【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体而言，涉及以SrTiO3为主成分且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂的晶界绝缘型半导体陶瓷、使用该晶界绝缘型半导体陶瓷的半导体陶瓷电容器及其制造方法。
技术介绍
晶界绝缘型的半导体陶瓷电容器通过一方面将晶粒半导体化并一方面将晶界绝 缘化，从而使表观介电常数增大，一直以来，作为小型且能够获得大容量的电容器被广泛知晓。例如，专利文献I中提出了一种晶界绝缘型半导体瓷器组合物，其为由通式 其中，M 为 Nb、Ta、W 及稀土类元素等，N 为 Μη、Α1 等，Z 为 Pb、B中的一方或两者)表示，且x、y、z、l、m、n在规定范围内的半导体瓷器的晶界被含Cu、Bi、Pb、B和Si中的至少一种的化合物绝缘化的组合物。专利文献I中，以SrTiO3为主成分的半导体瓷器中使用Bi2O3-Pb3O4-B2O3-CuO-SiO2类材料作为将晶界绝缘化的晶界绝缘化剂，热处理时使其扩散形成所需的晶界绝缘层，藉此获得表观介电常数和绝缘破坏电压的积较大的半导体陶瓷电容器。此外，专利文献2中提出了晶界绝缘型半导体瓷器电容器的制造方法，其包括准备半导体瓷器的工序；将添加...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.02.24 JP 2011-0382591.ー种晶界绝缘型半导体陶瓷，其以SrTiO3类化合物为主成分而形成，并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂，其特征在于，所述晶界绝缘化剂由不含Pb的非Pb类材料形成，并且所述玻璃成分以不含B和Pb的SiO2-X2O-MO-TiO2类玻璃材料为主成分，其中，X表不碱金属，M表不选自Ba、Sr、Ca的至少ー种，并且所述玻璃成分的含量相对于100重量份所述晶界绝缘化剂为3 15重量份。2.如权利要求I所述的晶界绝缘型半导体陶瓷，其特征在于，所述晶界绝缘化剂至少含有Bi和Cu。3.如权利要求I或2所述的晶界绝缘型半导体陶瓷，其特征在于，所述晶界绝缘化剂的含量相对于100重量份所述主成分为0. 8 I. 5重量份。4.如权利要求I 3中任ー项所述的晶界绝缘型半导体陶瓷，其特征在于，所述玻璃成分中的碱金属X是Li。5.一种半导体陶瓷电容器，其特征在于，部件主体由权利要求I 4中任一项所述的半导体陶瓷...
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