特性，采用SSM方式时，在TFT沟道的弯折部容易出现不良。如图I所示，在现有的SSM方式的沟道部设计中，A部分为直道区域和作为内侧U型弯折部的B部分区域中L均指沟道的宽度。为了得到宽度L为3. 0 3. 5 y m的沟道，沟道弯折部B部在曝光机的作用下因其其透过率比A部分会有所降低，这样在沟道弯折部B部分在曝光时容易发生透过率下降，导致光刻胶不倉泛被完全去除，使得构图工艺后，B部分的源漏极产生短路不良。由此可见，尽管在应用SSM方式时可以一定程度提高TFT的特性，但在如果需要获得沟道宽度为4 以以下的薄膜晶体管沟道的情况下，由于弯折部透过率下降导致沟道不良、甚至短路的情况，从而使良品率出现严重下滑，这样的问题是目前相关研究工作须努力突破的目标及方向。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何消除目前SSM方式中因易出现沟道短路而导致良品率过低的问题。( 二 )技术方案为解决上述技术问题，本专利技术提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的沟道部结构为通过灰色调掩膜工艺以单隙缝方式来制得，所述沟道部结构的内侧弯折处的沟道宽度大于弯折部两侧的延伸部的沟道宽度。其中，所述沟道部结构的所述内侧的弯折部处，其沟道宽度在3. Oiim 6iim之间。所述沟道部结构的所述弯折部两侧的延伸部处，其沟道宽度在2. 0 i! m 3. 5 i! m。其中，所述沟道部结构的沟道宽度在2iim 6iim之间。此外，本专利技术还提供一种用于制备薄膜晶体管的掩模板，对应所述沟道部结构的单缝隙的宽度，在内侧的弯折处的缝隙宽度大于弯折部两侧的延伸部的缝隙宽度。其中，所述对应薄膜晶体管沟道部结构在所述内侧的弯折处的缝隙宽度在2.5 u m 5 u m0其中，所述对应薄膜晶体管沟道部结构在所述弯折部两侧的延伸部处，其缝隙宽度形成在l.Oiim 4iim之间。其中，所述掩模板的所述对应薄膜晶体管沟道部结构的缝隙宽度形成在I U m 5ii m之间。此外，本专利技术还提供一种包括上述任一项薄膜晶体管的阵列基板。 此外，本专利技术还提供一种包括上述任一项薄膜晶体管的显示装置。(三)有益效果本专利技术技术方案相比现有SSM技术中为了保障一定TFT特性的前提下获得较高的通过率而采取降低沟道宽度的技术方案，针对其因部分区域沟道宽度较小而易导致的短沟道效应出现的问题，通过将薄膜晶体管沟道部内侧U型弯折部处的沟道宽度形成为与其余部分不同，具体而言，使其形成的更大一些，来消除短沟道效应，进一步地，可以消除现有技术中透过率不高、良品率不足、产率过低的问题。附图说明图I为现有技术中由SSM方式所制造的沟道部结构的示意图；图2-4为根据本专利技术具体实施例所提供的沟道部结构的示意图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、内容和优点更加清楚，下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。实施例I为了消除目前SSM方式中因易出现短沟道效应而导致产率过低、良品率不足的问题，本实施例提供一种用于制备薄膜晶体管的掩模板，如图2所示，所述掩模板的对应薄膜晶体管沟道部结构的单缝隙的宽度，在内侧的弯折部B区域，其缝隙宽度大于其弯折部两侧的延伸部A的缝隙宽度。其中，所述掩模板的对应薄膜晶体管沟道部结构的缝隙宽度形成在Ium 5pm之间其中，所述掩模板的对应薄膜晶体管沟道部结构在内侧的弯折部B区域，其缝隙宽度大于弯折部两侧的延伸部A区域的缝隙宽度。其中，掩模板的所述弯折部B区域，源极部分形成为沿着朝漏极方向的反向凹陷进去，如图2所示的B区域源极部分沿着朝漏极反方向凹陷，凹陷部分的形状为矩形，如图3所示B区域源极部分沿着朝漏极反方向凹陷，凹陷部分的形状为半圆形，从而使弯折部B区域的缝隙宽度变大。其中，凹陷部分的形状可以形成为矩形、半圆形、椭圆形等，但不限于此。尤其是，如图2所示，单缝隙掩模板中对应薄膜晶体管结构沟道部分所述弯折部处B区域的缝隙宽度优选地形成在2. 5 y m 5 y m之间。该部分区域的缝隙宽度尺寸选择，较之目前通常采用的尺寸要更大一些，由此在制作薄膜晶体管时，可以提高弯折部B区域的透光率规避此处常易出现的沟道不良问题。优选的，掩模板中所述弯折部B区域的尺寸选择界定于4 i! m以内最好，其原因在于，SSM方式可以实现更为精确的沟道，当薄膜晶体管的沟道宽度在4 ii m以内时TFT的特性会更好。然而，对于所述掩模板的对应薄膜晶体管沟道部结构在所述弯折部两侧的延伸部A区域，其缝隙宽度形成在I. 0 y m m之间。该部分区域的缝隙宽度尺寸选择可以根据产品性能的需要设定。在使用单缝隙灰度掩模板(SSM)时，为了达到更精确地薄膜晶体管的沟道图案，同时避免薄膜晶体管沟道部内侧弯折部B区域的短路问题，提高掩模板的对应薄膜晶体管结构中内侧弯折部的光透过率，使内侧弯折部B区域的缝隙宽度大于弯折部两侧的延伸部的缝隙宽度，掩模板上整个对应薄膜晶体沟道结构的A区域和B区域的缝隙宽度在I.0 y m 5 y m之间，利用上述掩模板制得的薄膜晶体管的沟道达到最短的同时确保其沟道的良品率，解决了精确沟道图案的同时，使TFT特性能达到最优状态。 实施例2为了消除目前SSM方式中因易出现短沟道效应而导致产率过低、良品率不足的问题，本实施例提供一种用于制备薄膜晶体管的掩模板，如图4所示，所述掩模板的对应薄膜晶体管沟道部结构的单缝隙的宽度，在内侧的弯折部B区域，其缝隙宽度大于其弯折部两侧的延伸部A的缝隙宽度。其中，所述掩模板的对应薄膜晶体管沟道部结构的缝隙宽度形成在Ium 5pm之间其中，所述掩模板的对应薄膜晶体管沟道部结构在内侧的弯折部B区域，其缝隙宽度大于弯折部两侧的延伸部A区域的缝隙宽度。其中，掩模板的所述弯折部B区域，漏极部分形成为沿着朝源极方向的反向凹陷进去，凹陷部分的形状可以形成为半圆形或椭圆形，如图4所示，从而使弯折部B区域的缝隙宽度比弯折部两侧的延伸部A区域的宽度要大，这样可以提高弯折部B区域的光透过率。尤其是，如图4所示，单缝隙掩模板中对应薄膜晶体管结构沟道部分所述弯折部处B区域的缝隙宽度优选地形成在2. 5 y m 5 y m之间。该部分区域的缝隙宽度尺寸选择，较之目前通常采用的尺寸要更大一些，由此可以规避此处常易出现的短沟道效应及沟道不良问题。优选的，4pm以内最好，其原因在于，SSM方式可以实现更为精确的沟道，当沟道宽度在4 ii m以内时TFT的特性会更好。然而，对于所述掩模板的对应薄膜晶体管沟道部结构在所述弯折部两侧的延伸部处A区域，其缝隙宽度形成在本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道部结构为通过灰色调掩膜工艺以单缝隙方式来制得，所述沟道部结构的内侧弯折处的沟道宽度大于弯折部两侧的延伸部的沟道宽度。2.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道部结构的所述内侧的弯折部处，其沟道宽度在3. O ii m 6 ii m之间。3.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道部结构的所述弯折部两侧的延伸部处，其沟道宽度在2. O ii m 3. 5 ii m。4.根据权利要求I所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道部结构的沟道宽度在5.一种制备薄膜晶体管的掩模板，其特征在于，对应薄膜晶体管沟道部结构的单缝隙的宽度，在内侧的弯折处的缝隙宽度...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，刘圣烈，宋泳锡，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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