一种低阻、高耐压钛酸钡基陶瓷热敏电阻及其制备方法技术

一种低阻、高耐压钛酸钡基陶瓷热敏电阻及其制备方法。它是在ＢａＴｉＯ↓［３］－ＳｒＴｉＯ↓［３］－ＣａＴｉＯ↓［３］－ＰｂＴｉＯ↓［３］四元系和晶界调节相（Ｂａ↓［２］ＴｉＳｉ↓［２］Ｏ↓［８］、ＳｉＯ↓［２］和Ｌｉ↓［２］Ｏ）的基础上，通过非均相沉淀掺入双施主元素钇（Ｙ）和铌（Ｎｂ）、双受主元素锰（Ｍｎ）和铜（Ｃｕ），形成高反应活性复合微粉，复合微粉经过烧结而成陶瓷；晶界调节相中的Ｂａ↓［２］ＴｉＳｉ↓［２］Ｏ↓［８］由ＳｉＯ↓［２］、ＢａＣＯ↓［３］、和ＴｉＯ↓［２］按一定比例预烧形成；上述非均相沉淀是在球磨机、或搅拌磨机中于ｐＨ值在８．５～１２之间进行的。其优点是施受主元素分布均匀、陶瓷烧结温度低、电阻率低、耐压高，工艺流程短、适合规模化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷材料及器件制造
，特别涉及一种低阻、高耐压钛酸 钡基陶瓷热敏电阻及其制备方法。二、
技术介绍
钬酸钡基正温度系数电阻(Positive Temperature coefficient Resistance,简 称PTCR)陶乾材料是一种铁电半导体材料。由于PTCR陶瓷具有温敏、直控、 节能和安全等特点，以及其特有的热敏、限流、延时等自动"开关"功能，已广 泛应用于通讯、航天航空、半导体照明、汽车工业、家用电器等各个领域。随着对PTCR元件大电流、小型化的迫切要求，低阻钛酸钡基陶乾制备技术 已引起注意。中国专利CN1137679A公开了一种具有正温度系数的粉末半导体 陶瓷材料构成的热敏电阻器的制造方法，陶瓷的主要组成为BaTiO;j, SrTi03和 PbTi03,采用双施主锑(Sb)和铌(Nb)及受主锰(Mn)掺杂，通过调控配料和 热处理工艺制度来制得室温电阻率小于3.0il'cm、耐压高于150V/mm的热敏电阻 器。至二十世纪末，钛酸钡基PTCR陶乾的电阻率p已达到8Q'cm，但由于材料的 电阻率低，使电阻温度特性恶化，耐电压强度下降，受使用电压的限制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低阻、高耐压钛酸钡基陶瓷热敏电阻，其特征在于含有：ＢａＴｉＯ↓［３］－ＳｒＴｉＯ↓［３］－ＣａＴｉＯ↓［３］－ＰｂＴｉＯ↓［３］四元系、晶界调节相和添加剂：　所述ＢａＴｉＯ↓［３］－ＳｒＴｉＯ↓［３］－ＣａＴｉＯ↓［３］－ＰｂＴｉ Ｏ↓［３］四元系为主成分，每１００摩尔ＢａＴｉＯ↓［３］－ＳｒＴｉＯ↓［３］－ＣａＴｉＯ↓［３］－ＰｂＴｉＯ↓［３］四元系主成分的组成为：　６０～９０摩尔ＢａＴｉＯ↓［３］，　５～１８摩尔ＳｒＴｉＯ↓［３］，　１～１５摩尔 ＣａＴｉＯ↓［３］，　余量为ＰｂＴｉＯ↓［３］；　所述晶界调节相为：Ｂａ↓［２］ＴｉＳｉ↓［２］...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪劲松，沈湘黔，范文龙，徐卫宏，
申请(专利权)人：常熟通富电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]