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本发明提供晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法。扩散剂中即使不使用Pb类材料，也能够获得良好的电气特性。晶界绝缘型半导体陶瓷以SrTiO3类化合物为主成分而形成，并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂。晶...
该专利属于株式会社村田制作所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社村田制作所授权不得商用。

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