本发明专利技术实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶显示器的制造领域，以解决在焊垫区上因腐蚀或者粘合不良造成的驱动信号不能传输到基板显示区问题。该TFT阵列基板依次包括栅线层、第一绝缘层、半导体有源层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层；所述TFT阵列基板的焊垫区包括多条引线。其中，每条引线与至少两个粘合区电连接。本发明专利技术实施例用于TFT基板的制造。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示器的制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器。
技术介绍
在TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管-液晶显示器)制造工艺中，TFT阵列基板需要与集成电路或者柔性电路板进行粘合，将驱动信号传输到基板显示区。 而在TFT阵列基板与集成电路或者柔性电路板进行粘合的焊垫区上，由于引线部分容易发生腐蚀等现象造成粘合不良，因此使得驱动信号不能有效传输到基板显示区，进而产生画面不良。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种TFT阵列基板、接入方法和液晶显示器，一定程度上解决焊垫区因腐蚀或者粘合不良造成的驱动信号不能传输到基板显示区问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一方面，提供一种TFT阵列基板，依次包括栅线层、第一绝缘层、半导体有源层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层；所述TFT阵列基板的焊垫区包括至少一条引线，每条引线与至少两个位于数据线层的粘合区电连接。另一方面，提供一种TFT阵列基板制造方法，包括在基板上形成栅线的同时，在焊垫区形成栅层引线；在所述基板上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成数据线的同时，针对每条栅层引线在焊垫区形成至少两个粘合区；在所述基板上形成第二绝缘层，在所述栅层引线上方形成露出所述栅层引线的第一过孔，所述第一过孔的个数对应所述粘合区的个数，在所述粘合区上方形成露出所述粘合区的第二过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极的同时，在焊垫区形成覆盖所述第一过孔和第二过孔的透明导电层。另一方面，提供一种TFT阵列基板制造方法，包括在基板上形成栅线的同时，在焊垫区形成栅层引线；在所述基板上形成第一绝缘层，在所述栅层引线上方形成露出所述栅层引线的第三过孔，所述第三过孔的个数对应粘合区的个数；在所述第一绝缘层上形成数据线层的同时，针对每条栅层引线在焊垫区形成至少两个粘合区，所述粘合区覆盖所述第三过孔，通过所述第三过孔与所述栅层引线电连接；在所述基板上形成第二绝缘层，在所述粘合区上方形成露出所述粘合区的第四过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极的同时，在焊垫区形成覆盖所述第四过孔的透明导电层。另一方面，提供一种TFT阵列基板制造方法，包括在基板上形成栅线的同时，在焊垫区形成相互连通的引线栅极；所述引线栅极的个数对应粘合区的个数； 在所述基板上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成半导体有源层的同时，在焊垫区形成位于所述引线栅极上方的引线半导体有源层；在所述基板上形成数据线层的同时，在焊垫区形成数据层引线，并针对每条数据层引线形成至少两个粘合区，每个粘合区形成有位于所述引线半导体有源层上方的引线源极，还形成有与所述数据层引线连接的引线漏极，其中所述引线栅极、引线半导体有源层、引线源极和引线漏极构成引线区TFT ；在所述基板上形成第二绝缘层，在所述粘合区上方形成露出所述粘合区的过孔；在所述第二绝缘层上形成像素电极的同时，在焊垫区形成覆盖所述过孔的透明导电层。提供一种液晶显示器包含以上所述的TFT阵列基板。本专利技术实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该TFT阵列基板依次包括栅线层、第一绝缘层、半导体有源层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层；该TFT阵列基板的焊垫区包括至少一条引线，其中，每条引线与至少两个位于数据线层的粘合区电连接。这样，当其中一个发生腐蚀或者粘合不良的问题，造成信号无法传输到基板显示区时，则另一个可以将驱动信号传输到基板显示区，一定程度上解决了在焊垫区因腐蚀或者粘合不良造成的驱动信号不能传输到基板显示区的问题，避免了出现画面不良的现象，提闻了生广效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例提供的一种TFT阵列基板的局部不意图；图2为图I中A-A方向的截面图；图3为本专利技术实施例提供的另一 TFT阵列基板的局部示意图；图4为图2中B-B方向的截面图；图5为本专利技术实施例提供的又一 TFT阵列基板的局部示意图； 图6为图3中C-C方向的截面图。图7为本专利技术实施例提供的一种TFT阵列基板制造方法的流程示意图；图8为本专利技术实施例提供的另一种TFT阵列基板制造方法的流程示意图；图9为本专利技术实施例提供的又一种TFT阵列基板制造方法的流程示意图。符号说明10,TFT阵列基板；11、焊垫区；111、第一粘合区；112、第二粘合区；12、栅层引线；13、透明导电层；20、第一引线栅极；21、第二引线栅极；23、数据层引线；22、引线半导体有源层；220、第一引线源极；222、第二引线源极；221、引线漏极；223、引线电极；41、第一绝缘层；42、第二绝缘层；141、过孔；142、过孔；151、过孔；152、过孔；161、过孔；162、过孔。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中 的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在以下各实施例中，相同部分的附图标记只标记了一处，其余相同部分未作标记，但适用于已标记部分的附图标记。本专利技术实施例提供的TFT阵列基板，依次包括栅线层、第一绝缘层、半导体有源层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层。该TFT阵列基板的焊垫区包括至少一条引线，其中每条引线与至少两个位于数据线层的粘合区电连接。示例性的，该TFT阵列基板焊垫区可以有如下几种结构形式形式一如图I、图2所示，TFT阵列基板10，其焊垫区11依次包括位于栅线层的栅层引线12、第一绝缘层41、位于数据线层的针对每条栅层引线的至少两个粘合区(本实施例以两个粘合区111、112为例)、第二绝缘层42和透明导电层13。其中，在栅层引线12上方的第一绝缘层41、第二绝缘层42设有露出该栅层引线12的过孔141、142，该过孔的个数对应粘合区的个数为两个，即过孔141对应粘合区111，过孔142对应粘合区112。粘合区111上方的第二绝缘层42设有露出粘合区111的过孔151，粘合区112上方的第二绝缘42设有露出粘合区112的过孔152。过孔141和过孔151，以及过孔142和过孔152分别通过透明导电层13电连接。这样，当粘合区111发生腐蚀或者粘合不良等问题时，由于粘合区112独立与栅层引线12连接，因此不会受到影响，可以保证将驱动信号传输到基板显示区，一定程度上解决了在焊垫区因腐蚀或者粘合不良造成的驱动信号不能传输到基板显示区的问题，避免了出现画面不良的现象，提高了生产效率。形式二 如图2、3所示，TFT阵列基板10，其焊垫区11依次包括位于栅线层的栅层引线12、第一绝缘层41、位于数据线层的针对每条栅层引线的至少两个粘合区(本实施例以两个粘合区111、112为例)、第二绝缘层42和透明导电层13。其中，栅层引线12上方的第一绝缘层41设有露本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板，依次包括栅线层、第一绝缘层、半导体有源层、数据线层、第二绝缘层和透明导电层；所述TFT阵列基板的焊垫区包括至少一条引线，其特征在于，每条引线与至少两个位于数据线层的粘合区电连接。2.根据权利要求I所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述引线为位于所述栅线层的栅层引线时，所述每条引线与至少两个位于数据线层的粘合区电连接包括 针对每条栅层引线，所述栅层引线上方的第一绝缘层、第二绝缘层设有露出所述栅层引线的第一过孔；所述第一过孔的个数对应粘合区的个数，所述粘合区的个数为至少为两个； 所述至少两个粘合区位于所述数据线层，所述粘合区上方的第二绝缘层设有露出所述粘合区的第二过孔； 所述第一过孔和所述第二过孔通过所述透明导电层电连接。3.根据权利要求I所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述引线为位于所述栅线层的栅层引线时，所述每条引线与至少两个位于数据线层的粘合区电连接包括 针对每条栅层引线，所述栅层引线上方的第一绝缘层设有露出所述栅层引线的第三过孔；所述第三过孔的个数对应粘合区的个数，所述粘合区的个数至少为两个； 所述至少两个粘合区位于所述数据线层，所述粘合区覆盖所述第三过孔，并通过所述第三过孔与所述栅层弓I线电连接。4.根据权利要求I所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述引线为位于所述数据线层的数据层引线时，所述每条引线与至少两个位于数据线层的粘合区电连接包括 针对每条数据层引线，所述焊垫区上形成有位于栅线层的相互连通的引线栅极；所述引线栅极的个数对应粘合区的个数，所述粘合区的个数至少为两个； 各个引线栅极上方形成有引线半导体有源层； 所述至少两个粘合区位于所述数据线层，每个粘合区设有位于所述引线半导体有源层上方的引线源极； 在所述引线半导体有源层上还形成有与所述数据层引线连接的引线漏极；其中，所述引线栅极、引线半导体有源层、引线源极和引线漏极构成引线区TFT。5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，针对每条数据层引线，所述至少两个粘合区中的至少一个粘合区还设有引线电极，所述引线电极通过所述引线区TFT与另一粘合区连接。6.一种TFT阵列基板制造方法，其特征在于，包括 在基板上形成栅线的同时，在焊垫区形...
【专利技术属性】
技术研发人员：李鑫，冯京，唐磊，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。